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SS811, SS812
复位电路,带有手动复位输入
特点
1μA的超低电源电流(典型值)。
保证复位有效到Vcc = 0.9V
提供两种输出yypes :
推挽式 - 低( SS811 )
推挽式 - 高( SS812 )
上电复位脉冲宽度最小140ms的
内部固定阈值2.3V , 2.6V , 9V 2 , 3.1V , 4.0V ,
4.4V , 4.6V和
严格的电压阈值精度: 1.5 %
薄型封装形式: SOT- 23-5
这些设备在执行应用程序,有效的单打
与Vcc的范围从6.0V降低到0.9V 。复位
信号持续时间为140ms的时候的一个最低期限
V
CC
电源电压低于预先设定的阈值。两
在SS811和SS812在设计时复位
比较器,以帮助确定持续时间不无效信号
超过140ms的。在SS811和之间的唯一区别
该SS812是一个具有积极 - 低
RESET
产量
和其它具有活动 - 高RESET输出。
描述
该SS811和SS812的低功耗微处理器
( μP)监控电路,用于监视电源
在μP和数字系统。它们提高了电路的可靠性
并通过减少外部元件降低成本。
该SS811和SS812还提供手动复位输入。
应用
l
l
l
l
笔记本电脑
数码相机
掌上电脑
关键的微处理器监控
低电源电流( 1μA ) ,使SS811和
SS812适用于便携式设备。该装置是
提供采用SOT -23-5封装。
典型应用电路
V
CC
VCC
SS811
(SS812)
RESET
MR( RESET )
GND
VCC
P
RESET
输入
GND
按钮
开关
Rev.1.01 2004年4月6日
www.SiliconStandard.com
1第8
SS811, SS812
订购信息
SS811-XXCXXX
SS812-XXCXXX
包装类型
TR :T已猿和卷轴
套餐类型
V : SOT- 23- 5
复位门限电压
23: 2.3V
26: 2.6V
29: 2.9V
31: 3.1V
40: 4.0V
44: 4.4V
46: 4.6V
(其他输出电压版本, 0.1V的电压范围内的单位从1.5V至5.5V的这
产品线可以提供与SSC事先协商的要求。 )
例如: SS811 -31C VTR
à
3.1V版本SOT- 23- 5封装,运磁带和卷轴。
SOT- 23- 5
顶视图
1 :摹ND
2 : NC
3 :复位( RESET )
4 :MR
5 : Vcc的
引脚配置
5
4
1
2
3
SOT -23-5标记
产品型号
SS811-23CV
SS811-26CV
SS811-29CV
SS811-31CV
SS811-40CV
SS811-44CV
SS811-46CV
记号
BQ23
BQ26
BQ29
BQ31
BQ40
BQ44
BQ46
产品型号
SS812-23CV
SS812-26CV
SS812-29CV
SS812-31CV
SS812-40CV
SS812-44CV
SS812-46CV
记号
BR23
BR26
BR29
BR31
BR40
BR44
BR46
Rev.1.01 2004年4月6日
www.SiliconStandard.com
2第8
SS811, SS812
绝对最大额定值
V
CC
RESET ,
RESET
输入电流(V
CC
,
MR
)
输出电流(或复位
RESET
)
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
工作结温范围
存储温度范围
引线温度(焊接) 10秒
-0.3V ~6.5V
-0.3V ( VCC + 0.3V )
20mA
20mA
320mW
-40°C ~ 85°C
- 65°C ~ 150°C
260°C
注1 :超出最大绝对额定值任何压力以上,可能会对设备造成永久性损坏。
测试电路
1
2
3
GND
VCC
NC
MR
RESET
SS811
5
4
IIN
VIN
按钮
开关
Rev.1.01 2004年4月6日
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3 8
SS811, SS812
电气特性
(典型值是在T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
工作电压范围
电源电流
测试条件
V
CC
= V
TH
+0.1V
SS811-23
SS811-26
SS811-29
复位门限
V
TH
SS811-31
SS811-40
SS811-44
SS811-46
V
CC
到复位延迟
复位有效超时周期
T
RD
T
RP
T
MD
V
IH
V
IL
10
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
V
CC
=V
TH
+ 0.1V ,我
来源
=1mA
V
CC
=V
TH
- 0.1V ,我
SINK
=1mA
V
CC
=V
TH
+ 0.1V ,我
来源
=1mA
V
CC
=V
TH
- 0.1V ,我
SINK
=1mA
0.8V
CC
0.2Vcc
0.8V
CC
0.2Vcc
20
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
=+25°C
2.265
2.254
2.561
2.548
2.857
2.842
3.054
3.038
3.940
3.920
4.334
4.312
4.531
4.508
20
140
100
0.5
0.7V
CC
0.25V
CC
30
230
560
1030
4.6
4.4
4.0
3.1
2.9
2.6
分钟。
0.9
1
2.3
典型值。
马克斯。
6
3
2.335
2.346
2.639
2.652
2.944
2.958
3.147
3.162
4.060
4.080
4.466
4.488
4.669
4.692
S
mS
S
V
K
V
V
V
单位
V
A
符号
V
CC
I
CC
V
CC
=V
TH
到(Ⅴ
TH
–0.1V), V
TH
=3.1V
V
CC
= V
TH (最大)
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
Vcc=6V
MR
为RESET传播
延迟
MR
输入阈值
MR
上拉电阻
RESET
输出电压
复位输出电压
注2 :
RESET
输出是对SS811 ; RESET输出为SS812 。
注3 :规范工作温度范围为-40 ° C至85°C ,是由统计质量保证
控制(SQC ),没有生产测试。
Rev.1.01 2004年4月6日
www.SiliconStandard.com
4 8
SS811, SS812
典型性能特性
1.5
1.4
120
升降压电源复位延迟(微秒)
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-60
-40
-20
0
20
40
V
TH
=2.3V
电源电流( μA )
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-40
-
20
0
20
V
TH
=2.3V
V
O D用
=V
TH
-V
CC
V
TH
=3.1V
V
TH
=4.6V
V
OD
=50mV
V
OD
=100mV
V
OD
=200mV
40
60
80
100
60
80
100
温度(
°
C)
图1电源电流与温度的关系
240
温度(
°
C)
图2掉电复位延迟与温度的关系
升降压电源复位延迟(微秒)
升降压电源复位延迟(微秒)
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-
60
-
40
-20
V
TH
=3.1V
V
O D用
=V
TH
-V
CC
400
V
OD
=50mV
V
TH
=4.6V
V
OD
=V
TH
-V
CC
300
V
OD
=50mV
200
V
OD
=100mV
100
V
OD
=100mV
V
OD
=200mV
0
20
40
60
80
100
V
OD
=200mV
0
-60
-
40
-
20
0
20
40
60
80
100
温度(
°
C)
图3掉电复位延迟与温度的关系
600
温度(
°
C)
图4掉电复位延迟与温度的关系
归一化复位门限( V)
1.010
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
-40
-20
0
V
TH
=4.6V
电源-Up复位超时(毫秒)
1.015
500
400
V
TH
=3.1V
300
200
V
TH
=3.1V
V
TH
=4.6V
V
TH
=2.3V
V
TH
=2.3V
100
0
-60
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度(
°
C)
图5归复位阈值与温度的关系
温度(
°
C)
图6上电复位超时与温度的关系
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