Si7901EDN
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.048 @ V
GS
= –4.5 V
–20
0.068 @ V
GS
= –2.5 V
0.090 @ V
GS
= –1.8 V
特点
I
D
(A)
–6.3
–5.3
–4.6
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
ESD保护： 4500 V
D
超低热阻， PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
双向开关
PowerPAKt 1212-8
S
1
S
2
3.30 mm
S1
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
3千瓦
G
2
3千瓦
8
7
D1
D2
6
5
D2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
–2.3
2.8
1.5
-55到150
–4.5
–20
–1.1
1.3
0.7
W
_C
–3.1
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
–20
"12
单位
V
–6.3
–4.3
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
C / W
1
Si7901EDN
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –800
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –5.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -15 V，I
D
= –6.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
–20
0.041
0.057
0.072
14
–0.8
–1.2
0.048
0.068
0.090
S
V
W
–0.45
"1.5
"10
–1
–5
V
nA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
12
2.5
2.9
2.5
4
15
12
4
6
23
18
ms
m
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
8
10,000
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
10
1
0.1
栅电流与栅源电压
T
J
= 150_C
4
2
T
J
= 25_C
0.01
0
0
4
8
12
16
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
2
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
16
25_C
125_C
12
20
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
2V
8
1.5 V
4
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
1600
C
国际空间站
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
1200
800
400
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
1.5
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.3 A
1.3
3
1.1
2
0.9
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
www.vishay.com
3
Si7901EDN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.14
0.12
10
I
S
- 源电流（ A）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
0.00
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.3 A
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 800
mA
50
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
20
0.0
10
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.02
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
www.vishay.com
5
Si7901EDN
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.048 @ V
GS
= –4.5 V
–20
0.068 @ V
GS
= –2.5 V
0.090 @ V
GS
= –1.8 V
特点
I
D
(A)
–6.3
–5.3
–4.6
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
ESD保护： 4500 V
D
超低热阻， PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
双向开关
PowerPAKt 1212-8
S
1
S
2
3.30 mm
S1
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
3千瓦
G
2
3千瓦
8
7
D1
D2
6
5
D2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
–2.3
2.8
1.5
-55到150
–4.5
–20
–1.1
1.3
0.7
W
_C
–3.1
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
–20
"12
单位
V
–6.3
–4.3
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
C / W
1
Si7901EDN
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –800
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –5.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -15 V，I
D
= –6.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
–20
0.041
0.057
0.072
14
–0.8
–1.2
0.048
0.068
0.090
S
V
W
–0.45
"1.5
"10
–1
–5
V
nA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
12
2.5
2.9
2.5
4
15
12
4
6
23
18
ms
m
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
8
10,000
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
10
1
0.1
栅电流与栅源电压
T
J
= 150_C
4
2
T
J
= 25_C
0.01
0
0
4
8
12
16
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
2
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
16
25_C
125_C
12
20
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
2V
8
1.5 V
4
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
1600
C
国际空间站
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
1200
800
400
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
1.5
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.3 A
1.3
3
1.1
2
0.9
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
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3
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.14
0.12
10
I
S
- 源电流（ A）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
0.00
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.3 A
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 800
mA
50
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
20
0.0
10
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.02
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
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5
Si7901EDN
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.048 @ V
GS
= –4.5 V
–20
0.068 @ V
GS
= –2.5 V
0.090 @ V
GS
= –1.8 V
特点
I
D
(A)
–6.3
–5.3
–4.6
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
ESD保护： 4500 V
D
超低热阻， PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
双向开关
PowerPAKt 1212-8
S
1
S
2
3.30 mm
S1
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
3千瓦
G
2
3千瓦
8
7
D1
D2
6
5
D2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
–2.3
2.8
1.5
-55到150
–4.5
–20
–1.1
1.3
0.7
W
_C
–3.1
A
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
–20
"12
单位
V
–6.3
–4.3
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
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稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
C / W
1
Si7901EDN
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –800
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –5.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -15 V，I
D
= –6.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
–20
0.041
0.057
0.072
14
–0.8
–1.2
0.048
0.068
0.090
S
V
W
–0.45
"1.5
"10
–1
–5
V
nA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.3 A
12
2.5
2.9
2.5
4
15
12
4
6
23
18
ms
m
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
8
10,000
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
10
1
0.1
栅电流与栅源电压
T
J
= 150_C
4
2
T
J
= 25_C
0.01
0
0
4
8
12
16
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
16
25_C
125_C
12
20
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
2V
8
1.5 V
4
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
1600
C
国际空间站
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
1200
800
400
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
1.5
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.3 A
1.3
3
1.1
2
0.9
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.7
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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3
Si7901EDN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.14
0.12
10
I
S
- 源电流（ A）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
0.00
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.3 A
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 800
mA
50
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
20
0.0
10
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
Si7901EDN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.02
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71430
S- 03710 -REV 。 A， 14日， 01
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5
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