STB12NM50ND
STD12NM50ND ， STF12NM50ND
N沟道500 V ， 0.29
,
11 A， FDmesh II功率MOSFET
（快速二极管）在D中
2
PAK ， DPAK ， TO- 220FP
特点
TYPE
STB12NM50ND
STD12NM50ND
STF12NM50ND
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）R
DS （ ON）
最大
550 V
550 V
550 V
0.38
0.38
0.38
I
D
11 A
11 A
11 A
3
3
1
3
1
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
D
2
PAK
DPAK
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
FDmesh 技术结合了的MDmesh
与内在的快速恢复身体功能
二极管。所得产物具有降低导通
电阻和快速开关换向，
使得它特别适用于桥式电路拓扑
其中，低吨
rr
是必须的。
表1中。
设备简介
记号
12NM50ND
12NM50ND
12NM50ND
包
D
2
PAK
DPAK
TO-220FP
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
订购代码
STB12NM50ND
STD12NM50ND
STF12NM50ND
2009年6月
文档ID 14936第2版
1/16
www.st.com
16
目录
STB12NM50ND ， STD12NM50ND ， STF12NM50ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
文档ID 14936第2版
STB12NM50ND ， STD12NM50ND ， STF12NM50ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
工作结温
40
-55到150
150
11
6.9
44
100
DPAK
500
± 25
11
(1)
6.9
(1)
44
(1)
25
2500
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V
V / ns的
°C
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
11 A， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK
DPAK
1.25
30
50
62.5
300
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ -PCB
热阻结到PCB最大
R
THJ - AMB
热阻结- AMB最大
T
l
最大无铅焊接温度的
施行
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
5
350
单位
A
mJ
文档ID 14936第2版
3/16
电气特性
STB12NM50ND ， STD12NM50ND ， STF12NM50ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
= 11 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A
3
4
0.29
分钟。
500
44
1
100
100
5
0.38
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
1.在值依次测断感性负载下
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。
8
850
48
5
100
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
pF
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0到400伏
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
图19
-
-
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
-
4.5
30
6
17
-
nC
nC
nC
-
-
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/16
文档ID 14936第2版
STB12NM50ND ， STD12NM50ND ， STF12NM50ND
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
图18
分钟。
典型值。
12
15
40
17
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11 A，V
GS
=0
I
SD
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V
图20
V
DD
= 100 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 11 A
TJ = 150 ° C，
图20
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
-
122
650
11
160
940
12
11
44
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 14936第2版
5/16
STB12NM50ND
STD12NM50ND
N沟道500 V ， 0.29
,
11 A， FDmesh II功率MOSFET
（快速二极管），D-
2
PAK ， DPAK
初步数据
特点
TYPE
STB12NM50ND
STD12NM50ND
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）R
DS （ ON）
最大
550 V
550 V
0.38
0.38
I
D
11 A
11 A
3
1
1
3
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
图1 。
D
2
PAK
DPAK
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
和同事的所有优点降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
恢复体diode.Strongly推荐
桥拓扑，在零电压相移器。
表1中。
设备简介
记号
12NM50ND
12NM50ND
包
D
2
PAK
DPAK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购代码
STB12NM50ND
STD12NM50ND
2008年9月
REV 1
1/13
www.st.com
13
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STB12NM50ND ， STD12NM50ND
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
.............................................. 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB12NM50ND ， STD12NM50ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
dv / dt的
(2)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
工作结温
价值
500
± 25
11
6.9
44
100
40
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
≤
11 A， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
Rthj情况
RthJ -PCB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
最大无铅焊接温度的
施行
30
300
DPAK
1.25
50
DPAK
单位
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复（脉冲
宽度由TJ最大限制）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
5
350
单位
A
mJ
3/13
电气特性
STB12NM50ND ， STD12NM50ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
= 11 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A
3
4
0.29
分钟。
500
44
1
100
100
5
0.38
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.在值依次测断感性负载下
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
8
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0到400伏
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
（参见图3）
Rg
待定
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
待定
待定
待定
nC
nC
nC
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/13
STB12NM50ND ， STD12NM50ND
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图2）
民
典型值
待定
待定
待定
待定
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11 A，V
GS
=0
I
SD
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V
（见图4）
V
DD
= 100 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 11 A
TJ = 150℃
（见图4）
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
民
典型值
最大
11
44
待定
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/13
QQ：2880707522 复制
