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SSM6N15AFE

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（U -MOS

III)

SSM6N15AFE

负载开关应用

2.5 V驱动器

N沟道2合1

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 3.6

（最大值）（ @V

= 4.0 V)

DS （ ON）

= 6.0

（最大值）（ @V

= 2.5 V)

1.6±0.05

1.2±0.05

单位：mm

1.6±0.05

（ Q1 ， Q2常见）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

±20

100

400

150

单位

1.Source1

°C

2.Gate1

4.Source2

5.Gate2

6.Drain1

ES6

JEDEC

3.Drain2

―

重负载下连续使用（例如应用

JEITA

―

高温/电流/电压和在显著变化

东芝

2-2N1D

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

重量： 3.0毫克（典型值）。

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 0.135毫米

0.3 mm

注意：

记号

0.45 mm

等效电路

（ TOP VIEW ）

2010-11-22

0.12±0.05

0.55±0.05

0.2±0.05

绝对最大额定值

（大

25°C)

1.0±0.05

0.5 0.5

SSM6N15AFE

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

5 V，I

10毫安，

0 5 V，R 1

= -100毫安，V

= 0 V

（注2 ）

3 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

0.1毫安，V

0 V

0.1毫安，V

-10 V

30 V, V

0 V

= ±16

V, V

0 V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

10毫安

10毫安，V

4 V

10毫安，V

2.5 V

（注2 ）

（注3）

民

0.8

典型值。

2.3

3.5

13.5

8.0

6.5

5.5

-0.85

最大

±1

1.5

3.6

6.0

单位

μA

-1.2

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

注释3 ：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V BR的DSX模式。需要注意的是

漏极 - 源极击穿电压降低于该模式。

开关时间测试电路

（ a）测试电路

μs

5 V

税

≤

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

OUT

10%

（二）V

90%

（三）V

OUT

90%

10%

关闭

DS （ ON）

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

= 0.1 mA，对于这个

产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要更高的电压比V

和V

GS （关闭）

要求较低的电压

比V

。（关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）

)

请考虑到这一点，使用该设备。

在雪崩模式，不要使用这个设备。它可能导致器件击穿。

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

热阻R

第（章-a）的

和功耗P

根据板料，电路板面积，板的厚度各不相同

和焊盘面积。使用本设备时，请带散热考虑

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SSM6N15AFE

– V

400

常见的来源

25 °C

脉冲测试

1000

10 V

4.0 V

100

– V

（MA ）

300

3.0 V

2.7 V

200

2.5 V

2.3 V

100

VGS = 2.1 V

（MA ）

100 °C

25 °C

0.1

常见的来源

VDS

3 V

脉冲测试

1.0

2.0

3.0

4.0

25 °C

漏电流

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.01

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– I

2.1 V

2.3 V

2.5 V

2.7 V

DS （ ON）

– V

10毫安

常见的来源

脉冲测试

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

3.0 V

4.0 V

25 °C

100 °C

25 °C

VGS = 10 V

常见的来源

25°C

脉冲测试

100

200

300

400

漏电流

（MA ）

栅源电压

(V)

DS （ ON）

- TA

2.0

- TA

(V)

常见的来源

VDS

3 V

0.1毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

10毫安/ VGS

2.5 V

栅极阈值电压

1.0

10毫安/ 4.0 V

常见的来源

脉冲测试

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

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SSM6N15AFE

（女士）

1000

| – I

常见的来源

VDS = 3V

Ta=25°C

脉冲测试

– V

1000

（MA ）

反向漏电流

100

正向转移导纳

100

25 °C

常见的来源

VGS

0 V

脉冲测试

°C

TA = 100℃

100

1000

0.1

–0.5

–1.0

–1.5

漏电流

（MA ）

漏源电压

(V)

100

- V

吨 - 我

1000

常见的来源

VDD

5 V

VGS

0至5伏

25 °C

50Ω

花花公子

（PF ）

（纳秒）

100

西塞

开关时间

电容

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

0.1

科斯

CRSS

吨

100

1000

漏源电压

(V)

漏电流

（MA ）

– T

250

安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 0.135毫米

功耗，Pd

（ mW）的

200

150

100

120

160

环境温度Ta （C ）

*：总分

2010-11-22

SSM6N15AFE

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2010-11-22