Si6954DQ
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
= 10 V
0.095 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"3.9
"3.1
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
7
6
5
Si6954DQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
"3.9
"3.1
"20
单位
V
A
1.25
1.0
W
0.64
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70179
S- 49534 -REV 。 C， 06 - OCT- 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
2-1
Si6954DQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.9 A
I
S
=
1.25
A，V
GS
= 0 V
15
0.043
0.075
7.0
0.77
1.2
0.065
0.095
W
S
V
1.0
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.25
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V I
D
= 3.9 A
V
V,
39
9.8
2.1
1.6
9
6
18
6
48
15
12
27
12
80
ns
15
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70179
S- 49534 -REV 。 C， 06 - OCT- 97
Si6954DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10通6 V
5V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
T
C
= –55_C
25_C
传输特性
12
12
125_C
8
4V
8
4
3V
0
0
2
4
6
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
750
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.12
600
C
国际空间站
450
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
300
C
OSS
150
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6
1.2
4
0.8
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
0.12
I
D
= 3.9 A
0.08
0.04
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
–0.0
20
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–50
功率（W）的
I
D
= 250
mA
30
单脉冲功率
25
V GS （ TH）方差（V ）
15
10
5
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
= 10 V
0.095 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"3.9
"3.1
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
7
6
5
Si6954DQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
"3.9
"3.1
"20
单位
V
A
1.25
1.0
W
0.64
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70179
S- 49534 -REV 。 C， 06 - OCT- 97
www.vishay.com
S
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符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
2-1
Si6954DQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.9 A
I
S
=
1.25
A，V
GS
= 0 V
15
0.043
0.075
7.0
0.77
1.2
0.065
0.095
W
S
V
1.0
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.25
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V I
D
= 3.9 A
V
V,
39
9.8
2.1
1.6
9
6
18
6
48
15
12
27
12
80
ns
15
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10通6 V
5V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
T
C
= –55_C
25_C
传输特性
12
12
125_C
8
4V
8
4
3V
0
0
2
4
6
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
750
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.12
600
C
国际空间站
450
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
300
C
OSS
150
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6
1.2
4
0.8
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
0.12
I
D
= 3.9 A
0.08
0.04
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
–0.0
20
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–50
功率（W）的
I
D
= 250
mA
30
单脉冲功率
25
V GS （ TH）方差（V ）
15
10
5
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70179
S- 49534 -REV 。 C， 06 - OCT- 97
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