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Si9110 ， Si9111
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
描述
该Si9110 / 9111顷BIC / DMOS集成电路
设计用作高性能的开关模式
控制器。高电压DMOS输入允许控制器
工作在很宽的输入电压范围（ 10120伏直流） 。
电流模式PWM控制电路中实现的
CMOS降低内部功耗小于
10毫瓦。
推挽输出驱动器提供高速交换的
MOSPOWER装置足够大，以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中， Si9110 / 9111可用于实现
单端电源转换器拓扑结构（例如，反激式，
前进， CUK ） 。
该Si9110 / 9111顷提供标准和铅
铅（Pb ） - 免费14引脚塑料DIP和SOIC封装这是
指定工作在工业温度范围
- 40 ° C至85°C 。
特点
10 V至120 V输入范围
电流模式控制
高速，源库输出驱动
高效率的操作（大于80％）的
内部的启动电路
内部振荡器（ 1兆赫）
关机和重设
参考选择
Si9110 - ±1％
Si9111 - ± 10％的
功能框图
FB
14
13
COMP
放电
9
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
错误
扩音器
10
OSC
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
-
+
4V
2V
REF
根
To
V
CC
V
REF
-
+
电流模式
比较
4
R
Q
S
5
产量
-
V
IN
+
-
1
BIAS
6
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
3
V
CC
SENSE
V
CC
+V
IN
2
-
8.1 V
+
欠压
比较
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
-
+
8.6 V
预调节器/启动
文档编号： 70004
S11-0975 -REV 。我， 16日， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si9110 ， Si9111
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
电压参考 - V
IN
（注： V
CC
＆ LT ; + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
+V
IN
逻辑输入（复位，关机， OSC IN， OUT OSC ）
线性输入（反馈感， BIAS ，V
REF
)
HV预稳压器输入电流（连续）
储存温度
工作温度
结温（T
J
)
功率耗散（包）
a
热阻抗（ θ
JA
)
14引脚塑料DIP （J后缀）
b
14引脚SOIC （Y后缀）
c
14引脚塑料DIP
14引脚SOIC
极限
15
120
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
5
- 65 150
- 40-85
150
750
900
167
140
单位
V
mA
°C
mW
° C / W
注意事项：
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.2毫瓦/°C， 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参数
电压参考 - V
IN
V
CC
+ V
IN
f
OSC
R
OSC
线性输入
数字输入
极限
9.5-13.5
10至120
40 kHzto 1兆赫
25 kto 1 M
0到V
CC
- 3
0到V
CC
单位
V
V
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390 k ，R
OSC
= 330 k
Si9110
Si9111
Si9110
Si9111
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
b
房间
房间
满
满
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
满
分钟。
d
3.92
3.60
3.86
3.52
15
70
30
100
0.5
3
100
200
10
200
典型值。
c
4.0
4.0
马克斯。
d
4.08
4.40
4.14
4.46
45
130
1.0
k
A
毫伏/°C的
兆赫
120
240
15
500
千赫
%
PPM /°C的
V
参数
参考
符号
单位
输出电压
V
R
OSC IN = - V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10 M
产量
短路电流
温度稳定性
e
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度
系数
e
阻抗
e
Z
OUT
I
SREF
T
REF
f
最大
f
OSC
f/f
T
OSC
V
REF
= - V
IN
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K，见备注：F
R
OSC
= 150 K，见备注：F
f/f
= F（ 13.5 Ⅴ） - F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
1
80
160
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2
文档编号： 70004
S11-0975 -REV 。我， 16日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si9110 ， Si9111
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390 k ，R
OSC
= 330 k
FB绑COMP
OSC IN = - V
IN
（ OSC禁用）
OSC IN = - V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN = - V
IN
（ OSC已禁用）
源（V
FB
= 3.4 V)
水槽（V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
V
CC
13.5 V
V
FB
= 0
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
I
IN
= 10 A
V
CC
9.4 V
脉冲宽度
300微秒，V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 10 A
Si9110
Si9111
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
b
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
负载
75 PF（引脚4 ）
房间
房间
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
= - V
IN
，参见图2
见图3
房间
房间
房间
见图3
房间
房间
房间
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
I
OUT
= - 10毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
- 35
9.7
9.5
0.30
0.50
30
50
75
75
8.0
1
- 25
5
50
50
25
2.0
V
A
ns
8
7.8
7.0
0.3
0.45
10
15
8.6
8.1
0.6
0.6
15
50
1.0
20
100
mA
A
9.4
8.9
V
120
10
0.12
50
1.0
60
1
分钟。
d
3.96
3.60
典型值。
c
4.00
4.00
25
± 15
80
1.3
1000
- 2.0
0.15
70
1.2
100
1.4
150
2000
- 1.4
马克斯。
d
4.04
4.40
500
± 40
单位
参数
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
- V
UVLO
供应
电源电流
偏置电流
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
e
符号
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
V
来源
t
d
+ V
IN
+ I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
V
nA
mV
dB
兆赫
mA
dB
V
ns
V
A
mA
V
ns
C
L
= 500 pF的
t
f
房间
下降时间
e
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。
杂散
引脚8 =
5 pF的。
文档编号： 70004
S11-0975 -REV 。我， 16日， 11
20
25
40
40
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3
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Si9110 ， Si9111
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时序波形
1.5 V -
SENSE
0
V
CC
产量
0
-
50 %
t
d
t
r
≤
10纳秒
V
CC
关闭
0 -
50 %
t
SD
t
f
≤
10纳秒
90 %
V
CC
产量
0
-
90 %
图1 。
图2中。
t
SW
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50 %
50 %
t
RW
50 %
50 %
50 %
t
LW
t
r
, t
f
≤
10纳秒
-
-
网络连接gure 3 。
典型特征
140
V
CC
= - V
IN
120
100
+ V中（V）的
80
60
40
20
0
10
15
+I
IN
（MA ）
20
F OUT （赫兹）
1M
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
(Ω)
1M
图4. + V
IN
与+ I
IN
在启动时
图5.输出开关频率
与电阻振荡器
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4
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引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
- V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9110DY
Si9110DY-T1
Si9110DY-T1-E3
Si9111DY
Si9111DY-T1
Si9111DY-T1-E3
Si9110DJ
Si9110DJ-E3
Si9111DJ
Si9111DJ-E3
PDIP-14
- 40 ° C至85°C
SOIC-14
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9110的低静态电流的要求/
9111的控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部调节
低压电源，或从一个辅助＆ QUOT ;自举＆ QUOT ;曲折
在输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（ 2脚）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚6） 。这
启动电路提供初始功率给IC通过充电
连接至V的外部旁路电容
CC
引脚。
恒流被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果
V
CC
不强制超过8.6 V阈值，则V
CC
将
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（UV）锁定电路
一直禁止输出驱动器，直到V
CC
超过
欠压锁定阈值（通常为8.1 V） 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将至少有300 mV的少
比预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V被最小化
CC
使得该恒定电流源总是无效。
注意：
在启动期间或者当V
CC
低于8.6伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC （高水平的功耗为48 V
输入，大约1瓦） 。造成过多的启动时间
由V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图6给出了典型的预调节器的电流在
BIC / DMOS作为输入电压的函数。
BIAS
要正确设置偏置的Si9110 / 9111 ，一个390 k
电阻应该从BIAS （引脚1）被捆绑 - V
IN
（引脚5） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
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5
部分和所述上拉电流的SHUDOWN和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15 μA 。
参考科
该Si9110的参考部分包含了
温度补偿埋齐纳和微调
分压网络。基准单元的输出是
内部连接到错误的非反相输入
放大器。标称基准输出电压为4伏。
是，用于对Si9110微调过程所带来的
误差放大器的输出（被配置为单位增益
在修剪）内的4 V. ± 1 ％，这可以补偿
在误差放大器的输入偏置电压。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高，使得一个低阻抗的外部
电压源可以被用于覆盖内部电压
源，如果需要的话，而无需从其他改变
该装置的性能。
应用其中使用一个单独的外部参考，如
非隔离转换器拓扑结构和电路用人
在反馈回路中的光耦合，不需要
修剪参考电压精度达1％ 。该Si9111
容纳这些应用中的一个的要求
较低的成本，通过使基准电压修剪。该
因此，提供了10％的准确的参考足以
建立一个直流偏置点的误差放大器。
误差放大器器
闭环调节是由误差放大器提供
这是用于与＆ QUOT使用;二十四放大器＆ QUOT ;
补偿。的MOS差分输入级提供
低输入电流。同相输入到误差放大器
(V
REF
）在内部连接到基准电压源的输出
供应，并应具有小的电容被旁路
地面上。
本文如有更改，恕不另行通知。
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Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
D
D
D
10至120 V输入范围
电流模式控制
高速，源库输出驱动
高效率的操作（ > 80％）
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
D
参考选择
Si9110
"1%
Si9111
"10%
描述
该Si9110 / 9111顷设计BIC / DMOS集成电路
用作高性能的开关模式控制器。一
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10到120伏直流电） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
内部功耗小于10毫瓦。
推挽输出驱动器提供高速交换的
MOSPOWER装置足够大，以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中， Si9110 / 9111可用于实现
单端电源转换器拓扑结构（例如，反激式，
前进， CUK ） 。
该Si9110 / 9111顷可在一个标准的14引脚塑料DIP
与标准或无铅（Pb ） - 免费SOIC封装，并
规定工作在工业，D后缀（ -40至+85 C ）
温度范围。
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
放电
13
9
错误
扩音器
10
+
4V
REF
根
2V
+
+
BIAS
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
OSC
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
电流模式
比较
R
Q
S
4
5
产量
V
IN
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.6 V
+
欠压
比较
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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1
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
逻辑输入（ RESET ，
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC （Y后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
Si9110
输出电压
V
R
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
Si9111
Si9110
Si9111
产量
阻抗
e
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
短路电流
温度稳定性
e
房间
房间
满
满
房间
房间
满
3.92
3.60
3.86
3.52
15
70
30
100
0.50
4.0
4.0
4.08
4.40
4.14
4.46
45
130
1.0
kW
mA
毫伏/°C的
V
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K，见备注：F
R
OSC
= 150 K，见备注：F
Df/f=f(13.5
V)
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压
收益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源（V
FB
= 3.4 V)
水槽（V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
Si9110
Si9111
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.96
3.60
4.00
4.00
25
"15
80
1.3
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
4.40
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
2
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
脉冲宽度
v
300
女士，
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
8.6
8.1
0.6
9.4
8.9
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
负载
< 75 PF（引脚4 ）
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
V
IN
，参见图2
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8
1
25
5
50
50
25
2.0
V
ns
50
100
mA
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
20
25
40
40
9.7
9.5
0.30
0.50
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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3
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
SENSE
0
V
CC
产量
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中（V）的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
1M
V
CC
=
V
IN
输出开关频率对比
振荡电阻
F OUT （赫兹）
15
+I
IN
（MA ）
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
(W)
1M
图4中。
图5中。
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4
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9110DY
Si9110DY-T1
Si9110DY-T1—E3
Si9111DY
Si9111DY-T1
Si9111DY-T1—E3
Si9110DJ
Si9110DJ-T1
Si9111DJ
Si9111DJ-T1
PDIP-14
PDIP 14
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于在低静态电流的要求
Si9110 / 9111控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部
低稳压电源，或从辅助“引导”
绕组上的输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（ 2脚）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚6） 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
恒定电流被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
控制逻辑将正常和有足够的
栅极驱动电压可在MOSFET导通之前。
该集成电路的设计是这样的，欠压锁定
阈值将是至少300毫伏小于预调节
关断电压。功耗可以降到最低
提供外部电源到V
CC
使得
恒流源总是被禁用。
注意：
在启动期间或者当V
CC
低于8.6伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC （高水平的功耗为48 -V
输入，大约1瓦） 。过多造成启动时间
在V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图6给出了典型的预调节器的电流在
BIC / DMOS作为输入电压的函数。
BIAS
要正确设置偏置的Si9110 / 9111 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚1）绑
V
IN
（引脚5） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的SHUDOWN和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9110的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9110带来的误差放大器的输出（它是
修剪时配置为单位增益）内
"1%
4 V.
这补偿了在误差放大器的输入偏置电压。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高，使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源，如果
需要的话，而无需从其他改变装置的性能。
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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5
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
D
D
D
10至120 V输入范围
电流模式控制
高速，源库输出驱动
高效率的操作（ > 80％）
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
D
参考选择
Si9110
"1%
Si9111
"10%
描述
该Si9110 / 9111顷设计BIC / DMOS集成电路
用作高性能的开关模式控制器。一
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10到120伏直流电） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
内部功耗小于10毫瓦。
推挽输出驱动器提供高速交换的
MOSPOWER装置足够大，以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中， Si9110 / 9111可用于实现
单端电源转换器拓扑结构（例如，反激式，
前进， CUK ） 。
该Si9110 / 9111顷可在一个标准的14引脚塑料DIP
与标准或无铅（Pb ） - 免费SOIC封装，并
规定工作在工业，D后缀（ -40至+85 C ）
温度范围。
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
放电
13
9
错误
扩音器
10
+
4V
REF
根
2V
+
+
BIAS
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
OSC
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
电流模式
比较
R
Q
S
4
5
产量
V
IN
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.6 V
+
欠压
比较
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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1
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
逻辑输入（ RESET ，
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC （Y后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
Si9110
输出电压
V
R
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
Si9111
Si9110
Si9111
产量
阻抗
e
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
短路电流
温度稳定性
e
房间
房间
满
满
房间
房间
满
3.92
3.60
3.86
3.52
15
70
30
100
0.50
4.0
4.0
4.08
4.40
4.14
4.46
45
130
1.0
kW
mA
毫伏/°C的
V
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K，见备注：F
R
OSC
= 150 K，见备注：F
Df/f=f(13.5
V)
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压
收益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源（V
FB
= 3.4 V)
水槽（V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
Si9110
Si9111
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.96
3.60
4.00
4.00
25
"15
80
1.3
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
4.40
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
2
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
脉冲宽度
v
300
女士，
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
8.6
8.1
0.6
9.4
8.9
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
负载
< 75 PF（引脚4 ）
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
V
IN
，参见图2
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8
1
25
5
50
50
25
2.0
V
ns
50
100
mA
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
20
25
40
40
9.7
9.5
0.30
0.50
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
SENSE
0
V
CC
产量
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中（V）的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
1M
V
CC
=
V
IN
输出开关频率对比
振荡电阻
F OUT （赫兹）
15
+I
IN
（MA ）
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
(W)
1M
图4中。
图5中。
www.vishay.com
4
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9110DY
Si9110DY-T1
Si9110DY-T1—E3
Si9111DY
Si9111DY-T1
Si9111DY-T1—E3
Si9110DJ
Si9110DJ-T1
Si9111DJ
Si9111DJ-T1
PDIP-14
PDIP 14
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于在低静态电流的要求
Si9110 / 9111控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部
低稳压电源，或从辅助“引导”
绕组上的输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（ 2脚）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚6） 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
恒定电流被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
控制逻辑将正常和有足够的
栅极驱动电压可在MOSFET导通之前。
该集成电路的设计是这样的，欠压锁定
阈值将是至少300毫伏小于预调节
关断电压。功耗可以降到最低
提供外部电源到V
CC
使得
恒流源总是被禁用。
注意：
在启动期间或者当V
CC
低于8.6伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC （高水平的功耗为48 -V
输入，大约1瓦） 。过多造成启动时间
在V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图6给出了典型的预调节器的电流在
BIC / DMOS作为输入电压的函数。
BIAS
要正确设置偏置的Si9110 / 9111 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚1）绑
V
IN
（引脚5） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的SHUDOWN和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9110的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9110带来的误差放大器的输出（它是
修剪时配置为单位增益）内
"1%
4 V.
这补偿了在误差放大器的输入偏置电压。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高，使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源，如果
需要的话，而无需从其他改变装置的性能。
文档编号： 70004
S- 40751 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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5
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
D
D
D
10至120 V输入范围
电流模式控制
高速，源库输出驱动
高效率的操作（ > 80％）
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
D
参考选择
Si9110
"1%
Si9111
"10%
描述
该Si9110 / 9111顷设计BIC / DMOS集成电路
用作高性能的开关模式控制器。一
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10到120伏直流电） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
内部功耗小于10毫瓦。
推挽输出驱动器提供高速交换的
MOSPOWER装置足够大，以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中， Si9110 / 9111可用于实现
单端电源转换器拓扑结构（例如，反激式，
前进， CUK ） 。
该Si9110 / 9111顷提供了标准的和
铅（Pb ） - 免费14引脚塑料DIP和SOIC封装哪些
被指定为工作在工业级温度范围
of
40
_C
85
_C.
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
放电
13
9
错误
扩音器
10
+
4V
REF
根
2V
+
+
BIAS
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
OSC
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
电流模式
比较
R
Q
S
4
5
产量
V
IN
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.6 V
+
欠压
比较
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
文档编号： 70004
S- 42037 -REV 。 H， 15月， 04
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1
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
逻辑输入（ RESET ，
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC （Y后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
Si9110
输出电压
V
R
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
Si9111
Si9110
Si9111
产量
阻抗
e
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
短路电流
温度稳定性
e
房间
房间
满
满
房间
房间
满
3.92
3.60
3.86
3.52
15
70
30
100
0.50
4.0
4.0
4.08
4.40
4.14
4.46
45
130
1.0
kW
mA
毫伏/°C的
V
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K，见备注：F
R
OSC
= 150 K，见备注：F
Df/f=f(13.5
V)
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压
收益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源（V
FB
= 3.4 V)
水槽（V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
Si9110
Si9111
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.96
3.60
4.00
4.00
25
"15
80
1.3
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
4.40
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
文档编号： 70004
S- 42037 -REV 。 H， 15月， 04
2
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
脉冲宽度
v
300
女士，
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
8.6
8.1
0.6
9.4
8.9
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
负载
< 75 PF（引脚4 ）
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
V
IN
，参见图2
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8
1
25
5
50
50
25
2.0
V
ns
50
100
mA
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
20
25
40
40
9.7
9.5
0.30
0.50
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
文档编号： 70004
S- 42037 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
3
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
SENSE
0
V
CC
产量
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中（V）的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
1M
V
CC
=
V
IN
输出开关频率对比
振荡电阻
F OUT （赫兹）
15
+I
IN
（MA ）
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
(W)
1M
图4中。
图5中。
www.vishay.com
4
文档编号： 70004
S- 42037 -REV 。 H， 15月， 04
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9110DY
Si9110DY-T1
Si9110DY-T1—E3
Si9111DY
Si9111DY-T1
Si9111DY-T1—E3
Si9110DJ
Si9110DJ-—E3
Si9111DJ
Si9111DJ-—E3
PDIP-14
PDIP 14
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于在低静态电流的要求
Si9110 / 9111控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部
低稳压电源，或从辅助“引导”
绕组上的输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（ 2脚）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚6） 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
恒定电流被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
控制逻辑将正常和有足够的
栅极驱动电压可在MOSFET导通之前。
该集成电路的设计是这样的，欠压锁定
阈值将是至少300毫伏小于预调节
关断电压。功耗可以降到最低
提供外部电源到V
CC
使得
恒流源总是被禁用。
注意：
在启动期间或者当V
CC
低于8.6伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC （高水平的功耗为48 -V
输入，大约1瓦） 。过多造成启动时间
在V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图6给出了典型的预调节器的电流在
BIC / DMOS作为输入电压的函数。
BIAS
要正确设置偏置的Si9110 / 9111 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚1）绑
V
IN
（引脚5） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的SHUDOWN和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9110的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9110带来的误差放大器的输出（它是
修剪时配置为单位增益）内
"1%
4 V.
这补偿了在误差放大器的输入偏置电压。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高，使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源，如果
需要的话，而无需从其他改变装置的性能。
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S- 42037 -REV 。 H， 15月， 04
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5
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
D
D
D
10至120 V输入范围
电流模式控制
高速，源库输出驱动
高效率的操作（ > 80％）
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
D
参考选择
Si9110
"1%
Si9111
"10%
描述
该Si9110 / 9111顷设计BIC / DMOS集成电路
用作高性能的开关模式控制器。一
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10到120伏直流电） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
内部功耗小于10毫瓦。
推挽输出驱动器提供高速交换的
MOSPOWER装置足够大，以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中， Si9110 / 9111可用于实现
单端电源转换器拓扑结构（例如，反激式，
前进， CUK ） 。
该Si9110 / 9111顷提供了标准的和
铅（Pb ） - 免费14引脚塑料DIP和SOIC封装哪些
被指定为工作在工业级温度范围
of
40
_C
85
_C.
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
放电
13
9
错误
扩音器
10
+
4V
REF
根
2V
+
+
BIAS
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
OSC
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
电流模式
比较
R
Q
S
4
5
产量
V
IN
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.6 V
+
欠压
比较
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
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1
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
逻辑输入（ RESET ，
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC （Y后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
Si9110
输出电压
V
R
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
Si9111
Si9110
Si9111
产量
阻抗
e
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
短路电流
温度稳定性
e
房间
房间
满
满
房间
房间
满
3.92
3.60
3.86
3.52
15
70
30
100
0.50
4.0
4.0
4.08
4.40
4.14
4.46
45
130
1.0
kW
mA
毫伏/°C的
V
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K，见备注：F
R
OSC
= 150 K，见备注：F
Df/f=f(13.5
V)
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压
收益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
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V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源（V
FB
= 3.4 V)
水槽（V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
Si9110
Si9111
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.96
3.60
4.00
4.00
25
"15
80
1.3
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
4.40
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
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2
Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
后缀
40
至85℃
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
脉冲宽度
v
300
女士，
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
8.6
8.1
0.6
9.4
8.9
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
负载
< 75 PF（引脚4 ）
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
V
IN
，参见图2
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8
1
25
5
50
50
25
2.0
V
ns
50
100
mA
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
20
25
40
40
9.7
9.5
0.30
0.50
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
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Si9110/9111
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
SENSE
0
V
CC
产量
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中（V）的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
1M
V
CC
=
V
IN
输出开关频率对比
振荡电阻
F OUT （赫兹）
15
+I
IN
（MA ）
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
(W)
1M
图4中。
图5中。
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Si9110/9111
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引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9110DY
Si9110DY-T1
Si9110DY-T1—E3
Si9111DY
Si9111DY-T1
Si9111DY-T1—E3
Si9110DJ
Si9110DJ-—E3
Si9111DJ
Si9111DJ-—E3
PDIP-14
PDIP 14
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于在低静态电流的要求
Si9110 / 9111控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部
低稳压电源，或从辅助“引导”
绕组上的输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（ 2脚）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚6） 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
恒定电流被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
控制逻辑将正常和有足够的
栅极驱动电压可在MOSFET导通之前。
该集成电路的设计是这样的，欠压锁定
阈值将是至少300毫伏小于预调节
关断电压。功耗可以降到最低
提供外部电源到V
CC
使得
恒流源总是被禁用。
注意：
在启动期间或者当V
CC
低于8.6伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC （高水平的功耗为48 -V
输入，大约1瓦） 。过多造成启动时间
在V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图6给出了典型的预调节器的电流在
BIC / DMOS作为输入电压的函数。
BIAS
要正确设置偏置的Si9110 / 9111 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚1）绑
V
IN
（引脚5） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的SHUDOWN和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9110的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9110带来的误差放大器的输出（它是
修剪时配置为单位增益）内
"1%
4 V.
这补偿了在误差放大器的输入偏置电压。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高，使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源，如果
需要的话，而无需从其他改变装置的性能。
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