产品说明
在SGA - 6286是一款高性能的SiGe HBT
MMIC放大器。达林顿电路配置具有
1微米发射器提供了高FT和优秀
热性能比较。异质结增加
击穿电压和减少漏电流
路口之间。发射结取消
非线性导致更高的抑制
互调产物。只有2的隔直流钙
pacitors ，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈
所需的操作。
在Sirenza的无铅封装雾锡完成
利用后退火处理，以减轻锡whis-
KER形成并符合RoHS欧盟每个方向合规
略去2002/95 。这个包还制造
与不含抗绿色塑封料
三氧化锑，也不卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75 mA（典型值）
SGA-6286
SGA-6286Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
宽带运营： DC -5500 MHz的
可级联50欧姆
工作在单电源
低热阻封装
20
15
增益（dB ）
收益
0
-10
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
回波损耗（分贝）
应用
PA驱动放大器
10
5
0
IRL
ORL
T
L
=+25C
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
12.5
典型值。
13.6
12.4
11.2
18.7
17.8
35.0
33.0
5500
马克斯。
15.2
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
I
D
= 75毫安典型。
T
L
= 25C
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
3.6
67
14.6
13.9
4.2
4.0
75
97
4.4
83
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
EDS - 100613冯é
1
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.0
37.0
18.7
18.8
35.7
18.4
4.0
13.9
36.0
19.0
17.4
36.3
18.6
3.9
13.6
35.0
18.7
15.8
23.8
18.8
3.9
12.4
33.0
17.8
14.6
13.9
18.8
4.2
11.2
31.4
16.8
15.5
13.4
18.5
4.4
9.6
28.1
15.2
20.6
16.4
17.0
4.8
测试条件：
= 75毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
7
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际NG牛逼MP
。范围（T
L
)
e
绝对限制
1
50
mA
6V
+18 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧为C ondi TI组件也应该殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
牛逼科扎成占了带VSWR由德维CES展示
a
例如SAW滤池到determi NE马克西妈妈RF我NPUT力量。
在saturati反映harmoni C水平为Si GNI着的。
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
40
+25°C
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
20
36
OIP
3
（ dBm的）
32
28
24
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
L
-40°C
18
P
1dB
（ dBm的）
16
14
+25°C
+85°C
12
10
2.5
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
L
2.5
-40°C
+85°C
3.0
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO ， 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 100613冯é
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
初步
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
20
15
|S
21
| （ dB）的
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
0
-10
|S
11
| （ dB）的
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
10
5
-20
-30
T
L
0
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
-15
|S
12
| （ dB）的
-20
-25
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
0
-10
|S
22
| （ dB）的
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
-20
-30
T
L
-30
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
V
D
与我
D
在整个温度范围为固定
V
S
= 8 V ，R
BIAS
= 51欧姆*
90
85
+85°C
V
D
与温度的恒定我
D
= 75毫安
4.6
4.4
I
D
（MA ）
+25°C
-40°C
V
D
（伏）
80
75
70
65
60
3.6
3.8
4.2
4.0
3.8
3.6
4.0
V
D
（伏）
4.2
4.4
-40
-15
10
35
温度（℃）
60
85
*注意：在应用电路4页，R
BIAS
补偿了电压和电流随温度变化。
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SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-6286
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=75mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
27
8V
51
10 V
82
12 V
110
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
L
C
C
D
C
B
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
A62
C
B
一部分标识标记
3
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
2, 4
GND
4
A62
1
2
4
62Z
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-6286
SGA-6286Z
13"
13"
3000
3000
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 100613冯é
产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA - 6286是一款高性能的硅锗
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和75毫安，在SGA- 6286通常提供+35 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为13.8分贝， +19 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
20
16
增益（dB ）
SGA-6286
DC -5500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 12.4分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
0
回波损耗（分贝）
-8
ORL
收益
IRL
12
8
4
0
0.00
1.00
-16
-24
-32
-40
工作在单电源
低热阻封装
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
3.6
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
12.5
TY页。
13.8
12.4
11.2
19.0
18.5
35.0
33.0
5500
14.6
20.2
4.3
4.0
97
4.4
马克斯。
15.2
2.00
3.00
4.00
频率（GHz ）
5.00
6.00
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音=为0dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
I
D
= 75毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 100613修订版B
初步
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.0
37.0
18.7
18.8
35.7
18.4
4.0
13.9
36.0
19.0
17.4
36.3
18.6
3.9
13.8
35.0
19.0
15.8
23.8
18.8
3.9
12.4
33.0
17.7
14.6
13.9
18.8
4.3
11.2
31.4
16.8
15.5
13.4
18.5
4.5
9.6
28.1
15.2
20.6
16.4
17.0
4.8
测试条件：
= 75毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
6.0
5.0
噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
50
mA
6V
+16 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
T
L
=+25C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
40
36
OIP
3
（ dBm的）
32
28
24
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
20
+25°C
-40°C
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
T
L
18
P
1dB
（ dBm的）
16
14
+25°C
+85°C
12
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
L
2.5
-40°C
+85°C
3.0
3.5
频率（GHz ）
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS - 100613修订版B
初步
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
S
21
与频率的关系
S
11
与频率的关系
T
L
20
16
S
21
（ dB）的
12
8
4
0
0
1
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
-5
+25°C
-40°C
+85°C
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-10
S
11
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
-5
-10
S
12
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
0
1
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
S
12
与频率的关系
-5
-10
S
22
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
S
22
与频率的关系
T
L
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
6
6
90
85
V
D
与我
D
在整个温度范围为固定
V
S
= 8 V ，R
BIAS
= 51欧姆*
4.60
4.40
+25°C
-40°C
V
D
与温度的恒定我
D
= 75毫安
+85°C
V
D
（伏）
80
I
D
（MA ）
75
70
65
60
3.6
3.8
4.20
4.00
3.80
3.60
-40
4.0
V
D
（伏）
4.2
4.4
-15
10
35
温度（℃）
60
85
*注意：在应用电路4页，R
BIAS
补偿了电压和电流随温度变化。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
SGA - 6286的基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-6286
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=75mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
27
8V
51
10 V
82
12 V
110
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A62
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A62 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A62
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
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RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-6286
带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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4
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产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA - 6286是一款高性能的硅锗
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和75毫安，在SGA- 6286通常提供+35 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为13.8分贝， +19 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
20
16
增益（dB ）
SGA-6286
DC -5500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 12.4分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
0
回波损耗（分贝）
-8
ORL
收益
IRL
12
8
4
0
0.00
1.00
-16
-24
-32
-40
工作在单电源
低热阻封装
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
3.6
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
12.5
TY页。
13.8
12.4
11.2
19.0
18.5
35.0
33.0
5500
14.6
20.2
4.3
4.0
97
4.4
马克斯。
15.2
2.00
3.00
4.00
频率（GHz ）
5.00
6.00
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音=为0dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
I
D
= 75毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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初步
SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 51欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.0
37.0
18.7
18.8
35.7
18.4
4.0
13.9
36.0
19.0
17.4
36.3
18.6
3.9
13.8
35.0
19.0
15.8
23.8
18.8
3.9
12.4
33.0
17.7
14.6
13.9
18.8
4.3
11.2
31.4
16.8
15.5
13.4
18.5
4.5
9.6
28.1
15.2
20.6
16.4
17.0
4.8
测试条件：
= 75毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
6.0
5.0
噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
50
mA
6V
+16 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
T
L
=+25C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
40
36
OIP
3
（ dBm的）
32
28
24
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
20
+25°C
-40°C
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
T
L
18
P
1dB
（ dBm的）
16
14
+25°C
+85°C
12
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
L
2.5
-40°C
+85°C
3.0
3.5
频率（GHz ）
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2
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SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
S
21
与频率的关系
S
11
与频率的关系
T
L
20
16
S
21
（ dB）的
12
8
4
0
0
1
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
-5
+25°C
-40°C
+85°C
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-10
S
11
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
-5
-10
S
12
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
0
1
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
S
12
与频率的关系
-5
-10
S
22
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
V
D
= 4.0 V，I
D
= 75毫安
S
22
与频率的关系
T
L
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
6
6
90
85
V
D
与我
D
在整个温度范围为固定
V
S
= 8 V ，R
BIAS
= 51欧姆*
4.60
4.40
+25°C
-40°C
V
D
与温度的恒定我
D
= 75毫安
+85°C
V
D
（伏）
80
I
D
（MA ）
75
70
65
60
3.6
3.8
4.20
4.00
3.80
3.60
-40
4.0
V
D
（伏）
4.2
4.4
-15
10
35
温度（℃）
60
85
*注意：在应用电路4页，R
BIAS
补偿了电压和电流随温度变化。
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SGA - 6286 DC -5500 MHz的级联MMIC放大器
SGA - 6286的基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-6286
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=75mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
27
8V
51
10 V
82
12 V
110
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A62
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A62 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A62
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
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RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
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带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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