SMS840
公司Bauelemente
0.13A , 50V ,R
DS ( ON)
10
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
低导通电阻: 10
低输入电容: 30PF
低放出来电容: 10PF
低阈值: 2V
开关速度快:为2.5ns
1
SOT-23
A
L
3
3
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
应用
DC-DC变换器
蜂窝& PCMCIA卡
无绳电话
在便携式和电池等电源管理
P沟道
D
3
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.04
2.10
2.80
1.20
1.60
0.89
1.40
1.78
2.04
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.18
0.40
0.60
0.08
0.20
0.6 REF 。
0.85
1.15
J
记号
PD
G
1
S
2
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
连续的栅源电压
连续漏电流@T
A
=25°
C
漏电流脉冲( tp≤10us )
功耗@T
A
=25°
C
热阻,结到环境
结温和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-50
±20
-130
-520
225
556
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C / W
°
C
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规范的任何更改将不个别通知。
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DS ( ON)
10
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
乳头条件
静态特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
-50
-
-
-
-0.8
-
50
-
-
-
-
-
5
-
-
-0.1
V
A
V
GS
=0, I
D
= -250A
V
GS
=0, V
DS
= -25V
V
GS
=0, V
DS
= -50V
-15
±60
-2
10
-
mS
A
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=V
GS
, I
D
= -1mA
V
GS
= -5V ,我
D
= -0.1A
V
DS
= -25V,
,
I
D
= -0.1A , F = 1.0KHz
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
30
10
5
-
-
-
2
pF
V
DS
= -5V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
栅极电荷
T
D(上)
T
D(关闭)
T
r
T
f
Q
T
-
-
-
-
-
25
16
1
8
6000
-
-
-
-
-
pC
nS
V
DD
= -15V ,我
D
= -2.5A,
R
L
=50 ,
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压
2
I
S
I
SM
V
SD
-
-
-
-
-
-2.5
0.13
0.52
-
A
V
注意事项:
1.脉冲测试: PW≤300us ,职务Cycle≤2 % 。
2.开关时间基本上是独立工作温度。
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特性曲线
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