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SSM6J502NU

东芝场效应晶体管

硅P沟道MOS型（ U- MOSⅥ ）

SSM6J502NU

电源管理开关应用

1.5V驱动

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 60.5毫欧（最大值）（ @V

= -1.5 V)

DS （ ON）

= 38.4毫欧（最大值）（ @V

= -1.8 V)

DS （ ON）

= 28.3毫欧（最大值）（ @V

= -2.5 V)

DS （ ON）

= 23.1毫欧（最大值）（ @V

= -4.5 V)

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

（注2 ）

≦10s

英镑

等级

±8

150

单位

功耗

通道温度

储存温度

°C

1,2,5,6 ：排水

3 ：门

4 ：源

注意：

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

UDFN6B

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2AA1A

重量： 8.5毫克（典型值）。

注1：脉冲宽度有限的最大通道温度。

注2 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米

)

打标（顶视图）

等效电路（顶视图）

端子状态（顶视图）

SP2

漏

来源

极性标记

极性标记（在顶部）

*电极：在底部

2011-01-26

SSM6J502NU

电气特性

（大

25°C)

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

测试条件

-1毫安，V

0 V

-1毫安，V

5 V

-20 V, V

0 V

= ±8

V, V

0 V

-3 V，I

-1毫安

-3 V，I

-2.0 A

-4.0 A，V

-4.5 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

-4.0 A，V

-2.5 V

-2.5 A，V

-1.8 V

-1.5 A，V

-1.5 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

gs1

关闭

DSF

V，I

4.4

4.5

-10 V，I

-1.5 A,

0至-2.5 V ，R

4.7

4 A，V

0 V

（注3）

-10 V, V

0 V，F

1兆赫

（注3）

（注4 ）

民

-20

-15

―

-0.3

8.8

―

典型值。

―

17.5

18.2

21.5

26.1

29.7

1800

205

190

24.8

0.8

6.8

133

0.7

最大

―

-1

±1

-1.0

―

23.1

28.3

38.4

60.5

―

1.2

单位

μA

漏源正向电压

注3 ：脉冲测试

注释4 ：如果一个正向偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V BR的DSX模式。

注意，漏极 - 源极击穿电压被降低在该模式

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5

μs

OUT

4.7

税

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

（二）V

90%

10%

2.5

DS （ ON）

90%

10%

（三）V

OUT

关闭

注意事项

设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）要低（-1毫安的

SSM6J502NU ）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

TH ，

和V

GS （ OFF ）

必须小于

钍。

这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （ ON）

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

热阻R

第（章-a）的

和功耗P

根据板料，电路板面积，板的厚度各不相同

和焊盘面积。使用本设备时，请带散热考虑

2011-01-26

SSM6J502NU

– V

-10

-8V

-1.8 V

-1.5 V

-4.5V

-2.5V

VGS = -1.2 V

-10

常见的来源

VDS = -3 V

脉冲测试

(A)

-6.0

(A)

-8.0

-1

漏电流

-0.1

TA = 100 C

- 25 °C

-0.01

25 °C

-4.0

-2.0

常见的来源

TA = 25℃

脉冲测试

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

漏电流

-0.001

-0.0001

-0.5

-1.0

-1.5

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

100

ID = -4.0A

常见的来源

脉冲测试

100

常见的来源

TA = 25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

25 °C

TA = 100 C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

-2.5 V

-1.5 V

-1.8V

VGS = -4.5 V

- 25 °C

-2

-4

-6

-8

-2.0

-4.0

-6.0

-8.0

-10

栅源电压

(V)

漏电流

(A)

DS （ ON）

- TA

100

- TA

-1.0

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

-2.5 A / -1.8V

-4.0 A / -2.5 V

-1.5 A / -1.5 V

栅极阈值电压

(V)

常见的来源

脉冲测试

常见的来源

VDS = -3 V

为ID = -1毫安

-0.5

ID = -4.0 A / VGS = -4.5 V

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2011-01-26

SSM6J502NU

| – I

常见的来源

VDS

-3 V

25°C

脉冲测试

– V

100

(S)

(A)

TA = 100℃

25 °C

正向转移导纳

反向漏电流

0.1

常见的来源

VGS = 0 V

脉冲测试

0.01

-25 °C

0.3

0.1

-0.01

-0.1

-1

-10

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

10000

5000

- V

10000

花花公子

西塞

1000

吨 - 我

常见的来源

VDD = -10 V

VGS = 0至-2.5 V

TA = 25℃

RG = 4.7Ω

（PF ）

3000

1000

500

300

科斯

CRSS

电容

开关时间

100

常见的来源

TA = 25°C

F = 1 MHz的

VGS

0 V

-1

-10

（纳秒）

吨

-0.1

-100

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

漏源电压

(V)

漏电流

(A)

动态输入特性

-8

常见的来源

ID = -4.4一

TA = 25°C

栅源电压

(V)

-6

-4

VDD = - 10 V

VDD = - 16 V

-2

总栅极电荷

（ NC ）

2011-01-26

SSM6J502NU

– T

1400

答：安装在FR4板

(25.4mm

25.4mm

1.6毫米，铜垫： 645毫米

)

B：安装在FR4板

1200

(25.4mm

25.4mm

1.6毫米，铜垫： 2.27毫米

)

– T

RTH （ ° C / W）

1000

功耗P

（ mW）的

1000

800

瞬态热阻抗

100

600

400

200

单脉冲

一。安装在F4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米）

0.001

B 。安装在F4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘：2.27 MM）

0.01

0.1

100

1000

-40

-20

100

120 140

160

脉冲宽度

(s)

环境温度

(°C)

2011-01-26