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SSM6K202FE
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型
SSM6K202FE
○
高速开关应用
○
电源管理开关应用
1.8 V驱动器
低导通电阻：
R
on
= 145毫欧（最大值） （ @V
GS
= 1.8V)
R
on
= 101毫欧（最大值） （ @V
GS
= 2.5V)
R
on
= 85毫欧（最大值） （ @V
GS
= 4.0V)
单位：mm
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±
12
2.3
4.6
500
150
55
150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
1，2， 5 ，6：排水
3
ES6
4
：门
资料来源：
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
注意：
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2N1A
重量： 3毫克（典型值）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
测试条件
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
–12 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±
12 V, V
DS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
1.5 A
I
D
=
1.5 A，V
GS
=
4.0 V
漏源导通电阻
I
D
=
1.0 A，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
0.5 A ，V
GS
=
1.8 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
2 A,
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
2.3 A，V
GS
=
0 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
30
18
0.4
3.9
典型值。
7.8
66
78
95
270
56
47
20
31
– 0.85
最大
1
±1
1.0
85
101
145
– 1.2
pF
pF
pF
ns
V
mΩ
单位
V
V
μA
μA
V
S
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
SSM6K202FE
开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
OUT
IN
0V
R
G
10
μs
V
DD
=
10 V
R
G
=
4.7
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
10%
2.5 V
90%
2.5 V
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
KL
1
2
3
1
2
3
关于使用注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2007-11-01
SSM6K202FE
I
D
– V
DS
5
10 V
4.0 V 2.5 V
10
常见的来源
V
DS
=
3 V
1
I
D
– V
GS
(A)
4
1.8 V
3
I
D
I
D
(A)
漏电流
漏电流
0.1
2
VGS = 1.5 V
1
常见的来源
Ta
=
25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.01
Ta
=
100 °C
25 °C
25 °C
0.001
0.0001
0
1.0
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
200
ID
=
0.5 A
200
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
常见的来源
150
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
150
100
Ta
=
100 °C
50
25 °C
25 °C
0
100
1.8 V
2.5 V
50
VGS = 4.0 V
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
300
1.0
V
th
- TA
V
th
(V)
0.5 A / 1.8 V
1.0 A / 2.5 V
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
250
200
栅极阈值电压
150
0.5
100
ID
=
1.5 A / VGS
=
4.0 V
50
常见的来源
VDS
=
3 V
ID
=
1毫安
0
50
0
50
100
150
0
50
0
50
100
150
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-11-01
SSM6K202FE
10
|Y
fs
| – I
D
I
DR
– V
DS
10
常见的来源
V
GS
=
0 V
1
Ta
=
25°C
(S)
D
I
DR
S
Y
fs
I
DR
3
(A)
G
正向转移导纳
1
反向漏电流
0.1
TA = 100℃
0.3
常见的来源
VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
0.01
25 °C
25
°C
0.001
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
1000
- V
DS
1000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
10 V
VGS
=
0至2.5 V
Ta
=
25°C
RG
=
4.7
Ω
500
（PF ）
花花公子
西塞
300
（纳秒）
100
C
tf
100
50
30
开关时间
电容
t
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
V
GS
=
0 V
10
科斯
CRSS
吨
tr
10
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
P
D
– T
a
1000
（ mW）的
安装在FR4板
2
（ 25.4× 25.4× 1.6毫米Cu焊盘： 645毫米）
P
D
– T
a
800
漏极功耗
P
D
600
400
200
0
–40
–20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
环境温度
Ta
(°C)
4
2007-11-01
SSM6K202FE
5
2007-11-01
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ST93CS46M3013TR
SN74CBTLV3245DB
SI4362DY-T1
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