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SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
D
D
D
为了减少反射噪声
重复峰值正向电流200 mA的
12位阵列结构适合
面向总线的系统
D,N , NS ,或PW包装
( TOP VIEW )
描述/订购信息
这种肖特基势垒二极管的总线端接阵列
被设计以减少对存储器的反射噪声
公交线路。这种装置由一个12位的
高速肖特基二极管阵列适于
钳位到V
CC
和/或GND 。
订购信息
TA
PDIP - N
0 ° C至70℃
SOIC - D
SOP - NS
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
V
CC
D01
D02
D03
D04
D05
D06
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
D12
D11
D10
D09
D08
D07
GND
订购
产品型号
SN74S1051N
SN74S1051D
SN74S1051DR
SN74S1051NSR
SN74S1051PWR
TOP- SIDE
记号
SN74S1051N
S1051
74S1051
S1051
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
原理图
D01
2
D02
3
D03
4
D04
5
D05
6
D06
7
D07
10
D08
11
D09
12
D10
13
D11
14
D12
15
VCC
1
VCC
16
8
GND
9
GND
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
稳态反向电压,V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
连续正向电流,I
F
:任何D从GND或V端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170毫安
, I
重复峰值正向电流
FRM
:从GND或V任何D端子
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
共完成所有GND或V
CC
终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些值适用于TW
100
s,
占空比
20%.
注1 :该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
单二极管操作(见注2 )
参数
到Vcc
VF
静态正向电压
从GND
VFM
IR
Ct
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
到Vcc
从GND
VR = 0V ,
VR = 2V,
测试条件
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 18毫安
IF = 50毫安
IF = 200毫安
VR = 7 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8
4
TYP
0.85
1.05
0.75
0.95
1.45
5
5
16
8
最大
1.05
1.3
0.95
1.2
V
A
pF
V
单位
所有典型值是在VCC = 5V , TA = 25 ℃。
注2 :试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不被测试是开路的测量期间
这些特征。
多个二极管操作
参数
Ix
内部串扰电流
测试条件
总电流IF = 1 A,
总电流IF = 198毫安,
见注3
见注3
TYP
0.8
0.02
最大
2
0.2
单位
mA
所有典型值是在VCC = 5V , TA = 25 ℃。
注3 :九是在以下条件下测得的与一个二极管静态的,所有其他开关:
开关二极管: TW = 100
s,
占空比= 20 %
静态二极管: VR = 5 V
静态二极管输入电流是内部串扰电流,1× 。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1和图2)
参数
TRR
反向恢复时间
如果= 10 mA时,
测试条件
IRM ( REC ) = 10毫安,
IR ( REC )= 1毫安,
RL = 100
典型值
8
最大
16
单位
ns
2
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SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
参数测量信息
50
450
(见注一)
脉冲
发电机
DUT
采样
示波器
(见注B)
90%
输入脉冲
(见注一)
10%
tr
产量
波形
(见注B)
VFM
VF
注:A的输入脉冲由脉冲发生器具有以下特征提供:痕量= 20纳秒,Z0 = 50
,
频率= 500赫兹,
占空比= 1 % 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视:痕量
350 ps的,日= 50
,
Ci
5 pF的。
图1.正向恢复电压
DUT
(见注一)
脉冲
发电机
IF
采样
示波器
(见注B)
tf
10%
输入脉冲
(见注一)
90%
If
0
产量
波形
(见注B) IR ( REC )
TRR
IRM ( REC )
注意: TF = 0.5纳秒,Z0 = 50 : A的输入脉冲是由具有以下特征的脉冲发生器提供
,
tw
50纳秒,
占空比= 1 % 。
B的输出波形是由具有以下特征的示波器监视:痕量
350 ps的,日= 50
,
Ci
5 pF的。
图2.反向恢复时间
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3
SN74S1051
12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
SDLS018B - 1990年9月 - 修订2003年3月
应用信息
在存储器装置( DRAM中,静态存储器, EPROM中,等等)的输入大的负瞬态或在时钟线
许多经计时装置可导致器件的操作不当。该SN74S1051二极管阵列终止
有助于抑制由传输线反射,串扰和开关噪声的负瞬态。
相比于电阻终端方案二极管端接有几个优点。分电阻或
戴维宁等效终端可导致功耗的显着增加。利用单个电阻器的
到地终止线通常会导致输出高电平的劣化,从而降低噪声的免疫力。
串联的阻尼电阻器放置在驱动器的输出降低负瞬变,但它们也可以增加
传播延迟的路线,因为串联电阻减小了驱动装置的输出驱动能力。
二极管端接有没有这些缺点。
二极管阵列在减少负瞬态操作在下面的附图进行说明。二极管
传导电流时的电压达到负的值足够大,以使二极管导通。制止
负的瞬变通过该二极管的电流 - 电压特性曲线跟踪。典型
电流 - 电压曲线的SN74S1051示于图3和图4 。
以说明二极管阵列如何起到减少负瞬态在传输线的端部,所述测试装置
在图5中进行了评价。使用和不使用二极管所产生的波形示于图6中。
发生在二极管阵列在抑制负瞬变的最大效益时,二极管阵列
放在行和/或一个长存根分支的主传输线的端部的端部。二极管也可以
减少的发生是由于在一个行的中间不连续的负的瞬变。这样的一个例子是在一个时隙
提供了一个附加卡的背板。
二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
–100
–90
–80
I
I
- 正向电流 - 毫安
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图3.典型的输入电流与输入电压
(下二极管)
4
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12位肖特基势垒二极管
BUS-终端阵列
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二极管的正向电流
vs
二极管的正向电压
100
90
80
I
I
- 正向电流 - 毫安
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VI - 正向电压 - V
TA = 25°C
图4.典型输入电流与输入电压
(上二极管)
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