固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT1192/59
2 AMP
500伏
PNP晶体管
TO-59
设计师的数据表
产品特点：
BV
首席执行官
400V.
快速切换。
高频。
低饱和电压。
200
o
C操作，金共晶芯片粘接。
专为配套使用与SFT6800 。
最大额定值
集电极 - 发射极电压
R
BE
= 1千欧
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
=100
o
C
减免上述25
o
C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
案例概述： TO- 59
引脚输出：
1 - 集电极
2 - 基
3 - Emmiter
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J,
T
英镑
R
Θ
JC
价值
400
500
500
10
2
0.5
20
133
-65到+200
7.5
单位
伏
伏
伏
安培
安培
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C / W
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0008C
SFT1192/59
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
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电气特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=5mA
DC
)
(I
C
=100mA
DC
, R
BE
=1k)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=为100uA
DC
)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=的20uA
DC
)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 450V
DC
)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 400V
DC
, V
EB
= 1.5V
DC
)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6V
DC
)
直流电流增益*
(V
CE
=10V
DC
)
(I
C
= 1.0毫安
DC
)
(I
C
= 50毫安
DC
)
(I
C
= 500毫安
DC
)
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
CEV
I
EBO
民
400
500
500
10
-
-
-
80
60
40
-
-
-
-
50
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
1.0
10
10
-
-
-
0.4
2.0
1.5
2.0
-
75
300
250
2500
单位
V
V
V
A
A
A
H
FE
集电极 - 发射极饱和
(I
C
=50mA
DC ，
I
B
= 5毫安
DC
)
电压*
(I
C
=500mA
DC ，
I
B
=50mA
DC
)
基射极饱和
电压*
(I
C
=50mA
DC ，
I
B
= 5毫安
DC
)
(I
C
=500mA
DC ，
I
B
=50mA
DC
)
V
CE （ SAT ）
V
BE （SAT）
fT
C
ob
C
ib
t
（上）
t
（关闭）
V
DC
V
DC
兆赫
pf
pf
ns
ns
电流增益带宽积
(I
C
= 70毫安
DC ，
V
CE
= 30V
DC ，
F = 20MHz的）
输出电容
(V
CB
= 20V
DC ，
I
E
= 0A
DC ，
F = 1.0MHz的）
输入电容
(V
BE
= 2V
DC ，
I
C
= 0A
DC ，
F = 1.0MHz的）
启动时间
关闭时间
(V
CC
= 100V
DC ，
I
C
= 500毫安
DC
,
V
EB （O FF ）
=3.7V
DC
,
I
B1
=I
B2
= 50毫安
DC
)
*脉冲测试：脉冲宽度= 300
S，占空比= 2 ％
QQ：2881677436 复制
