SSM7002KGEN
N沟道增强模式功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
描述
该SSM7002KGEN acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路,低栅极电荷。它
适用于低电压应用,如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM7002KGEN是符合RoHS标准提供
SOT- 23-3封装,其被广泛地用于低
功率商业和工业表面贴装
应用程序。
该门有内部ESD保护。
60V
2
640mA
无铅;符合RoHS标准的SOT- 23-3
D
S
SOT-23-3
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3,
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
1,2
总功耗,T
A
= 25°C
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
价值
60
±
20
640
500
950
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
mA
mA
mA
W
W / ℃,
°C
°C
热特性
符号
R
θJA
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
90
单位
° C / W
注意事项:
1.Pulse宽度必须被限制,以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时为270℃ / W 。
2006年6月16日Rev.3.01
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SSM7002KGEN
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
(在TJ = 25 ° C,除非另有规定)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考至25℃ ,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ,我
D
=200mA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
-
-
0.6
-
-
-
1
0.5
0.5
12
10
56
29
32
8
6
MAX 。单位
-
-
2
4
2.5
-
10
100
±30
1.6
-
-
-
-
-
-
50
-
-
V
V /°C的
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=600mA
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
= 0V , TJ = 70℃
V
GS
=±20V
I
D
=0.6A
V
DS
=50V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=0.6A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=52
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压
2
测试条件
I
S
= 1.2A ,V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.2
V
注意事项:
1.Pulse宽度必须被限制,以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
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SSM7002KGEN
物理尺寸
SOT-23-3
SOT-23-3
SYMBOL MILLIMETERS
分钟。
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
Θ
0°
0.89
0
0.70
0.30
0.08
2.65
2.10
1.19
马克斯。
1.45
0.15
1.30
0.50
0.25
3.10
3.00
2.30
0.95BSC
1.90BSC
0.30
0.60
0.60REF
8°
最热
*尺寸不包括塑模突出。
器件编码: NK = SSM7002KGEN
NKXX
第一个字符是下划线来表示无铅零件
XX =日期/批号 - 联系SSC的
关于解码该信息。
包装:
湿度敏感度等级MSL3
3000只在对包装在防潮袋( MBB)的卷轴抗静电胶带。
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