【先进的功率MOSFET特点逻辑电平栅极驱动雪崩坚固的技术坚固的门栅氧化层技术低输入电容改进的栅极电荷】,IC型号SFF9250L,SFF9250L PDF资料,SFF9250L经销商,ic,电子元器件-51电子网

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先进的功率MOSFET

特点

逻辑电平栅极驱动

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

低输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

低漏电流： 10微安（最大） @ V

DS

=-200V

低

DS （ ON）

: 0.175

（典型值）。

SFF9250L

BV

DSS

= -200 V

R

DS （ ON）

= 0.23

I

D

= -12.6 A

TO-3PF

1

2

3

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

C

=25

°C)

连续漏电流（T

C

=100

°C)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

C

=25

°C)

线性降额因子

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

②

①

①

③

①

价值

-200

-12.6

-7.9

-50.4

±20

990

-12.6

20.4

-5.0

90

0.72

- 55 + 150

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/

°C

°C

300

热阻

符号

R

θJC

R

θJA

特征

结到外壳

结到环境

典型值。

--

--

马克斯。

0.61

40

°C

/W

单位

REV 。一

SFF9250L

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有规定编）

符号

BV

DSS

ΔBV / ΔT

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（米勒）充电

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

.175 0.23

13

--

分钟。典型值。马克斯。单位

-200

--

-1.0

--

--

--

--

--

-0.17

--

--

--

--

--

--

--

-2.0

100

-100

10

100

μA

S

pF

V

V

nA

P沟道

功率MOSFET

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=-250μA

参见图7

V

DS

=-5V,I

D

=-250μA

V

GS

=-20V

V

GS

=20V

V

DS

=-200V

V

DS

=-160V,T

C

=125

°C

V

GS

=-5V,I

D

=-6.3A

V

DS

=-40V,I

D

=-6.3A

④

④

V/

°C

I

D

=-250μA

2500 3250

400 520

210 270

20

50

ns

150 310

100 210

65

90

12

54

140

120

--

--

nC

V

GS

=0V,V

DS

= -25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=-100V,I

D

=-12.6A,

R

G

=6.2

见图13

V

DS

=-160V,V

GS

=-5V,

I

D

=-12.6A

参见图6 &图12

④ ⑤

④⑤

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

①

④

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

260

2.8

-12.6

-50.4

-1.5

--

--

A

V

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25

° C，I

S

=-12.6A,V

GS

=0V

④

NS牛逼

J

=25

° C，I

F

=-19.5A,V

DD

=-160V

μC

di

F

/dt=100A/μs

注意事项;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 3.9mH ，我

AS

= -19.5A ，V

DD

= -50V ，R

G

= 27Ω ，起始物为

J

=25℃

③

I

SD

≤-19.5A,

DI / dt≤500A / μs的，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

J

=25℃

④

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

⑤

基本上是独立工作温度

P沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

V

GS

-10.0 V

-8.0 V

-6.0 V

-5.0 V

-4.5 V

-4.0 V

-3.5 V

下图： -3.0 V

上图：

SFF9250L

如图2传输特性

-I

D

，漏电流[ A]

10

1

-I

D

，漏电流[ A]

10

1

150℃

10

0

25℃

-55℃

※

记

1. V

DS

= -40V

2. 250μ s脉冲测试

10

0

※

注意：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25℃

10

10

-1

-1

10

0

10

1

2

4

6

8

10

-V

DS

，漏源电压[V]

-V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

0.8

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

0.6

V

GS

= - 5V

-I

DR

，反向漏电流[ A]

R

DS （ ON）

, [

]

漏源导通电阻

10

1

0.4

V

GS

= - 10V

10

0

0.2

※

注：t

J

= 25℃

150℃ 25℃

※

注意：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

0.0

0

20

40

60

80

100

10

-1

0.6

1.2

1.8

2.4

3.0

3.6

-I

D

，漏电流[ A]

-V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

12000

10500

9000

7500

6000

4500

3000

1500

0

-1

10

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷与栅源电压

6

V

DS

= -40V

-V

GS

，栅源电压[V]

V

DS

= -100V

4

电容[ pF的]

V

DS

= -160V

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

2

※

注：我

D

= -19.5 A

0

10

0

10

1

0

20

40

60

80

100

-V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

SFF9250L

图7.击穿电压与温度的关系

1.2

2.5

P沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

-bv

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.0

1.5

1.0

1.0

0.9

※

注意：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= -250

μ

A

0.5

※

注意：

1. V

GS

= -5 V

2. I

D

= -9.8 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最大。安全工作区

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

图10.最大。漏电流与外壳温度

20

10

2

-I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

1

10毫秒

DC

-I

D

，漏电流[ A]

100

s

15

10

10

0

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

o

5

10

-1

10

0

10

1

10

2

0

25

50

75

100

125

150

-V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[ ℃ ]

图11.热响应

10

0

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

D = 0 .5

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t ) = 0 . 6 1

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

( t )

0 .2

10

-1

0 .1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

10

-2

P

DM

t

1

S IN克乐P ü LS ê

θ

JC

Z

t

2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]

P沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

SFF9250L

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

-5V

V

GS

Q

gs

Q

gd

DUT

-3mA

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

V

DS

R

G

R

L

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

V

in

10%

-5V

DUT

V

DS

90%

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

V

DD

I

D

R

G

DUT

I

AS

BV

DSS

V

DD

BV

DSS

1

E

AS

= ---- L

L

I

AS2

--------------------

2

BV

DSS

-- V

DD

t

p

时间

V

DS

(t)

I

D

(t)

-5V

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