Si1903DL
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.995 @ V
GS
=
4.5
V
20
1.190 @ V
GS
=
3.6
V
1.80 @ V
GS
=
2.5
V
特点
I
D
(A)
"0.44
"0.40
"0.32
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定
D
铅（Pb ） - 免费版，符合RoHS
柔顺
可用的
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
S
1
G
1
D
2
1
6
5
D
1
G
2
S
2
标识代码
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
QA
XX
2
3
4
顶视图
订购信息： Si1903DL -T1
Si1903DL -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"12
单位
V
"0.44
"0.31
"1.0
0.25
0.30
0.16
55
150
"0.41
"0.30
A
0.23
0.27
0.14
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71081
S- 50694 -REV 。 C， 18 -APR- 05
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
360
400
300
最大
415
460
350
单位
° C / W
C / W
1
Si1903DL
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.41
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
3.6
V，I
D
=
0.38
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
0.25
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.41
A
I
S
=
0.23
A，V
GS
= 0 V
1.0
0.850
1.0
1.4
0.8
0.8
1.2
0.995
1.190
1.80
S
V
W
0.6
1.5
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
0.23
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 20
W
I
D
^
0.5
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.41
A
1.2
0.45
0.25
7.5
20
8.5
12
25
15
40
17
24
40
ns
1.8
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 5通3 V
0.8
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
0.8
1.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
0.6
0.6
125_C
0.4
0.4
2V
0.2
1V
0.0
0.0
1.5 V
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71081
S- 50694 -REV 。 C， 18 -APR- 05
2
Si1903DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
3.0
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
2.5
2.0
1.5
V
GS
= 3.6 V
1.0
V
GS
= 4.5 V
0.5
0.0
0.0
C
电容（pF）
100
电容
80
C
国际空间站
V
GS
= 2.5 V
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 0.41 A
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
4
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.41 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
I
D
= 0.41 A
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.1
0.0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71081
S- 50694 -REV 。 C， 18 -APR- 05
www.vishay.com
3
Si1903DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
1
功率（W）的
3
阈值电压
5
单脉冲功率
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 400 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到脚
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71081 。
www.vishay.com
文档编号： 71081
S- 50694 -REV 。 C， 18 -APR- 05
4
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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