【N沟道24V - 0.0034- 120A DPAK / TO-220的STripFET III功率】,IC型号STB130NH02LT4,STB130NH02LT4 PDF资料,STB130NH02LT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道24V - 0.0034

- 120A DPAK / TO-220

的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器

表1 ：一般特点

TYPE

STB130NH02L

STP130NH02L

■

STB130NH02L

STP130NH02L

图1 ：包装

DS （ ON）

＆ LT ; 0.0044

90 A

(2)

90 A

(2)

DSS

24 V

典型

（上） = 0.0034

@ 10 V

典型

（上） = 0.005

@ 5 V

DS （ ON）

*的Qg行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

表面安装

PAK （ TO-263 ）

电力包装管（没有后缀）或

在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

PAK

TO-263

（后缀“ T4 ” ）

TO-220

描述

该STB_P130NH02L采用了最先进的

意法半导体独有的STripFET 技术的设计规则。

它是理想的高性能的DC-DC转换器

应用中的效率，是在非常来实现

高输出电流。

图2 ：内部原理图

应用

■

同步整改FOR

电信和电脑

■

OR- ing二极管

表2：

订购信息

销售类型

STB130NH02LT4

STP130NH02L

记号

B130NH02L

P130NH02L

包

TO-263

TO-220

包装

磁带&卷轴

管

绝对最大额定值

符号

spike(1)

DGR

D(2)

DM(3)

合计

的AS （4）

英镑

2005年4月

参数

漏源电压额定值

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 20

360

150

900

-55至175

单位

W / ℃，

°C

1/13

启示录

2.0

STB130NH02L STP130NH02L

表4：

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

1.0

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5：

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 25 mA时， V

= 0

= 20 V

= ± 20 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

= 125°C

表6：

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 5 V

= 250 A

= 45 A

= 22.5 A

分钟。

0.0034

0.005

0.0044

0.008

典型值。

马克斯。

单位

表7：

动态

符号

飞秒（5）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

门输入电阻

测试条件

= 10 V

= 45 A

分钟。

典型值。

4450

1126

141

马克斯。

单位

= 15V F = 1MHz的V

= 0

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

1.6

2/13

STB130NH02L STP130NH02L

电气特性

（续）

表8：

接通

符号

D（上）

oss(6)

gls(7)

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输出充电

第三象限的栅极电荷

测试条件

= 10 V

= 45 A

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图）

= 10 V I

= 90 A V

=10 V

分钟。

典型值。

224

马克斯。

单位

= 16 V

＆ LT ; 0 V

= 0 V

= 10 V

表9 ：

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 10 V

= 45 A

= 10 V

= 4.7,

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

表10：

源漏二极管

符号

SDM

SD （5）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 45 A

= 0

2.5

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

360

1.3

单位

= 90 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 15 V

（见测试电路，图5 ）

(1)

Garanted当外部RG = 4.7

和T

＆ LT ;吨

FMAX

(

）限定通过引线接合价值

(3)

脉冲宽度有限的安全工作区。

(

）起始物为

= 25

C，我

= 45A ，V

= 10V .

(5)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(6)

OSS =

OSS

* V

中，

OSS =

GD +

DS 。

见附录A

(7)

栅极电荷为同步操作

图3：

安全工作区

图4：

热阻抗

3/13

STB130NH02L STP130NH02L

图5：

输出特性

图6：

传输特性

图7：

跨

图8：

静态漏源导通电阻

图9：

栅极电荷VS栅源电压

图10：

电容变化

4/13

STB130NH02L STP130NH02L

图11：

归栅极阈值电压VS

温度

图12：

归一通电阻与温度

图13 ：

源极 - 漏极二极管的正向特性

图14：

归一化的击穿电压VS

温度

5/13

N沟道20V - 0.0034

- 90A

PAK

的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器

TYPE

STB130NH02L

DSS

20 V

DS （ ON）

＆ LT ; 0.0044

90 A(#)

典型

（上） = 0.0034

@ 10 V

DS （ ON）

*的Qg行业的标杆

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

低阈值设备

表面安装

PAK （ TO-263 ）

电力包装管（没有后缀）或

在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

PAK

TO-263

（后缀“ T4 ” ）

描述

该STB130NH02L采用了最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是

理想的高性能的DC-DC转换器的应用程序

其中，效率要以非常高的输出来实现

电流。

内部原理图

应用

同步整改FOR

电信和电脑

OR- ing二极管

绝对最大额定值

符号

DGR

(#)

()

合计

AS （2）

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

360

150

900

-55至175

（ 1 ）起始物为

= 25

C，我

= 45A ，V

= 10V

单位

W / ℃，

°C

（）脉冲宽度限制了安全工作区主编。

限于通过引线接合（＃）值

2002年9月

1/9

STB130NH02L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

1.0

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25

°C

除非另有规定编）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

20 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 250

= 45 A

分钟。

0.0034

0.0044

典型值。

马克斯。

单位

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

门输入电阻

测试条件

= 10 V

= 45 A

分钟。

典型值。

4450

1126

141

马克斯。

单位

= 15V F = 1MHz的V

= 0

F = 1 MHz的门DC偏置= 0

测试信号电平= 20 mV的

漏极开路

1.6

2/9

STB130NH02L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 10 V

= 45 A

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图3 ）

= 10 V I

= 90 A V

=10 V

分钟。

典型值。

224

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 10 V

= 45 A

= 10 V

= 4.7,

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM （

)

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

1.5 %.

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

360

单位

= 90 A

= 0

2.5

1.3

= 90 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 15 V

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300

占空比

(

）脉冲

宽度限制了安全工作区主编。

安全工作区

热阻抗

3/9

STB130NH02L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/9

STB130NH02L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度

5/9