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SMG2306A
公司Bauelemente
5 A， 30 V ，R
DS （ ON）
35 mΩ
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
该SMG2306A利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。该SMG2306A普遍适用于所有商业工业
应用程序。
特点
能够2.5V栅极驱动
导通电阻的降低
包装尺寸
A
L
漏
B
顶视图
C
门
来源
F
G
H
K
M
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
E
D（ TYP 。 ）
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
3
,VGS@4.5V
漏电流
3
,VGS@4.5V
漏电流脉冲
1,
功耗
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@Ta=25℃
I
D
@Ta=70℃
I
DM
P
D
@Ta=25℃
TJ ， TSTG
评级
30
±12
5
4
20
1.38
-55 ~ +150
0.01
单位
V
V
A
A
A
W
℃
W/℃
线性降额因子
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
90
单位
℃/W
01月， 2005年修订版B
第1页4
SMG2306A
公司Bauelemente
5 A， 30 V ，R
DS （ ON）
35 mΩ
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
△
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
△
Tj
分钟。
30
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
13
-
-
-
-
-
-
-
8.5
1.5
3.2
6
20
20
3
660
90
70
马克斯。
-
-
1.2
-
±100
1
25
30
35
50
90
15
-
-
-
-
-
-
1050
-
-
单位
V
V/
℃
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25
℃
, I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
GS
= ±12V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
℃
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
℃
)
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
-
-
m
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.6A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=1.0A
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=5A
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=3
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间2
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
14
7
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0
I
S
= 5A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/us
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉冲宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 270 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。
01月， 2005年修订版B
第2页4
SMG2306A
公司Bauelemente
5 A， 30 V ，R
DS （ ON）
35 mΩ
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
01月， 2005年修订版B
第3页4
SMG2306A
公司Bauelemente
5 A， 30 V ，R
DS （ ON）
35 mΩ
N沟道增强模式电源Mos.FET
01月， 2005年修订版B
第4页4
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