STB40NF10L
N沟道100V - 0.028Ω - 40A D2PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB40NF10L
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
< 0.033
I
D
40 A
s
典型
DS
(上) = 0.028Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带&
REEL
3
1
D2PAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此,适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
s
汽车
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
100
±
15
40
25
160
150
1
430
-65 175
175
( 1 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 20A ,V
DD
= 40V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
°C
(
q
)脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
2001年4月
1/9
STB40NF10L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 80V ,我
D
=40A,V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
25
82
46
12
22
64
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
t
D(关闭)
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
VCLAMP = 80V ,我
D
= 40 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
64
24
51
29
53
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40 A,V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 30V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
110
467
8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9