【STP40N03L-20N - 沟道增强型“超高密度”功率MOS晶体管初步数据TYPEST P40】,IC型号STP40N03L-20,STP40N03L-20 PDF资料,STP40N03L-20经销商,ic,电子元器件-51电子网

STP40N03L-20

N - 沟道增强型

“超高密度”功率MOS晶体管

初步数据

TYPE

ST P40N03L -20

DSS

30 V

DS （ ON）

＆ LT ; 0.02

40 A

典型

DS （ ON）

= 0.016

雪崩坚固的技术

100％的雪崩测试

高电流能力

175

C的工作温度

DV dt能力高/

面向应用

表征

TO-220

应用

大电流，高开关速度

电动机控制

DC-DC & DC- AC转换器

SYNCRONOUS纠偏

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

()

给T

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 C

漏电流（连续）在T

= 100 C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25

降额因子

的dv / dt （

)

ST克

峰值二极管恢复电压斜率

储存温度

马克斯。工作结温

价值

160

0.6

-65 175

175

单位

W / C

V / ns的

（）脉冲宽度有限的安全工作区

1996年3月

1/7

STP40N03L-20

热数据

吨HJ -CA SE

吨hj- AMB

thc- SI NK

热阻结案件

热阻结到环境

热阻案例散热器

最大导联T emperature焊接用途

最大

典型值

1.66

62.5

0.5

300

C / W

雪崩特性

SYMB OL

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25℃ ，我

= I

, V

= 25 V)

重复性雪崩能量

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

雪崩电流，重复或不重复

= 100℃ ，脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

最大VALU ê

300

单位

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

SYMB OL

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试电导率银行足球比赛s

= 250

= 0

分钟。

250

1000

100

典型值。

马克斯。

取消它

零栅极电压

=最大额定值

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值×0.8牛逼

= 125

门体漏

电流（V

= 0)

15 V

开（ *）

SYMB OL

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

门牛逼hreshold电压V

= V

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

测试电导率银行足球比赛s

= 250

= 100 C

0.019

分钟。

典型值。

1.6

0.016

马克斯。

0.02

0.04

0.023

取消它

= 10V我

= 20 A

= 10V我

= 20 A

= 5V I

= 20 A

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON） MAX

= 10 V

D（ 0：N ）

动态

SYMB OL

()

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试电导率银行足球比赛s

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON） MAX

= 25 V

F = 1 MHz的

= 20 A

= 0

分钟。

典型值。

1800

450

180

2300

580

230

马克斯。

取消它

2/7

STP40N03L-20

电气特性

（续）

接通

SYMB OL

D（上）

（ di / dt的）

参数

开启对T IME

上升时间

导通电流斜率

测试电导率银行足球比赛s

= 15 V

= 10 A

= 5 V

= 4.7

（见测试电路，图3 ）

= 24 V

= 20 A

= 50

= 5 V

（见测试电路，图5 ）

= 24 V

= 20 A

= 5 V

分钟。

典型值。

200

马克斯。

100

取消它

A / μs的

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

关闭

SYMB OL

R（ VOF F）

参数

关闭电压上升时间

秋季牛逼IME

交叉牛逼IME

测试电导率银行足球比赛s

= 24 V I

= 20 A

= 4.7

= 5 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

100

取消它

源漏二极管

SYMB OL

SDM

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

转移O N个电压

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 40 A

= 0

0.12

= 20 A

的di / dt = 100 A / μs的

= 150 C

= 24 V

（见测试电路，图5 ）

测试电导率银行足球比赛s

分钟。

典型值。

马克斯。

160

1.5

取消它

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

(

) I

≤

40 A ， di / dt的

≤

300 A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX

3/7

STP40N03L-20

PSpice的参数

子电路元件

SYMB OL

RDRAIN

RG ATE

CGS

阿尔法

参数

（ V14_16<0 ）（请参阅电源MOSFET模型子电路）

（ V16_11<0 ）（请参阅电源MOSFET模型子电路）

排水电感

门电感

源极电感

漏极电阻

栅极电阻

栅漏电容

栅源电容

漂移Coeficient

负偏压电阻

VALU ê

1.9E

-2

3.92

1.9

-3

-1

单位

漏极二极管GATE （耗尽电容）

SYMB OL

CJO

参数

零偏置的p-n电容

P -N势

P- N G - rading系数

VALU ê

2.7

0.35

0.55

单位

二极管漏源

SYMB OL

CJO

参数

零偏置的p-n电容

P -N势

P- N G - rading系数

运输时间

VALU ê

0.35

0.55

纳秒

单位

MOSFET

SYMB OL

水平

TO X

THETA

VMAX

沟道长度

通道宽度

模型索引

氧化层厚度

零偏压阈值电压

表面移动

移动调制

最大漂移速度

跨导系数

参数

VALU ê

3.25

600

0.005

计

厘米/ VS

-1

米/秒

安培/ V

单位

μMeter

对于瞬态仿真Applicate U.I.C. （使用初始条件）选项

4/7

STP40N03L-20

PSPICE网表支路的

.SUBCKT STP40N03L - 20 1 2 3

*值的PACKAG ê电感

LS 1 11 10N

LG 2 12 10N

LD 3 13 7N

* RESISTA NCE F T何摹于网上

多晶硅

RG 12 16 1

* EPY和DRIF牛逼抗力

RD 13 14 1.9E -02

EDRI 14 15聚（2）（ 13 14）（ 13 11） 0 0 0 0

1e-3

*电容摹因为吃URCE

CGS 16 11 1.90n

* OPT IO NAL FO NEGAT IVE门偏置

* S2 51 11 11 16开关

* CGN 51 16 3.92n

* RGN 51 16 10000

*米勒电容

CGD 16 17 3.92n

* DEPLET ION CAPACIT ANCE

DGD 17 14 DGD

S1 17 14 16 14 SW痒

.MODEL DGD D + IS =

+ CJO = 2.6N

+Vj=.1

+M=.6

.MODEL SWITCH VSW IT CH

+RON=1m

ROF + F = 1MEG

+VON=0.1

*输出电容和续流保护二极管

DBD 11月14日DBD

.MODEL DBD

+TT=20n

+ CJO = 7.8N

+VJ=.1

+M=.6

* MO DEL莫SF ET的

MMAI的N个15 16 11 11 MMAIN L = 1U W = 1U

.MODEL MMAIN NMO S

+LEVEL=3

+TOX=1

+ VTO = 3.25

+uo=600

+THETA=0.005

+VMAX=5e7

+KP=28

.ENDS

功率MOSFET模型子电路

5/7

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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ST/意法

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12300

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全新原装现货，原厂代理。

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25+23+

35500

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联系人：吴

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ST/正品

13+

25800

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ST/意法

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