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SMG2304
2.7A ， 25V ，R
DS （ ON）
117m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
A
L
描述
该SMG2304为设计者提供了最好的
快速切换的组合，低导通电阻
和成本效益。
S
2
3
顶视图
SC-59
暗淡
B
1
民
2.70
1.40
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
0.85
2.40
最大
3.10
1.60
1.30
0.50
2.10
0.10
0.26
0.60
1.15
2.80
A
B
D
G
C
D
C
J
K
特点
*可靠，坚固耐用
*超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
H
漏
门
来源
G
H
J
K
L
S
应用
*在笔记本电脑的电源管理
*的Protable设备
*电池供电系统
G
D
单位：mm外形尺寸
标记： 2304
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V
连续漏电流， V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
25
±20
2.7
2.2
10
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
评级
90
单位
o
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
5
SMG2304
2.7A ， 25V ，R
DS （ ON）
117m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
除非另有规定编）
符号
BV
DSS
分钟。
25
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=±20V
V
DS
=25V,V
GS
=0
V
DS
=25V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
o
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
0.1
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
10
117
190
10
_
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
m
Ω
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
I
D
=2.5A
V
DS
=15V
V
GS
=10V
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
5.9
0.8
2.1
4.5
11.5
12
3
110
85
39
3.4
nC
_
_
_
_
_
_
_
V
DS
=15V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=6
Ω
R
D
=15
Ω
_
_
_
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= 4.5V ，我
D
=2.5A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
1
符号
V
SD
Is
I
SM
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
1
单位
V
测试条件
I
S
= 1.25A ，V
GS
=0,Tj=25
C
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.2V
o
_
_
A
_
10
A
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
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SDT200GK08
SAC45-B
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SR2030C
SM5009CN1S
SCAS15FF
S8382-256S
SEK470M025ST
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型号
厂家
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封装
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