Si3447DV
2001年4月
Si3447DV
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-5.5 A， -20 V.
R
DS （ ON）
= 33毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 43毫欧@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 60毫欧@ V
GS
= –1.8 V
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–5.5
–20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.447
设备
Si3447DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si3447DV版本A （ W）
Si3447DV
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –1.8 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V,
I
D
= –5.5 A
I
D
= –4.8 A
I
D
= –4.0 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –3.5 A
–0.4
–0.7
3
24
30
42
–1.5
V
毫伏/°C的
33
43
60
m
I
D（上）
g
FS
–20
23
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1926
530
185
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
13
11
90
45
23
20
144
72
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
19
4
7.5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
（注2 ）
–1.3
–0.7
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极的焊料安装面
销。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a.
b.
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si3447DV版本A （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
Si3447DV
2001年4月
Si3447DV
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-5.5 A， -20 V.
R
DS （ ON）
= 33毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 43毫欧@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 60毫欧@ V
GS
= –1.8 V
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–5.5
–20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.447
设备
Si3447DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si3447DV版本A （ W）
Si3447DV
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –1.8 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V,
I
D
= –5.5 A
I
D
= –4.8 A
I
D
= –4.0 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –3.5 A
–0.4
–0.7
3
24
30
42
–1.5
V
毫伏/°C的
33
43
60
m
I
D（上）
g
FS
–20
23
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1926
530
185
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
13
11
90
45
23
20
144
72
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
19
4
7.5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
（注2 ）
–1.3
–0.7
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极的焊料安装面
销。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a.
b.
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si3447DV版本A （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
QQ：2880707522 复制
