【STS4DPFS2LSP沟道20V - 0.06Ω - 4A SO- 8的STripFET MOS】,IC型号STS4DPFS2LS,STS4DPFS2LS PDF资料,STS4DPFS2LS经销商,ic,电子元器件-51电子网

STS4DPFS2LS

P沟道20V - 0.06Ω - 4A SO- 8

的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器

主要产品特性

MOSFET

DSS

20 V

肖特基

F（ AV ）

DS （ ON）

< 0.07

RRM

40 V

F（ MAX）的

0.44 V

SO-8

描述

该产品相关联的最新的低电压

StripFET在p沟道版本到一个低压降

肖特基二极管。这样的配置是非常ver-

satile实施，种类繁多的DC-DC

转换为打印机，便携式设备和CEL-

细胞性手机。

内部原理图

MOSFET绝对最大额定值

符号

DGR

(

)

合计

(1)

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续的）在T

= 25°C

漏电流（连续的）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

单脉冲雪崩能量

价值

± 20

3.4

单位

肖特基绝对最大额定值

符号

RRM

F（ RMS ）

F（ AV ）

FSM

RRM

dv / dt的

参数

反向重复峰值电压

RMS正向电流

平均正向电流

浪涌不重复正向电流

反向重复峰值电流

关键的增长速度反向电压

TL = 120C

= 0.5

TP = 10毫秒

正弦

TP = 2

F = 1千赫

价值

10000

单位

V / μs的

（）脉冲宽度有限的安全工作区

（ 1 ）起始物为

= 25 ° C，I

= 2.5 A，V

= 20 V

注：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性

和电流具有被逆转

2001年2月

1/8

STS4DPFS2LS

热数据

Rthj - AMB

英镑

（ * ）热阻结到环境的MOSFET

（ * ）热阻结到环境肖特基

存储温度范围

结温

（ * ）安装在FR- 4电路板（稳态）

62.5

100

-55到150

150

° C / W

°C

MOSFET电气特性

（ TCASE = 25°C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，T

= 125 °C

= ± 20 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

为ON（1 ）

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

测试条件

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

= 2.5 A

= 4.5V ，我

= 2.5 A

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值，

= 10V

分钟。

典型值。

1.6

0.06

0.07

马克斯。

2.5

0.07

0.085

单位

动态

符号

(1)

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值，

= 2 A

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

1350

490

130

马克斯。

单位

2/8

STS4DPFS2LS

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15V ，我

= 3A

= 4.7

= 10V

（见测试电路，图3 ）

= 24V ，我

= 6A,

= 4.5 V

分钟。

典型值。

12.5

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

R（ Voff时）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 15 V，I

= 2A,

= 4.7, V

= 4.5 V

（见测试电路，图3 ）

钳

= 24 V，I

= 6 A,

= 4.7, V

= 4.5 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

125

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 4 A，V

= 0

= 4 A的di / dt = 100A / μs的，

= 15 V ，T

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

1.6

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

SCHOTTCKY静态ELETTRICAL特性

符号

(*)

参数

相反的漏电流

正向电压降

测试条件

= 25 ° C，V

= 30 V

= 125°C ，V

= 30 V

25℃下，我

= 1 A

125 ° C，I

= 1 A

25℃下，我

= 2 A

125 ° C，I

= 2 A

25℃下，我

= 3 A

125 ° C，I

= 3 A

分钟。

典型值。

0.37

0.28

0.41

0.34

0.4

马克斯。

0.42

0.32

0.46

0.39

0.5

0.44

单位

3/8

STS4DPFS2LS

安全工作区

热阻抗

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

4/8

STS4DPFS2LS

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

归栅极阈值电压随温度。

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/8

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