Si4542DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
P沟道
30
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.025在V
GS
= 10 V
0.035在V
GS
= 4.5 V
0.032在V
GS
= - 10 V
0.045在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
6.9
5.8
- 6.1
- 5.1
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
订货信息：
Si4542DY-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
Si4542DY-T1-GE3
（铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
± 20
6.9
5.5
40
1.7
2.0
1.3
- 55 150
P沟道
- 30
± 20
- 6.1
- 4.9
- 40
- 1.7
W
°C
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
a
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
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1
Si4542DY
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 6.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.8 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
g
= 6
Ω
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 6.1 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.9 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.5
2
30
32
7.5
7.0
3.5
5.0
2
4
12
10
10
10
60
55
15
25
50
50
45
55
3.4
6.8
20
20
20
20
90
80
30
40
90
90
nC
ns
Ω
50
50
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.9 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 6.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
- 20
0.020
0.026
0.026
0.036
25
16
1.2
- 1.2
0.025
0.032
0.035
0.045
S
V
Ω
1.0
- 1.0
± 100
± 100
1
-1
25
- 25
A
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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N沟道典型特征
25 ° C除非另有说明
40
V
GS
= 10 V直通5 V
32
4V
I
D
- 漏电流（ A）
24
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
20
16
10
T
C
= 125 °C
8
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
1
2
3
4
5
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.05
3000
传输特性
2500
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
2000
C
国际空间站
0.03
1500
C
OSS
1000
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
500
C
RSS
0.00
0
10
20
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.9 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.9 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
6
12
18
24
30
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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N沟道典型特征
25 ° C除非另有说明
40
30
20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
0.08
0.10
10
T
J
= 150 °C
0.06
0.04
I
D
= 6.9 A
0.02
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
0.2
0.0
I
D
= 250
A
20
功率（W）的
30
导通电阻与栅极至源极电压
25
V GS （ TH）方差（V ）
-
0.2
-
0.4
-
0.6
-
0.8
-
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
15
T
C
= 25 °C
单脉冲
10
5
0
0.01
0.10
1.00
时间（s）
10.00
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
方波脉冲持续时间（ S）
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5 C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
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P- CHANNEL典型特征
25 ° C除非另有说明
40
V
GS
= 10 V直通5 V
32
4V
24
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
T
C
= - 55 °C
25 °C
125 °C
24
I
D
- 漏电流（ A）
16
16
8
3V
2, 1 V
8
0
0.0
0
4.0
0
1
2
3
4
5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.10
3200
传输特性
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
2400
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
0.02
1600
800
C
OSS
C
RSS
0.00
0
8
16
24
32
40
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.1 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.1 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
1.50
6
1.25
4
1.00
2
0.75
0
0
7
14
21
28
35
0.50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 70666
S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
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