摩托罗拉
飞思卡尔半导体公司
半导体技术资料
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通过MCM69C433 / D
16K ×64的CAM
该MCM69C433是一个灵活的内容可寻址存储器（CAM ），该可
每个包含64位16K条目。匹配字段和输出的宽度
字段是可编程的，并且所述匹配时被设计为240纳秒。其结果，
该MCM69C433非常适合于数据通信的应用，如虚拟路径
标识符/虚电路标识符（ VPI / VCI ）翻译成ATM交换机最多
OC12 （ 622 Mbps）的数据传输速率和介质访问控制（ MAC ）地址查询
在以太网/快速以太网桥。该MCM69C433的比赛占空比
用户自定义的，与时间之间的匹配请求速率之间的折衷
和新的表项的速率加入到每秒所述CAM 。
MCM69C433
SCM69C433
飞思卡尔半导体公司...
16K条目
240 ns的时间相匹配
屏蔽寄存器，以“不关心”选择的位
CO
深度扩张级联多个器件
I
M
66 MHz最大时钟速率
SE
可编程匹配和输出字段宽度
LE
虚拟路径电路与虚拟连接的并行匹配
CA
在ATM模式的电路
S
单独的端口进行控制和匹配操作
E
RE
450 ns的插入时间，如果1的14项队列位置是空的
F
120毫秒的初始化时间快速插入后（上电时只）
Y
B
采用3.3 V单
±5%
供应
D
E
IEEE标准1149.1测试端口（ JTAG ）
IV
100引脚TQFP封装
H
,I
OR
CT
DU
N
C.
N
TQ包装
TQFP
CASE 983A -01
相关产品
RC
A
- MCM69C232 ， MCM69C432 ， MCM69C233 （凸轮）
控制端口
14 x 64
入口队列
匹配端口
MQ31 - MQ0
A2 – A0
DQ15 - DQ0
SEL
WE
IRQ
DTACK
RESET
KMODE
输入REG
状态/
控制
逻辑
16K ×64
CAM
表
K
G
LH / SM
LL
MC
MS
VPC
REV 3
6/11/01
摩托罗拉公司2001年
摩托罗拉快速SRAM
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MCM69C433SCM69C433
1
飞思卡尔半导体公司
引脚分配
MQ10
MQ11
VSS
VDD
MQ12
MQ13
MQ14
MQ15
LL
VDD
VSS
LH / SM
MQ16
MQ17
MQ18
MQ19
VDD
VSS
MQ20
MQ21
MQ9
MQ8
VSS
VDD
MQ7
MQ6
MQ5
MQ4
VSS
VDD
MQ3
MQ2
MQ1
MQ0
VSS
VDD
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VDD
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VDD
VSS
DQ7
DQ6
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
10
71
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
飞思卡尔半导体公司...
CH
AR
ED
IV
BY
EE
FR
LE
CA
S
S
CO
I
M
E
,I
OR
CT
DU
N
MQ22
MQ23
VSS
VDD
MQ24
MQ25
MQ26
MQ27
VSS
VDD
MQ28
MQ29
MQ30
MQ31
VSS
VDD
MC
VPC
MS
G
VSS
VDD
DTACK
IRQ
RESET
TDO
VDD
VSS
TCK
TMS
C.
N
MCM69C433SCM69C433
2
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DQ5
DQ4
VDD
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
K
VSS
VDD
A2
A1
A0
WE
SEL
KMODE
VDD
TRST
TDI
摩托罗拉快速SRAM
飞思卡尔半导体公司
引脚说明
引脚位置
42 – 44
58
17 – 20, 23 – 26,
29 – 32, 35 – 38
61
57
39
47
89
92
64
符号
A2 – A0
DTACK
DQ15 - DQ0
G
IRQ
K
KMODE
LH / SM
LL
MC
MQ31 - MQ0
TYPE
输入
产量
I / O
输入
产量
输入
输入
输入
3比特的控制端口地址总线。
控制端口的数据传输应答（漏极开路） 。
16位双向控制端口的数据总线。
输出使能控制MQ31的 - MQ0 。
控制端口中断（漏极开路） 。
接口时钟， 66 MHz的最高频率。
见注。
描述
飞思卡尔半导体公司...
67 – 70, 73 – 76,
79 – 82, 85 – 88,
93 – 96, 99, 100,
1, 2, 5 – 8, 11 – 14
62
56
46
52
50
55
51
49
63
45
4, 10, 16, 22, 27, 33,
41, 48, 54, 59, 65, 71,
77, 84, 91, 97
3, 9, 15, 21, 28, 34,
40, 53, 60, 66, 72,
78, 83, 90, 98
MS
RESET
SEL
TCK
TDI
CH
TRST
AR
TMS
VPC
WE
VDD
TDO
ED
产量
IV
输入
输入
产量
输入
,I
输入
锁存器低。锁存低位，如果匹配宽度为> 32位。
OR
CT
产量
完全匹配（漏极开路） 。
DU
匹配RAM和数据RAM输入
I / O
32位的通用I / O CAM数据。
N
为
二手
O
值。
IC
M
SE
产量
匹配成功（漏极开路） 。
LE
输入
芯片复位到已知状态。
CA
ES
输入
控制端口片选，低电平有效。
RE
时钟， JTAG接口的一部分。
输入
F
TEST
Y
B
输入
测试数据， JTAG接口的一部分。
测试数据输出， JTAG接口的一部分。
测试模式选择， JTAG接口的一部分。
JTAG接口的TAP复位一部分。
锁定高/开始比赛。开始比赛顺序对比赛数据呈现上
MQ31 - MQ0 。
C.
N
虚拟通路电路。用在ATM模式来表示虚拟路径的电路匹配有
发生（漏极开路） 。
控制端口写使能。
电源： 3.3 V
±5%.
供应
VSS
供应
地面上。
注：断言KMODE 1个时钟周期复位释放后。
K
RESET
KMODE
摩托罗拉快速SRAM
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MCM69C433SCM69C433
3
飞思卡尔半导体公司
绝对最大额定值
（见注1 ）
等级
电源电压（见注2 ）
电压相对于VSS （见注2 ）
每个引脚输出电流
封装功耗（见注3 ）
高温下偏置（见注3 ）
广告
产业
工作温度
储存温度
广告
产业
符号
VDD
VIN
IOUT
PD
Tbias
-10到85
-40到85
TA
TSTG
0到70
-40到85
-55至125
°C
°C
价值
4.6
-0.5 VDD + 3 V
±20
—
单位
V
V
mA
W
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压，以这种高阻抗
电路。
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注意事项：
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
2.所有电压参考VSS 。
3.功耗能力将取决于封装的特性和使用
环境。见封装热特性。
S
E
AL
DC操作条件和特点
C
（ VDD = 3.3 V
±5%,
T
S
< 120 ° C，除非另有说明）
J
EE
FR
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
Y
符号
民
参数
B
D
E
电源电压
VDD
3.1
IV
工作温度（结）
TJ
—
CH
输入低电压
VIL
–0.5*
AR
输入高电压
CO
I
M
E
,I
OR
CT
DU
N
C.
N
典型值
3.3
—
0
3
最大
3.5
120
0.8
5.5
单位
V
°C
V
V
* VIL （分钟）= -3.0 V AC（脉冲宽度
v
20纳秒） 。
参数
VIH
2.2
直流特性和供电电流
符号
非洲工业发展十年
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
—
2.4
最大
300
±1
±1
0.4
—
单位
mA
A
A
V
V
有源电源电流
输入漏电流（0V
v
VIN
v
VDD ）
输出漏电流（0V
v
VIN
v
VDD ）
输出低电压（ IOL = 8毫安）
输出高电压（ IOH = -4毫安）
封装热特性
等级
热阻结到环境（ 200 LFPM ， 4层板） （见注2 ）
热阻结对板（下） （见注3 ）
热阻结到外壳（顶部） （见注4 ）
符号
R
θJA
R
θJB
R
θJC
最大
36
19
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
1. RAM结温是在芯片上的功耗，封装的热阻抗，安装部位温度的函数，并
安装位点的热阻抗。
2.每SEMI G38-87 。
3.表示模具和安装表面之间的平均热阻抗。
4.表示模具和壳体顶面之间的平均热阻抗。通过冷板方法（ MIL SPEC -883实测
方法1012.1 ） 。
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4
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电容
（周期性采样救父100 ％测试）
参数
输入电容
I / O容量
符号
CIN
CI / O
民
—
—
最大
5
8
单位
pF
pF
结到环境的热特性
板
1层
1层
4层
4层
空气（ LFPM ）
0
200
0
200
θ
JA （ ° C / W）
43
36
33
29
飞思卡尔半导体公司...
,I
OR
交流工作条件和特点
CT
（ VDD = 3.3 V
±5%,
TJ < 120 ° C，除非另有
U
说明）
ND
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
CO
I
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。图1除非另有说明
M
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
SE
LE
控制端口时序
CA
所列数值为tKHKH = 15纳秒）
（电压参考VSS = 0 V ，最大的是tKHKH依赖和
ES
参数
符号
民
最大
单位
笔记
RE
F
地址有效到SEL低
tAVSL
0
—
ns
BY
DTACK低到地址无效
tDTLAX
0
—
ns
ED
V
数据有效到选择低
tDVSL
0
—
ns
HI
C
DTACK低到数据无效
tDTLDX
0
—
ns
AR
输出有效到DTACK低
我们要有效选择低
DTACK低到WE高
WE高到输出有效
选择低到DTACK低
选择高到DTACK高
DTACK低到IRQ低
IRQ低到高IRQ
DTACK低到高选择
DTACK高到低选择
地址有效到输出有效
选择高到输出高阻抗
复位低到高复位
tQVDTL
tWVSL
tDTLWH
TWHQX
tSLDTL
tSHDTH
tDTLIL
TILIH
tDTLSH
tDTHSL
tAVQV
tSHQZ
tRLRH
2
0
0
2
10
10
10
20
0
0
—
—
2× tKHKH
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
8
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
C.
N
注意：
当写入过程中的某些操作尝试1 DTACK被延迟。参见功能描述。
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5
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