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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1336页 > SMZ200
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2W )
绝对最大额定值
符号条件
单位
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2W )
最大功率
耗散: 2 W
标称的Z-电压:1至200伏
特点
机械数据
1)
1
2007年9月3日MAM
由赛米控
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2W )
2
2007年9月3日MAM
由赛米控
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2W )
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2W )
最大功率
耗散: 2 W
标称的Z-电压:1至200伏
特点
机械数据
1)
3
2007年9月3日MAM
由赛米控
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
表面贴装硅稳压二极管(非平面技术)
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
Version 2006-04-27
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
0.5
2.5
2W
1...200 V
DO-213AB
0.12 g
TYPE
典型值
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
5.0
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( ± 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( ± 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
0.5
Grenz- UND Kennwerte
SMZ系列
2 W
1
)
60 W
+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
马克斯。工作结温 - 马克斯。 Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该SMZ1是在前进模式中操作的二极管。因此,所有参数的指数应为“ F”,而不是“ Z” 。
阴极,由一个白色带表示,具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管SMZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
"F “ anstatt ”Z“祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
SMZ1
3
)
SMZ5.6
SMZ6.2
SMZ6.8
SMZ7.5
SMZ8.2
SMZ9.1
SMZ10
SMZ11
SMZ12
SMZ13
SMZ15
SMZ16
SMZ18
SMZ20
SMZ22
SMZ24
SMZ27
SMZ30
SMZ33
SMZ36
SMZ39
SMZ43
SMZ47
SMZ51
SMZ56
SMZ62
SMZ68
SMZ75
SMZ82
SMZ91
SMZ100
SMZ110
SMZ120
SMZ130
SMZ150
SMZ160
SMZ180
SMZ200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 (小于1)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于10)的
5 (小于10)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
> 0.5 / 3 μA
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1200
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2 W )
表面贴装硅稳压二极管
(非平面技术)的
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
2.5
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
TYPE
典型值
2W
1…200 V
DO-213AB
0.12 g
5.0
0.5
0.5
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
参见第18页
世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 ( 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - Kontaktflche
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
2 W
1
)
60 W
– 50...+150°C
– 50...+175°C
& LT ; 45 K / W
1
)
& LT ; 10 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
)安装在交媾板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
)的SMZ 1是在向前操作的二极管。因此,所有参数的指数应为“ F”,而不是“ Z” 。
阴极,由一个白圈指示的是将要连接到负极。
死在Durchla betriebene硅二极管SMZ 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登WEISSEN环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
214
01.10.2002
SMZ 1 ... SMZ 200 ( 2 W )
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
Me-
斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 (小于1)
4 (小于7)
4 (小于7)
4 (小于7)
2 (小于5)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于10)的
5 (小于10)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
& GT ; 1.5
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
488
435
400
370
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
SMZ 1
3
)
SMZ 3.9
SMZ 4.3
SMZ 4.7
SMZ 5.1
SMZ 5.6
SMZ 6.2
SMZ 6.8
SMZ 7.5
SMZ 8.2
SMZ 9.1
SMZ 10
SMZ 11
SMZ 12
SMZ 13
SMZ 15
SMZ 16
SMZ 18
SMZ 20
SMZ 22
SMZ 24
SMZ 27
SMZ 30
SMZ 33
SMZ 36
SMZ 39
SMZ 43
SMZ 47
SMZ 51
SMZ 56
SMZ 62
SMZ 68
SMZ 75
SMZ 82
SMZ 91
SMZ 100
SMZ 110
SMZ 120
SMZ 130
SMZ 150
SMZ 160
SMZ 180
SMZ 200
1
)注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
01.10.2002
215
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话: ( 480 ) 941-6300
传真: ( 480 ) 947-1503
SMZ3.3
THRU
SMZ200
ZENERarray 系列
描述
此数据表定义了一系列的双齐纳二极管具有一个共同的阳极。它
可用于电压调节为两个不同的线到地或作为
两条线之间的双向电压调节器。该产品还
提供了符合IEC 1000-4-2 ESD保护和符合IEC EFT保护
1000-4-4.
特点
提供了共阳极,双齐纳二极管3.3 200伏
提供单向稳压调节的2线对地
引脚1 3和引脚2到3或双向之间规
引脚1和2
ESD敏感的非人体模型( HBM )每>15,999伏
MIL- STD- 750方法1020
SOT- 23封装
包装
磁带&卷轴EIA标准481
7寸盘5000件
13英寸卷筒万件
最大额定值
工作温度: -55C至+ 150C
存储温度: -55°C至+ 150°C
250毫瓦最大组合功率(双腿)
热阻R
θJL
= 400 ° C / W
减免250毫瓦从50℃线性电源到零上150℃
机械
模压SOT- 23表面贴装
重量: 0.014克(近似值)
车身标有设备编号
每行的电气特性@ 25 ° C除非另有说明
公称
齐纳
电压
部分
设备
记号
V
Z
注1
3.3
5.1
12
15
24
33
36
47
82
100
200
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
马克斯。齐纳
阻抗
@ I
ZT
Z
ZT
50
30
100
120
130
140
150
200
400
600
2000
MAX 。 DC
齐纳
当前
I
ZM
注2
mA
35
22.5
9.6
7.5
4.8
3.5
3.2
2.4
1.4
1.1
0.55
最大
反向
泄漏
电流I
R
@ V
R
I
R
A
25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
1.0
2.0
9.1
11.4
18.2
25.1
27.4
35.8
62.2
76.0
152.0
最大
温度
系数
á
VZ
%/C
-0.070
±0.030
+0.077
+0.082
+0.088
+0.092
+0.093
+0.095
+0.098
+0.11
+0.11
典型
电容
C@
零伏
SMZ3.3
SMZ5.1
SMZ12
SMZ15
SMZ24
SMZ33
SMZ36
SMZ47
SMZ82
SMZ100
SMZ200
3Z3
5Z1
Z12
Z15
Z24
Z33
Z36
Z47
Z82
10Z
20Z
pF
200
150
65
55
34
24
22
15
10
9
8
注1 :额定齐纳电压有我在正负5 %的容差
ZT
( 1毫秒的脉冲) 。
注2 :每条腿进行同步操作。
MSC1381.PDF
ISO 9001认证
REV ê 2000年1月21日
SMZ3.3通SMZ200
安装垫SOT23
电路图
包装外形
MSC1381.PDF
ISO 9001认证
REV ê 2000年1月21日
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
表面贴装硅稳压二极管(非平面技术)
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2011-10-17
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
0.5
2.5
2W
1...200 V
DO-213AB
0.12 g
TYPE
典型值
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
5.0
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( ± 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( ± 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
0.5
Grenz- UND Kennwerte
SMZ系列
2 W
1
)
60 W
+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
马克斯。工作结温 - 马克斯。 Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该SMZ1是在前进模式中操作的二极管。因此,所有参数的指数应为“ F”,而不是“ Z” 。
阴极,由一个白色带表示,具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管SMZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
"F “ anstatt ”Z“祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
SMZ1
3
)
SMZ5.6
SMZ6.2
SMZ6.8
SMZ7.5
SMZ8.2
SMZ9.1
SMZ10
SMZ11
SMZ12
SMZ13
SMZ15
SMZ16
SMZ18
SMZ20
SMZ22
SMZ24
SMZ27
SMZ30
SMZ33
SMZ36
SMZ39
SMZ43
SMZ47
SMZ51
SMZ56
SMZ62
SMZ68
SMZ75
SMZ82
SMZ91
SMZ100
SMZ110
SMZ120
SMZ130
SMZ150
SMZ160
SMZ180
SMZ200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 (小于1)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于10)的
5 (小于10)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
> 0.5 / 3 μA
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1200
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SMZ1 ... SMZ200 ( 2 W )
120
[%]
100
100
150
1
T
j
= 25°C
[马]
5,6
6,8
6,2
7,5
8,2
I
ZMAX
9,1
I
ZT
80
50
I
Z
I
Z
= 5毫安
60
40
0
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
0
4
5
7
V
Z
2
3
6
8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
[V]
10
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
T
j
= 25°C
I
ZMAX
1
T
j
= 25°C
I
ZT
10
I
F
-1
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
正向特性(典型值)
Durchlasskennlinien ( typische Werte )
[ pF的]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
V
R
= 20V
V
R
= 40V
C
j
V
Z
[V]
结电容与齐纳电压(典型值)
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 (典型值)。
德欧泰克半导体公司
http://www.diotec.com/
3
SMZ1-SMZ200
表面贴装硅稳压二极管
V
Z
: 1 - 200伏
P
D
: 2瓦
特点
完整的电压范围为1 200伏特
高反向峰值功耗
高可靠性
低漏电流
无铅/符合RoHS免费
MELF
机械数据
案例: MELF模压塑料
环氧树脂: UL94V -O率阻燃
铅:铅形成了表面贴装
极性:颜色频带端为负极
安装位置:任意
重量: 0.1296克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°C
(Note1)
最大正向电压在我
F
= 200毫安
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
2.0
1.2
- 50 + 150
- 50 + 175
单位
W
V
°C
°C
注意:
(1) T
L
=铅温度5.0毫米
2
(0.013毫米厚),铜的土地面积。
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
,最大耗散
(瓦特)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
5.0 mm
2
(0.013毫米厚)
铜的土地面积。
25
50
75
100
125
150
175
T
L,
焊接温度(
°
C)
SMZ1-SMZ200
表面贴装硅稳压二极管
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
TYPE
齐纳电压
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
达因。阻力
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 (小于1)
4 (小于7)
4 (小于7)
4 (小于7)
2 (小于5)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于10)的
5 (小于10)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
& GT ; 1.5
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Z-电流
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
488
435
400
370
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
SMZ 1
3
)
SMZ 3.9
SMZ 4.3
SMZ 4.7
SMZ 5.1
SMZ 5.6
SMZ 6.2
SMZ 6.8
SMZ 7.5
SMZ 8.2
SMZ 9.1
SMZ 10
SMZ 11
SMZ 12
SMZ 13
SMZ 15
SMZ 16
SMZ 18
SMZ 20
SMZ 22
SMZ 24
SMZ 27
SMZ 30
SMZ 33
SMZ 36
SMZ 39
SMZ 43
SMZ 47
SMZ 51
SMZ 56
SMZ 62
SMZ 68
SMZ 75
SMZ 82
SMZ 91
SMZ 100
SMZ 110
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMZ200
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3329849729 复制

电话:17302677633
联系人:林先生
地址:深圳市福田区都会大厦B座24K
SMZ200
MICROSEMI/美高森美
2023+
48790
SOT-23
全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SMZ200
Diotec Semiconductor
24+
10000
DO-213AB(MELF)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱先生
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进口原装大量现货
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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联系人:销售部
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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全新原装正品/质量有保证
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