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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1358页 > SMMBT2907ALT1G
MMBT2907AL,
SMMBT2907AL
通用晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
集电极电流
峰值（注3 ）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
价值
60
60
5.0
600
1200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
热特性
特征
器件总功耗
FR- 5局
（注1 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
矾土
基板， （注2 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
散热器
或同等学历， （注4 ） @T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
350
357
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
° C / W
°C
1
2F =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
标记图
2F M
G
G
R
qJA
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3. SOA参考曲线。
4，散热或同等学历= 450毫米
2
， 2盎司
订购信息
设备
MMBT2907ALT1G
SMMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT3G
SMMBT2907ALT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
万/磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
八月， 2013
启示录13
1
出版订单号：
MMBT2907ALT1/D
MMBT2907AL ， SMMBT2907AL
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
=
1.0
MADC ，我
B
= 0)
(I
C
=
10
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压（I
C
=
10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压（I
E
=
10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
=
30
VDC ，V
EB （O FF ）
=
0.5
VDC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
50
VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
=
50
VDC ，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
底座截止电流（V
CE
=
30
VDC ，V
EB （O FF ）
=
0.5
VDC ）
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
0.1
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
150
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
500
MADC ，V
CE
=
10
伏直流电）（注5）
集热器
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
=
150
MADC ，我
B
=
15
MADC ） （注5 ）
(I
C
=
500
MADC ，我
B
=
50
MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
=
150
MADC ，我
B
=
15
MADC ）
(I
C
=
500
MADC ，我
B
=
50
MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积（注5,6 ）
(I
C
=
50
MADC ，V
CE
=
20
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
=
10
VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容（V
EB
=
2.0
VDC ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
=
6.0
VDC ，我
C
=
150
MADC ，
I
B1
= I
B2
=
15
MADC ）
(V
CC
=
30
VDC ，我
C
=
150
MADC ，
I
B1
=
15
MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
200
8.0
30
兆赫
pF
h
FE
75
100
100
100
50
300
VDC
0.4
1.6
VDC
1.3
2.6
V
（ BR ） CEO
60
60
60
5.0
50
0.010
10
50
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
VDC
VDC
NADC
MADC
I
BL
NADC
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
6. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
-16 V
200纳秒
50
1.0 k
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
-30 V
200纳秒
+15 V
-6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
-30 V
200
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
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2
MMBT2907AL ， SMMBT2907AL
典型特征
1000
T
J
= 150°C
的hFE ， DC电流增益
25°C
100
- 55°C
V
CE
= 10 V
10
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
1000
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-1.0
-0.8
I
C
= -1.0毫安
-0.6
-10毫安
-100毫安
-500毫安
-0.4
-0.2
0
-0.005
-0.01
-0.02 -0.03 -0.05 -0.07 -0.1
-0.2
-0.3 -0.5 -0.7 -1.0
I
B
，基极电流（毫安）
-2.0
-3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
I
C
，集电极电流
t
r
500
V
CC
= -30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
t
f
100
70
50
30
20
2.0 V
-200 -300 -500
10
7.0
5.0
-5.0 -7.0 -10
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= -30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
-20 -30
-50 -70 -100
-200 -300 -500
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
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3
MMBT2907AL ， SMMBT2907AL
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= -1.0毫安，R
s
= 430
W
-500
毫安，
R
s
= 560
W
-50
毫安，
R
s
= 2.7千瓦
-100
毫安，
R
s
= 1.6千瓦
R
s
=最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
I
C
= -50
mA
-100
mA
-500
mA
-1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
s
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
C
eb
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.1
C
cb
100
80
60
40
30
20
-1.0 -2.0
V
CE
= -20 V
T
J
= 25°C
-0.2 -0.3 -0.5
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0
-10
-20 -30
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500 -1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
150°C
25°C
55°C
0.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.001
0.01
0.1
1
0.2
图10.电流增益
带宽积
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
150°C
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
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4
图12.基极发射极饱和电压与
集电极电流
MMBT2907AL ， SMMBT2907AL
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
-2.5
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0
150°C
25°C
55°C
系数（MV /
°
C)
V
CE
= 1 V
+0.5
0
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
R
QVB
对于V
BE
-5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13.基极发射极电压与集电极
当前
10
图14.温度系数
10毫秒
1
热限制
IC （ A）
0.1
100毫秒
1s
1毫秒
0.01
单脉冲试验
@ T
A
= 25°C
0.01
0.1
1
V
CE
（ VDC）的
10
100
0.001
图15.安全工作区
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5
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S29CD032G0JQAM010
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S29CD032J0MQFM102
S29GL128N11FAI010
SCAN921226SLC
S1PJ
STM1061N40W6F
S29CD016G0MQAA102
SCI-B1608-68N
SKY12146-321_07
SBLF1030
SN74ALS22B
SA572DTBR2G
SJ-A2929-FREQ
SHD120012
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    SMMBT2907ALT1G
    -
    -
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