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SN74ACT7803
512
×
18主频先入先出存储器
SCAS191C - 1991年3月 - 修订1998年4月
D
D
D
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D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus家庭
自由运行的读写时钟可以
是异步或重合
读取和写入操作同步
以独立的系统时钟
输入准备好标志同步写
时钟
输出就绪标志同步阅读
时钟
512字由18位
低功耗先进的CMOS技术
半满标志和可编程
几乎全/几乎空标志
双向配置和宽度
扩张无需额外的逻辑
12 ns的快速存取时间为50 pF的
加载和所有数据输出开关
同时
数据速率高达67 MHz的
引脚对引脚兼容SN74ACT7805
和SN74ACT7813
封装在小外形300万
封装采用25密耳中心到中心
间距
DL包装
( TOP VIEW )
描述
28
29
该SN74ACT7803是一个512字
×
18位的FIFO
适用于缓冲异步数据通路最多
67 MHz的时钟速率和12 ns访问时间。两个设备可以进行双向数据缓存被配置
无需额外的逻辑。多个分布式V
CC
和GND引脚,以及德州仪器的专利产出
边缘控制( OEC )电路,抑制同步开关噪声。
RESET
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
V
CC
D9
D8
GND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
HF
AF / AE
WRTCLK
WRTEN2
WRTEN1
IR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
OE1
Q17
Q16
Q15
GND
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
GND
Q8
Q7
Q6
Q5
V
CC
Q4
Q3
Q2
GND
Q1
Q0
RDCLK
RDEN
OE2
OR
写入时钟( WRTCLK )和读出时钟( RDCLK )是自由运行的,并且可以是异步或重合。
数据被写入到存储器上WRTCLK的上升沿时WRTEN1高, WRTEN2低,并且输入
准备就绪( IR )为高。数据从存储器中读出上RDCLK的上升沿时RDEN , OE1 , OE2和低
输出就绪( OR)为高。写入到存储器中的第一个字是通过时钟到输出缓冲器,
不管RDEN , OE1 , OE2和水平。的或标志指示有效数据出现在输出
缓冲区。
该FIFO可以异步重置为WRTCLK和RDCLK 。 RESET必须置位,而在至少四个
WRTCLK和4 RDCLK上升沿发生清除同步寄存器。复位FIFO初始化
红外,OR和半满(HF)标志低和几乎满/几乎空( AF / AE )标记高。该FIFO必须是
重新上电时。
该SN74ACT7803的特点是操作从0℃至70℃。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
TexasInstruments半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus和OEC是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74ACT7803
512
×
18主频先入先出存储器
SCAS191C - 1991年3月 - 修订1998年4月
逻辑符号
Φ
FIFO 512
×
18
SN74ACT7803
1
RESET
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
RDCLK
OE1
OE2
25
27
26
32
56
30
RESET
WRTCLK
&放大器;
WRTEN
RDCLK
&放大器;
EN1
在RDY
半满
殆满/空
OUT RDY
28
22
24
29
IR
HF
AF / AE
OR
&放大器;
RDEN
31
RDEN
23
项目启用
33
34
36
37
38
40
41
42
43
数据
数据
1
45
46
47
48
49
51
53
54
17
17
55
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
21
20
19
18
17
16
15
14
12
11
9
8
7
6
5
4
3
2
0
0
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
Q15
Q16
Q17
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74ACT7803
512
×
18主频先入先出存储器
SCAS191C - 1991年3月 - 修订1998年4月
功能框图
OE1
OE2
D0–D17
产量
控制
位置1
RDCLK
RDEN
同步
控制
指针
地点2
512
×
18 RAM
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
同步
控制
指针
地点511
地点512
注册
状态 -
逻辑
Q0–Q17
OR
IR
HF
AF / AE
RESET
RESET
逻辑
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3
SN74ACT7803
512
×
18主频先入先出存储器
SCAS191C - 1991年3月 - 修订1998年4月
终端功能
终奌站
名字
AF / AE
24
2–9, 11–12,
14–21
22
28
I / O
描述
几乎全/近空标志。深度偏移值可以被编程为AF / AE ,或默认值
64 ,可用于两个几乎空的偏移量( X)与几乎满的偏移量(Y)的。 AF / AE为高电平时
存储器中包含X或更少的字或(512 - Y)或更多的单词。 AF / AE复位后高。
18位的数据输入端口
半满标志。 HF为高时,在FIFO存储器包含256个或更多的话。 HF是复位后低。
输入准备好标志。红外同步到WRTCLK的低到高转变。当IR为低时,FIFO
为充分和写入都被禁止。 IR为低电平复位期间,去高的第二低到高的转变
复位后WRTCLK 。
输出使能。当OE1 , OE2 ,和RDEN是低和OR为高电平时,数据被从FIFO中读出上
一个低到高的RDCLK的过渡。当任一OE1或OE2高,读是残疾人和数据
输出处于高阻抗状态。
输出就绪标志。或同步到RDCLK低到高的转变。时或低时,在
FIFO是空的,并读取被禁用。准备好数据出现在Q0 - Q17何时或高。或低
在复位期间,去高点RDCLK的第三低到高的转变后的第一个字是加载
空的内存。
程序启用。复位之后和之前的第一个字被写入到FIFO中,在D0-D7中的二进制值
被锁定为AF / AE偏移值,当PEN低, WRTCLK高。
18位的数据输出端口。后空内存的第一个有效的写,第一个单词是Q0- Q17输出
在RDCLK第三上升沿。或者也被置为高电平,此时,表示准备好数据。当
或低,从FIFO中读出的最后一个字出现在Q0 - Q17 。
读时钟。 RDCLK是一个连续的时钟,并且可以是异步或重合到WRTCLK 。一
低到高的RDCLK的过渡,从存储器中读取数据时, OE1 , OE2 ,和RDEN低,或
高。或者是同步的RDCLK低到高的转变。
读使能。当RDEN , OE1 , OE2和低和OR为高电平时,数据被从FIFO中的读
低到高的RDCLK的过渡。
复位。要复位FIFO , RDCLK四低到高的转变和四个低到高的转变
WRTCLK必须发生当RESET为低。此设置的HF ,IR和OR低和AF / AE高。
写时钟。 WRTCLK是一个连续的时钟,并且可以是异步或重合到RDCLK 。一
低到高的WRTCLK的过渡将数据写入存储器时WRTEN2低, WRTEN1高,并且
IR为高。 IR是同步的WRTCLK低到高的转变。
写使能。当WRTEN1高, WRTEN2低,和IR是高时,数据被写入到FIFO的
一个低到高的WRTCLK的过渡。
O
D0–D17
HF
IR
I
O
O
OE1
OE2
56
30
I
OR
29
O
23
33–34, 36–38,
40–43, 45–49,
51, 53–55
32
I
Q0–Q17
O
RDCLK
I
RDEN
RESET
31
1
I
I
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
25
27
26
I
I
4
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512
×
18主频先入先出存储器
SCAS191C - 1991年3月 - 修订1998年4月
RESET
WRTCLK
1
2
3
4
1
2
WRTEN1
WRTEN2
D0–D17
RDCLK
OE1
RDEN
OE2
Q0–Q17
OR
AF / AE
HF
IR
不在乎
不在乎
不在乎
1
2
3
4
不在乎
不在乎
不在乎
无效
不在乎
不在乎
不在乎
不在乎
定义AF / AE标志使用
的X = Y = 64缺省值
图1.重置周期
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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