SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
优化的1.8 -V操作,并且3.6 -V
I / O容错支持混合模式信号
手术
1分-V可操作
低功耗, 10 μA最大I
CC
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速 - 最高0.2纳秒(V
CC
= 1.8 V,
C
L
= 15 pF的)
低导通阻抗 - 通常
≈9
(V
CC
= 2.3 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DBV OR DCK包装
( TOP VIEW )
A
B
GND
1
2
3
5
4
V
CC
C
YEA或YZA包装
(底视图)
GND
B
A
3 4
2
1 5
C
V
CC
描述/订购信息
这种单一的模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.65 -V的特别设计, 1.95 -V族
V
CC
操作。
该SN74AUC1G66可以处理模拟和数字信号。它允许与信号幅度高达3.6 -V
(峰),以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar
WCSP ( DSBGA ) - YEA
-40 ° C至85°C
NanoFree
WCSP ( DSBGA ) - YZA (无铅)
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74AUC1G66YEAR
_ _ _U6_
U6
SN74AUC1G66YZAR
SN74AUC1G66DBVR
SN74AUC1G66DCKR
U66_
U6_
TOP- SIDE
标记
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
功能表
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
ON
逻辑图(正逻辑)
1
A
4
C
2
B
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
控制输入钳位电流,I
IK
(V
I
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口的二极管电流,我
IOK
(V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
通态电流开关,我
T
(V
I / O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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单双边模拟开关
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推荐工作条件(见注4 )
民
VCC
VIH
电源电压
高电平输入电压
VCC - 0.8 V
VCC = 1.1 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC - 0.8 V
VIL
VI / O
VI
ΔT/ ΔV
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
输入过渡上升或下降速率
VCC = 1.1 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
VCC
0.65
×
VCC
1.7
0
0.35
×
VCC
0.7
VCC
3.6
20
V
V
NS / V
V
最大
2.7
单位
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
罗恩
导通状态
在状态开关电阻
测试条件
VI = VCC或GND ,
VC = VIH
(参见图1)
VI = VCC和GND ,
VC = VIH
(参见图1)
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
VCC
1.65 V
2.3 V
1.65 V
2.3 V
2.7
27V
民
TYP
10
9
32
15
最大
20
15
80
20
±1
±0.1
±1
±0.1
±5
10
2
3.5
7
A
单位
罗恩(p)的
( )
峰值导通电阻
IS (OFF)的
S( FF)
关闭状态
关机状态下开关漏电流
VI = VCC和VO = GND ,或
VI = GND和VO = VCC ,
VC = VIL(参见图2)
VI = VCC或GND , VC = VIH , VO =打开
,
(参见图3)
VI = VCC或GND
VI = VCC或GND ,
IO = 0
IS (上)
S( )
II
ICC
CIC
首席信息官(关)
CIO ( ON)
导通状态
对开关状态的泄漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7
27V
0 2.7 V
0.8 V至
2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
A
A
A
pF
pF
pF
所有典型值是在TA = 25 ℃。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF的
(除非另有说明)(见图4)
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
VCC - 0.8 V
典型值
0.9
4.1
5
0.5
0.7
VCC = 1.2 V
±
0.1 V
民
最大
0.3
2.6
3.6
0.5
0.5
VCC = 1.5 V
±
0.1 V
民
最大
0.2
1.7
2.6
0.5
0.5
0.8
1.7
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
典型值
最大
0.2
1.1
2.9
0.5
0.5
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.1
1
2.2
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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3
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单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF的
(除非另有说明)(见图4)
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
0.5
0.5
1.4
1.7
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
典型值
最大
0.3
2.3
2.9
0.8
0.5
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.3
1.4
1.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
4
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单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
模拟开关特性,T
A
= 25°C
参数
从
(输入)
TO
(输出)
测试条件
VCC
0.8 V
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
鱼翅=正弦波
(见图5)
频率响应
q
y
(开关)
A或B
B或A
CL = 5 pF的,RL = 50
,
F,
鱼翅=正弦波
(见图5)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
C
A或B
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
翅片= 1兆赫(方波)
(参见图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
翅片= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
直通衰减
g
(开关OFF)
A或B
B或A
CL = 5 pF的,RL = 50
,
F,
翅片= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
CL = 50 pF的, RL = 10 kΩ的,
F,
翅片= 1千赫(正弦波)
(参见图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
CL = 50 pF的, RL = 10 kΩ的,
F,
翅片= 10千赫(正弦波)
(参见图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
鳍调整电压,以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率,直到分贝仪读取-3分贝。
调整鳍片的电压,以获得0 dBm的输入端。
典型值
60
60
80
120
170
>500
>500
>500
>500
>500
9
14
15
16
20
–60
–60
–60
–60
–60
–55
–55
–55
–55
–55
7.5
0.16
0.04
0.03
0.02
4.2
0.2
0.03
0.02
0.02
%
dB
mV
兆赫
单位
正弦波
正弦波失真
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
功耗
电容
TEST
条件
F = 10MHz的
VCC - 0.8 V
典型值
3
VCC = 1.2 V
典型值
3
VCC = 1.5 V
典型值
3
VCC = 1.8 V
典型值
3
VCC = 2.5 V
典型值
3
单位
pF
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5
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单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
优化的1.8 -V操作,并且3.6 -V
I / O容错支持混合模式信号
手术
1分-V可操作
低功耗, 10 μA最大I
CC
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速 - 最高0.2纳秒(V
CC
= 1.8 V,
C
L
= 15 pF的)
低导通阻抗 - 通常
≈9
(V
CC
= 2.3 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DBV OR DCK包装
( TOP VIEW )
A
B
GND
1
2
3
5
4
V
CC
C
YEA或YZA包装
(底视图)
GND
B
A
3 4
2
1 5
C
V
CC
描述/订购信息
这种单一的模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.65 -V的特别设计, 1.95 -V族
V
CC
操作。
该SN74AUC1G66可以处理模拟和数字信号。它允许与信号幅度高达3.6 -V
(峰),以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar
WCSP ( DSBGA ) - YEA
-40 ° C至85°C
NanoFree
WCSP ( DSBGA ) - YZA (无铅)
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74AUC1G66YEAR
_ _ _U6_
U6
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SN74AUC1G66DBVR
SN74AUC1G66DCKR
U66_
U6_
TOP- SIDE
标记
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
功能表
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
ON
逻辑图(正逻辑)
1
A
4
C
2
B
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至3.6 V
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
控制输入钳位电流,I
IK
(V
I
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口的二极管电流,我
IOK
(V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
通态电流开关,我
T
(V
I / O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注3 ) : DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
推荐工作条件(见注4 )
民
VCC
VIH
电源电压
高电平输入电压
VCC - 0.8 V
VCC = 1.1 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC - 0.8 V
VIL
VI / O
VI
ΔT/ ΔV
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
输入过渡上升或下降速率
VCC = 1.1 V至1.95 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
VCC
0.65
×
VCC
1.7
0
0.35
×
VCC
0.7
VCC
3.6
20
V
V
NS / V
V
最大
2.7
单位
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
罗恩
导通状态
在状态开关电阻
测试条件
VI = VCC或GND ,
VC = VIH
(参见图1)
VI = VCC和GND ,
VC = VIH
(参见图1)
IS = 4毫安
IS = 8毫安
IS = 4毫安
IS = 8毫安
VCC
1.65 V
2.3 V
1.65 V
2.3 V
2.7
27V
民
TYP
10
9
32
15
最大
20
15
80
20
±1
±0.1
±1
±0.1
±5
10
2
3.5
7
A
单位
罗恩(p)的
( )
峰值导通电阻
IS (OFF)的
S( FF)
关闭状态
关机状态下开关漏电流
VI = VCC和VO = GND ,或
VI = GND和VO = VCC ,
VC = VIL(参见图2)
VI = VCC或GND , VC = VIH , VO =打开
,
(参见图3)
VI = VCC或GND
VI = VCC或GND ,
IO = 0
IS (上)
S( )
II
ICC
CIC
首席信息官(关)
CIO ( ON)
导通状态
对开关状态的泄漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7
27V
0 2.7 V
0.8 V至
2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
A
A
A
pF
pF
pF
所有典型值是在TA = 25 ℃。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF的
(除非另有说明)(见图4)
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
VCC - 0.8 V
典型值
0.9
4.1
5
0.5
0.7
VCC = 1.2 V
±
0.1 V
民
最大
0.3
2.6
3.6
0.5
0.5
VCC = 1.5 V
±
0.1 V
民
最大
0.2
1.7
2.6
0.5
0.5
0.8
1.7
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
典型值
最大
0.2
1.1
2.9
0.5
0.5
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.1
1
2.2
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF的
(除非另有说明)(见图4)
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
0.5
0.5
1.4
1.7
VCC = 1.8 V
±
0.15 V
民
典型值
最大
0.3
2.3
2.9
0.8
0.5
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.3
1.4
1.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
4
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SN74AUC1G66
单双边模拟开关
SCES386F - 2002年3月 - 修订2003年4月
模拟开关特性,T
A
= 25°C
参数
从
(输入)
TO
(输出)
测试条件
VCC
0.8 V
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
鱼翅=正弦波
(见图5)
频率响应
q
y
(开关)
A或B
B或A
CL = 5 pF的,RL = 50
,
F,
鱼翅=正弦波
(见图5)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
C
A或B
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
翅片= 1兆赫(方波)
(参见图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
CL = 50 pF的, RL = 600
,
F,
翅片= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
直通衰减
g
(开关OFF)
A或B
B或A
CL = 5 pF的,RL = 50
,
F,
翅片= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
CL = 50 pF的, RL = 10 kΩ的,
F,
翅片= 1千赫(正弦波)
(参见图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
CL = 50 pF的, RL = 10 kΩ的,
F,
翅片= 10千赫(正弦波)
(参见图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
鳍调整电压,以获得0 dBm的输出处。增加散热片频率,直到分贝仪读取-3分贝。
调整鳍片的电压,以获得0 dBm的输入端。
典型值
60
60
80
120
170
>500
>500
>500
>500
>500
9
14
15
16
20
–60
–60
–60
–60
–60
–55
–55
–55
–55
–55
7.5
0.16
0.04
0.03
0.02
4.2
0.2
0.03
0.02
0.02
%
dB
mV
兆赫
单位
正弦波
正弦波失真
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
功耗
电容
TEST
条件
F = 10MHz的
VCC - 0.8 V
典型值
3
VCC = 1.2 V
典型值
3
VCC = 1.5 V
典型值
3
VCC = 1.8 V
典型值
3
VCC = 2.5 V
典型值
3
单位
pF
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5
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单双边模拟开关
1
特点
低导通阻抗 - 通常9
(V
CC
= 2.3 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
可以在德州仪器NanoFree
包
宽V
CC
0.8 V至2.7 V范围内
分1 -V可操作
低功耗, 10 μA最大I
CC
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速 - 最高0.2纳秒(V
CC
= 1.8 V,
C
L
= 15 pF的)
2
DBV包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
干包装
( TOP VIEW )
YZP包装
(底视图)
A
B
GND
1
5
V
CC
A
B
1
2
3
5
V
CC
A
B
2
GND
4
4
C
GND
P
3
V
W
CC
E
5
2
VI
NC
RE
1
6
GND
B
A
3 4
2
1 5
C
V
CC
4
C
3
C
请参见机械图纸尺寸。
NC-无内部连接
描述/订购信息
这种单一的模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.65 -V的特别设计, 1.95 -V族
V
CC
操作。
该SN74AUC1G66可以处理模拟和数字信号。将合并的AC和DC信号必须
V之间
CC
和GND为它在任一方向传送。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有2002-2009 ,德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
T
A
包
(1) (2)
NanoFree
WCSP ( DSBGA ) - YZP (无铅)
-40 ° C至85°C
SON - 干
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
(1)
(2)
(3)
3000卷
5000卷
3000卷
3000卷
订购型号
SN74AUC1G66YZPR
SN74AUC1G66DRYR
SN74AUC1G66DBVR
SN74AUC1G66DCKR
顶部端标记
(3)
_ _ _U6_
预览
U66_
U6_
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
DBV / DCK /干:实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。
功能表
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
ON
逻辑图(正逻辑)
1
A
4
C
2
B
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V
CC
V
I
V
I / O
I
IK
I
IOK
I
T
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
–50
±50
±50
±100
206
252
234
123
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
& LT ; 0
V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
DBV包装
开关I / O电压范围
(2) (3)
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
ON状态的开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
DCK包装
干包装
YZP包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
° C / W
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
150
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地,除非另有规定。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
电源电压
V
CC
= 0.8 V
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
V
I / O
V
I
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
–40
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
V
CC
0.65 × V
CC
1.7
0
0.35 × V
CC
0.7
V
CC
3.6
20
85
V
V
NS / V
°C
V
V
最大
2.7
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
r
on
通态电阻开关
测试条件
V
I
= V
CC
或GND ,
V
C
= V
IH
(见
图1)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
C
= V
IH
(见
图1)
V
I
= V
CC
和V
O
= GND ,或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
C
= V
IL
(见
图2)
V
I
= V
CC
或GND ,V
C
= V
IH
, V
O
=打开
(见
图3)
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ,
I
O
= 0
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
V
CC
1.65 V
2.3 V
1.65 V
2.3 V
2.7 V
最小值典型值
(1)
10
9
32
15
最大
20
15
80
20
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±5
10
2
3.5
7
单位
r
对(p)的
峰值导通电阻
I
S( OFF)
断态开关漏电流
A
A
A
A
pF
pF
pF
I
秒(上)
I
I
I
CC
C
ic
C
io的(OFF)的
C
io的(上)
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7 V
0 2.7 V
0.8 V至2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
所有典型值是在T
A
= 25°C.
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图4)
参数
t
pd
(1)
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 0.8 V
典型值
0.9
4.1
5
V
CC
= 1.2 V
± 0.1 V
民
0.5
0.7
最大
0.3
2.6
3.6
V
CC
= 1.5 V
± 0.1 V
民
0.5
0.5
最大
0.2
1.7
2.6
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
民
0.5
0.5
典型值
0.8
1.7
最大
0.2
1.1
2.9
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
0.5
0.5
最大
0.1
1
2.2
单位
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
(1)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF(除非另有说明)(见
图4)
参数
t
pd
(1)
从
(输入)
A或B
C
C
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
民
0.5
0.5
典型值
1.4
1.7
最大
0.3
2.3
2.9
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
0.8
0.5
最大
0.3
1.4
1.5
单位
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
(1)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
从
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
正弦波
(见
图5)
频率响应
(1)
(开关)
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
正弦波
(见
图5)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
C
A或B
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(方波)
(见
图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
穿心衰减
(2)
(开关OFF)
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫(正弦波)
(见
图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
A或B
B或A
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫(正弦波)
(见
图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
(1)
(2)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输出处。增加F
in
频率,直到分贝仪读取-3分贝。
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输入端。
典型值
60
60
80
120
170
>500
>500
>500
>500
>500
9
14
15
16
20
–60
–60
–60
–60
–60
–55
–55
–55
–55
–55
7.5
0.16
0.04
0.03
0.02
4.2
0.2
0.03
0.02
0.02
%
dB
mV
兆赫
单位
正弦波失真
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功耗
电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 0.8 V
典型值
3
V
CC
= 1.2 V
典型值
3
V
CC
= 1.5 V
典型值
3
V
CC
= 1.8 V
典型值
3
V
CC
= 2.5 V
典型值
3
单位
pF
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