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STB40NF10L
N沟道100V - 0.028Ω - 40A D2PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB40NF10L
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
< 0.033
I
D
40 A
s
典型
DS
(上) = 0.028Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带&
REEL
3
1
D2PAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此,适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
s
汽车
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
100
±
15
40
25
160
150
1
430
-65 175
175
( 1 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 20A ,V
DD
= 40V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
°C
(
q
)脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
2001年4月
1/9
STB40NF10L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
( TCASE = 25
°C
除非另有规定编)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125
°C
V
GS
=
±
15V
分钟。
100
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 20 A
V
GS
= 5V ,我
D
= 20 A
分钟。
1
典型值。
1.7
0.028
0.030
马克斯。
2.5
0.033
0.036
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 20 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
25
2300
290
125
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STB40NF10L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 80V ,我
D
=40A,V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
25
82
46
12
22
64
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
t
D(关闭)
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
VCLAMP = 80V ,我
D
= 40 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
64
24
51
29
53
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40 A,V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 30V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
110
467
8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STB40NF10L
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STB40NF10L
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归漏源击穿VS
温度
5/9
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STB40NF10LT4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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STMicroelectronics
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27230
D2PAK-3 (TO-263-3)
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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联系人:朱咸华
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ST
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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ST(意法)
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D2PAK
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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