Si4946BEY
Vishay Siliconix公司
双N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS （ ON）
(Ω)
0.041在V
GS
= 10 V
0.052在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.5
5.8
Q
g
（典型值）。
9.2 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C最高结温
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
订货信息：
Si4946BEY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4946BEY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源漏电流二极管
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0 1毫亨
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
60
± 20
6.5
5.5
5.3
A，B
4.4
A，B
30
3.1
2
A，B
12
7.2
3.7
2.6
2.4
A，B
1.7
A，B
- 55 175
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，C
最大结到脚（漏极）
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
33
最大
62.5
41
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
文档编号： 73411
S09-2434 -REV 。 C， 16 - NOV- 09
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1
Si4946BEY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.8
25
25
18
7
T
C
= 25 °C
3.1
30
1.2
50
50
A
V
ns
nC
ns
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5.3 A
分钟。
60
典型值。
马克斯。
单位
V
53
- 6.7
1.0
2.4
3.0
± 100
1
10
30
0.033
0.041
24
840
0.041
0.052
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5.3 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 5.3 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 6.8
Ω
I
D
4.4 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
3.1
71
44
17
9.2
3.3
3.7
6.5
20
120
20
30
10
9.5
30
180
30
45
15
20
40
15
25
12
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= 30 V ，R
L
= 6.8
Ω
I
D
4.4 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
12
25
10
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73411
S09-2434 -REV 。 C， 16 - NOV- 09
Si4946BEY
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典型特征
30
V
GS
= 10 V直通5 V
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
25 ℃，除非另有说明
10
20
4V
15
6
4
T
C
= 150 °C
2
25 °C
10
5
3V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
- 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.100
1200
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
0.080
- 电容（pF ）
1000
C
国际空间站
800
0.060
V
GS
= 4.5 V
0.040
V
GS
= 10 V
0.020
600
400
200
C
RSS
0
10
C
OSS
0.000
0
5
10
15
20
25
30
0
20
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 5.3 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
DS
= 30 V
6
V
DS
= 48 V
4
2.2
I
D
= 5.3 A
2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
V
GS
= 10 V
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V
GS
= 4.5 V
2
0
0
4
8
12
16
20
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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导通电阻与结温
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
R
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.10
I
D
= 5.3 A
0.08
T
J
= 150 °C
0.06
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 175 °C
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
T
J
= 25 °C
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
3.0
2.8
2.6
I
D
= 250 A
2.4
V
GS （ TH）
(V)
2.2
2.0
1.8
1.6
5
1.4
1.2
- 50
0
0.01
功率（W）的
15
20
25
导通电阻与栅极至源极电压
10
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
*
100 s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
100毫秒
T
A
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
DC
10
100
0.01
0.01
0.1
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 73411
S09-2434 -REV 。 C， 16 - NOV- 09
Si4946BEY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
I
D
- 漏电流（ A）
功率（W）的
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
100
动力方面，结至外壳
I
C
- 峰值雪崩电流（ A）
10
T
A
=
L·我
D
BV - V
DD
1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
T
A
- 时间在雪崩（多个）
单脉冲雪崩能力
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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S09-2434 -REV 。 C， 16 - NOV- 09
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