STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N沟道600V - 1.76Ω - 4A TO- 220 / FP / DPAK / IPAK / D
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP4NK60Z
STP4NK60ZFP
STB4NK60Z
STD4NK60Z
STD4NK60Z-1
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
R
DS （ ON）
<2
<2
<2
<2
<2
I
D
4
4
4
4
4
A
A
A
A
A
Pw
70
25
70
70
70
W
W
W
W
W
TO-220
1
3
典型
DS
（上） = 1.76
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
2
1
D
2
PAK
TO-220FP
3
1
2
1
3
DPAK
IPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STP4NK60Z
STP4NK60ZFP
STB4NK60ZT4
STD4NK60ZT4
STD4NK60Z-1
2002年9月
记号
P4NK60Z
P4NK60ZFP
B4NK60Z
D4NK60Z
D4NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
DPAK
IPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
管
1/15
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP - STB4NK60Z - STD4NK60Z - STD4NK60Z - 1
绝对最大额定值
符号
参数
STP4NK60Z
STB4NK60Z
价值
STP4NK60ZFP
STD4NK60Z
STD4NK60Z-1
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
4
2.5
16
70
0.56
600
600
±
30
4 (*)
2.5 (*)
16 (*)
25
0.2
3000
4.5
2500
-55到150
-55到150
-
4
2.5
16
70
0.56
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
(
l
）脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
(1) I
SD
≤4A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.78
62.5
300
TO-220FP
5
DPAK
IPAK
1.78
100
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
120
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/15
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP - STB4NK60Z - STD4NK60Z - STD4NK60Z - 1
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125
°C
V
GS
=
±
20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2 A
3
3.75
1.76
分钟。
600
1
50
±10
4.5
2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 2 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
3
510
67
13
38.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 4 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
12
9.5
18.8
3.8
9.8
26
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件S
V
DD
= 300 V，I
D
= 2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 4A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
29
16.5
12
12
19.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4 A的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 24V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
136
415
6.1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/15
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP - STB4NK60Z - STD4NK60Z - STD4NK60Z - 1
安全
经营O型220 / DPAK / IPAK / D2PAK
面积t
安全工作区TO- 220FP
热
Impedanceor
F到- 220 / DPAK / IPAK / D2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/15
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP - STB4NK60Z - STD4NK60Z - STD4NK60Z - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/15
STB4NK60Z ， STB4NK60Z -1， STD4NK60Z
STD4NK60Z -1， STP4NK60Z ， STP4NK60ZFP
N沟道600 V ， 1.76
4一个超网功率MOSFET
,
在DPAK ，D
2
PAK ， IPAK ，我
2
PAK ，TO- 220，TO- 220FP
特点
TYPE
STB4NK60Z
STB4NK60Z-1
STD4NK60Z
STD4NK60Z-1
STP4NK60Z
STP4NK60ZFP
■
■
V
DSS
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
最大
<2
<2
<2
<2
<2
<2
P
W
70 W
70 W
70 W
70 W
70 W
25 W
I
D
3
3
2
1
2
3
1
1
4A
4A
4A
4A
4A
4A
TO-220
IPAK
DPAK
3
12
3
1
1
3
2
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
IPAK
图1 。
DPAK
TO-220FP
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道齐纳保护
利用开发的功率MOSFET
意法半导体的超网技术，
通过对ST的优化以及实现
建立带钢为主的PowerMESH 布局。在
除了一个显著降低导通
电阻，该器件被设计，以确保
对于最高层的dv / dt能力
苛刻的应用。
表1中。
设备简介
记号
B4NK60Z
B4NK60Z
D4NK60Z
D4NK60Z
P4NK60Z
P4NK60ZFP
包
DPAK
IPAK
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
管
1/28
www.st.com
28
订购代码
STB4NK60Z
STB4NK60Z-1
STD4NK60Z
STD4NK60Z-1
STP4NK60Z
STP4NK60ZFP
2011年7月
文档编号8882版本7
目录
STB4NK60Zx ， STD4NK60Zx ， STP4NK60Z ， STP4NK60ZFP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
2/28
文档编号8882版本7
STB4NK60Zx ， STD4NK60Zx ， STP4NK60Z ， STP4NK60ZFP
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 - DPAK
DPAK - IPAK - IPAK
600
± 30
4
2.5
16
70
0.56
3000
4.5
-
-55到150
150
2500
4
(1)
2.5
(1)
16
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
最大工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
4 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
T
JMAX 。
表3中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220
DPAK
IPAK
1.78
62.5
DPAK
IPAK
单位
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
100
300
62.5
文档编号8882版本7
3/28
电气额定值
表4 。
符号
I
AR
E
AS
STB4NK60Zx ， STD4NK60Zx ， STP4NK60Z ， STP4NK60ZFP
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
4
120
单位
A
mJ
4/28
文档编号8882版本7
STB4NK60Zx ， STD4NK60Zx ， STP4NK60Z ， STP4NK60ZFP
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2 A
3
3.75
1.76
分钟。
600
1
50
± 10
4.5
2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
r
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 2 A
分钟。
典型值。
3
510
67
13
38.5
12
9.5
29
16.5
12
12
19.5
18.8
3.8
9.8
26
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
输出电容
V =0
反向传输电容
GS
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
V
DD
= 480 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
V
DD
= 480 V，I
D
= 4 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
文档编号8882版本7
5/28
QQ：2881677436 复制
