SLD234VL
折射率波导大功率的AlGaAs激光二极管
描述
该SLD234VL是一款高功率指标引导下的AlGaAs
激光二极管。
特点
高功率
低功耗
低度散光
小型封装（ φ5.6mm ）
应用
拾音器光盘
结构
铝镓砷量子阱结构的激光二极管
pin光电二极管用于光功率输出显示器
推荐工作光功率输出
50mW
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
光输出功率P
O
50
80
M-260
反向电压
V
R
LD
PD
2
15
-10至+60
-40至+85
毫瓦（ CW ）
毫瓦（脉冲）
对为1μs以下的脉冲周期
的50 ％或更少的税
V
V
°C
°C
引脚配置
工作温度Topr
保存温度Tstg
接线图
3
常见
PD
2
1
LD
2
1
3
1. LD阳极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E97941A99-PS
高功率激光二极管
实现高倍速CD - R刻录
SLD234VL
在光盘领域，包括CD ， MD ，现在DVD为好，
索尼将继续引领行业。
激光二极管是在光盘系统中的关键设备，并
索尼将继续为客户提供最先进的技术在这
面积为好。
现在，索尼已经开发出一种新型高功率激光二极管，用于CD-R
记录时，以需求为大容量的增加的面积的COM
计算机数据存储介质。
该SLD234VL达到60毫瓦的CW的高功率水平
（连续波）模式和80毫瓦脉冲模式，因此品牌
4倍速的CD-R记录的可能性。
s
s
s
s
真正的索引指南激光
高功率：
60毫瓦CW ， 80毫瓦脉冲
低工作电流：
IOP = 70 mA的50毫瓦的CW （IOP = 100
mA的80毫瓦脉冲模式）
高可靠性
以下几点必须consid-
ERED同时实现高功率和
高可靠性的激光二极管。
·降低的光的密度在
点的光被发射，以防止
在激光熔化的晶体的
通过所发射的光二极管本身。
·提高的效率与
所提供的电流转换为
LIGHT 。
·抑制内的光的吸收
的半导体材料。
我们通过描述的结构
下面，这使得可以通过
索尼的最高级MOCVD结晶
生长技术，使nanom-
ETER顺序（一纳米等于十亿分之一
一米）的精细控制，并取得了
兼具高功率和高可靠性。
多量子阱
结构
的多量子阱（MQW）结构
采用在活性层中的
SLD234VL 。该技术获得
通过使所述层的量子效应
有助于活性层的光学
排放极薄，具有厚
约10nm nesses ，因而
实现更有效的光学
转换。此外，光学外壳是
通过减小的厚度抑制
整个有源层区域，
这降低了光密度在
发射点。
V
O
I
C
E
关键的一点为这个设备是
达到尽可能高的
电源同时还保证了可靠性
性。因此，虽然在方向
我们应该继续进行
自然的限制，从这些
我们确定其中的可能性
方面基于当前为瞄准
需求和成本，并通过
引进新技术
好了，到了该产品
这里描述。我觉得这个设备
也可以应用到高速
记录在其它光盘的
以及CD -R上。我希望你会
考虑一下这款产品为您
其他应用程序。
从技这种浓度导致
术。该器件实现了
工作电流为70毫安， IOP ，在50
毫瓦CW和100 mA的80毫瓦脉冲，
和展品没有晶体熔化，即使在
150毫瓦脉冲模式。 （参见图
2-1 。 ）的FFP （远场模式）是8.8
度（典型的），用于在所述有源层
水平方向（ θ
） ，并且是22
度（典型的），用于在所述有源层
垂直方向（ θ⊥ ） 。 （参见图
2-2 ）。另外，振动波长
是784纳米（典型值） ，它匹配了
对CD-R光盘的灵敏度。 （参见图
2-3。 ）此外，该装置具有超
lative热特性，并且，如
如图3所示，可在以上操作
100毫瓦脉冲模式，即使在80℃下进行。
在可靠性测试中，没有降解
1000小时后的80毫瓦脉冲见过
在75℃操作模式，并且因此这
设备提供了超过足够的
可靠性对于实际应用。 （见
图4 ）
索尼将继续努力发展
设备具有更高的功率。
真正的索引结构指南
一个真正的指数导轨结构，其中有
最小内部吸收被用作
激光二极管内部光
波导。 （见图1 ） Improve-
ments于晶体生长和fabri-
与一开始阳离子流程
这种结构的分析产生了一个
在内部吸收减少60 ％
比旋光其它部分
部分相比，较早索尼
SLD203BVL 。图2示出了
在SLD234VL的特点而
150
脉冲
对砷化镓
正的AlGaAs
（低吸收层）
P-的AlGaAs
活性层
正的AlGaAs
功率[毫瓦]
100
CW
50
GaAs衬底
0
0
100
电流[mA ]
200
s
图1 SLD234VL芯片结构（实际索引结构）
s
图2-1 SLD234VL I-L特性
水平方向
垂直方向
强度
强度
-45
-30
-15
0
15
°角]
30
45
775
780
785
波长[nm]的
790
795
s
图2-2 SLD234VL远场模式
s
图2-3 SLD234VL谱
I-L （脉冲）
120
20°C
80°C
150
80
功率[毫瓦]
TC = 75℃ ， PO = 80mW的（脉冲宽度为600ns ，占空比50 ％ ）
200
100
IOP [马]
60
100
40
50
20
0
0
50
100
电流[mA ]
150
200
0
0
200
400
600
运行时间[ H]
800
1000
s
图3 SLD234VL温度特性
s
图4 SLD234VL可靠性特性
高功率激光二极管
实现高倍速CD - R刻录
SLD234VL
在光盘领域，包括CD ， MD ，现在DVD为好，
索尼将继续引领行业。
激光二极管是在光盘系统中的关键设备，并
索尼将继续为客户提供最先进的技术在这
面积为好。
现在，索尼已经开发出一种新型高功率激光二极管，用于CD-R
记录时，以需求为大容量的增加的面积的COM
计算机数据存储介质。
该SLD234VL达到60毫瓦的CW的高功率水平
（连续波）模式和80毫瓦脉冲模式，因此品牌
4倍速的CD-R记录的可能性。
s
s
s
s
真正的索引指南激光
高功率：
60毫瓦CW ， 80毫瓦脉冲
低工作电流：
IOP = 70 mA的50毫瓦的CW （IOP = 100
mA的80毫瓦脉冲模式）
高可靠性
以下几点必须consid-
ERED同时实现高功率和
高可靠性的激光二极管。
·降低的光的密度在
点的光被发射，以防止
在激光熔化的晶体的
通过所发射的光二极管本身。
·提高的效率与
所提供的电流转换为
LIGHT 。
·抑制内的光的吸收
的半导体材料。
我们通过描述的结构
下面，这使得可以通过
索尼的最高级MOCVD结晶
生长技术，使nanom-
ETER顺序（一纳米等于十亿分之一
一米）的精细控制，并取得了
兼具高功率和高可靠性。
多量子阱
结构
的多量子阱（MQW）结构
采用在活性层中的
SLD234VL 。该技术获得
通过使所述层的量子效应
有助于活性层的光学
排放极薄，具有厚
约10nm nesses ，因而
实现更有效的光学
转换。此外，光学外壳是
通过减小的厚度抑制
整个有源层区域，
这降低了光密度在
发射点。
V
O
I
C
E
关键的一点为这个设备是
达到尽可能高的
电源同时还保证了可靠性
性。因此，虽然在方向
我们应该继续进行
自然的限制，从这些
我们确定其中的可能性
方面基于当前为瞄准
需求和成本，并通过
引进新技术
好了，到了该产品
这里描述。我觉得这个设备
也可以应用到高速
记录在其它光盘的
以及CD -R上。我希望你会
考虑一下这款产品为您
其他应用程序。
从技这种浓度导致
术。该器件实现了
工作电流为70毫安， IOP ，在50
毫瓦CW和100 mA的80毫瓦脉冲，
和展品没有晶体熔化，即使在
150毫瓦脉冲模式。 （参见图
2-1 。 ）的FFP （远场模式）是8.8
度（典型的），用于在所述有源层
水平方向（ θ
） ，并且是22
度（典型的），用于在所述有源层
垂直方向（ θ⊥ ） 。 （参见图
2-2 ）。另外，振动波长
是784纳米（典型值） ，它匹配了
对CD-R光盘的灵敏度。 （参见图
2-3。 ）此外，该装置具有超
lative热特性，并且，如
如图3所示，可在以上操作
100毫瓦脉冲模式，即使在80℃下进行。
在可靠性测试中，没有降解
1000小时后的80毫瓦脉冲见过
在75℃操作模式，并且因此这
设备提供了超过足够的
可靠性对于实际应用。 （见
图4 ）
索尼将继续努力发展
设备具有更高的功率。
真正的索引结构指南
一个真正的指数导轨结构，其中有
最小内部吸收被用作
激光二极管内部光
波导。 （见图1 ） Improve-
ments于晶体生长和fabri-
与一开始阳离子流程
这种结构的分析产生了一个
在内部吸收减少60 ％
比旋光其它部分
部分相比，较早索尼
SLD203BVL 。图2示出了
在SLD234VL的特点而
150
脉冲
对砷化镓
正的AlGaAs
（低吸收层）
P-的AlGaAs
活性层
正的AlGaAs
功率[毫瓦]
100
CW
50
GaAs衬底
0
0
100
电流[mA ]
200
s
图1 SLD234VL芯片结构（实际索引结构）
s
图2-1 SLD234VL I-L特性
水平方向
垂直方向
强度
强度
-45
-30
-15
0
15
°角]
30
45
775
780
785
波长[nm]的
790
795
s
图2-2 SLD234VL远场模式
s
图2-3 SLD234VL谱
I-L （脉冲）
120
20°C
80°C
150
80
功率[毫瓦]
TC = 75℃ ， PO = 80mW的（脉冲宽度为600ns ，占空比50 ％ ）
200
100
IOP [马]
60
100
40
50
20
0
0
50
100
电流[mA ]
150
200
0
0
200
400
600
运行时间[ H]
800
1000
s
图3 SLD234VL温度特性
s
图4 SLD234VL可靠性特性
QQ：2881677436 复制
