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SPP2305

P沟道增强型MOSFET

描述

该SPP2305是P沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

-15V/-3.5A,R

DS （ ON）

= 70mΩ @ V

=-4.5V

-15V/-3.0A,R

DS （ ON）

= 85mΩ @ V

=-2.5V

-15V/-2.0A,R

DS （ ON）

=105m@V

=-1.8V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 23-3L封装设计

引脚配置（ SOT- 23-3L ）

最热

2007/03/30

Ver.1

第1页

SPP2305

P沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

订购信息

产品型号

SPP2305S23RG

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPP2305S23RG ：带卷轴;铅 - 免费

包

SOT-23-3L

部分

记号

05YW

符号

描述

门

来源

漏

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

-15

±12

-3.5

-2.8

-10

-1.6

1.25

0.8

150

-55/150

120

单位

℃

2007/03/30

Ver.1

第2页

SPP2305

P沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=-250uA

GS （ TH）

=-250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,V

=±10V

=-12V,V

=0V

=-12V,V

=0V

=55℃

≦-5V,V

=-4.5V

≦-5V,V

=-2.5V

=-4.5V,I

=-3.5A

=-2.5V,I

=-3.0A

=-1.8V,I

=-2.0A

=-5V,I

=-3.5A

=-1.5A,V

=0V

-15

-0.35

-0.85

±100

-1

-10

-4

-2

0.055

0.065

0.085

8.5

-0.8

0.70

0.85

0.105

-1.2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=-6V,V

=-4.5V

≡-2.8A

=-6V,V

=0V

f=1MHz

4.8

1.0

485

=-6V,R

≡-1.0A,V

根

=-4.5V

2007/03/30

Ver.1

第3页

SPP2305

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/03/30

Ver.1

第4页

SPP2305

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/03/30

Ver.1

第5页

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