STGW30N90D
N沟道900V - 30A - TO- 247
非常快的PowerMESH IGBT
初步数据
特点
TYPE
STGW30N90D
■
■
■
■
■
■
V
CES
900V
V
CE （ SAT ）
@25°C
< 2.75V
I
C
@100°C
30A
低导通损耗
低导通压降（ V
CESAT
)
高电流能力
高输入阻抗（电压驱动）
低栅电荷
理想的软开关应用
TO-247
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
其专利带布局，意法半导体
设计IGBT的一种先进的家庭，
出色的表现。
图1 。
内部原理图
应用
■
感应加热
表1中。
设备简介
记号
GW30N90D
包
TO-247
包装
管
订货编号
STGW30N90D
2007年7月
REV 1
1/10
www.st.com
10
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STGW30N90D
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/10
STGW30N90D
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C (1)
I
C (1)
I
CL （2）
V
GE
P
合计
I
f
T
j
T
英镑
1.
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续），在25 ℃下
集电极电流（连续）在100℃下
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
工作结温
-55到150
储存温度
°C
价值
900
60
30
135
±25
220
30
单位
V
A
A
A
V
W
A
根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. VCLAMP = 900V ， TJ = 125 ° C，R
G
=10, V
GE
=15V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件
热阻结到环境（二极管）
热阻结到环境（ IGBT ）
价值
0.57
1.6
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3/10
STGW30N90D
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
Tj=25°C
（参见图2）
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图2）
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
（参见图2）
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
TJ = 125°C
（参见图2）
分钟。
典型值。
29
11
1820
27
14
1580
90
275
312
150
336
592
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
1.
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
（参见图2）
V
CC
= 900V ，我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图2）
分钟。
典型值。
1660
4438
6096
3015
6900
9915
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助包二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
表8 。
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
IF = 20A ， TJ = 25°C
IF = 20A ， TJ = 125℃
IF = 20A ，V
R
= 27V,
T
j
= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
（见图5）
分钟。
典型值。
1.9
1.7
152
722
9
马克斯。
2.5
单位
V
V
ns
nC
A
5/10
QQ：2880707522 复制
