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SSM2305GN
P沟道增强型功率MOSFET
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
无铅;符合RoHS标准。
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
65m
-4.2A
G
S
描述
该SSM2305GN是采用SOT- 23-3封装，其被广泛地用于低
功率商业和工业表面贴装应用。该装置是
适用于低电压应用，如DC / DC转换器和与
一般的开关应用。
D
S
SOT-23-3
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-20
±
12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
90
单位
° C / W
2005年2月16日Rev.2.1
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1 5
SSM2305GN
电气特性
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
MAX 。单位
-
-
53
65
100
250
-
-
-1
-10
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
167
126
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-4.2A
R
G
=6 , V
GS
=-10V
R
D
=3.6
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -4.2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27.7
22
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最高结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面装上1
2
铜焊盘上FR4板;安装在最小的铜垫，当270 ° C / W 。
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2 5
SSM2305GN
40
36
T
A
=25
o
C
30
-5.0V
32
T
A
=150
o
C
-5.0V
-4.0V
28
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
24
20
20
-3.0V
-3.0V
16
12
10
8
V
G
= -2.0V
0
0
2
4
6
8
10
V
G
= -2.0V
4
0
0
2
4
6
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
1.8
I
D
=-4.2A
T
A
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
120
1.6
I
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V
1.4
R
DS （ ON）
()
1.2
80
1
0.8
40
0
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
1.5
100
10
1
1
-V
GS （ TH）
(V)
0.5
0
-50
T
j
=150 C
-I
S
(A)
o
T
j
=25 C
o
0.1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压与
结温
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3 5
SSM2305GN
12
10000
f=1.0MHz
I
D
= -4.2A
10
-V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
= -16V
8
1000
西塞
6
C（ pF）的
科斯
100
4
CRSS
2
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
1ms
-I
D
(A)
1
0.05
P
DM
t
0.01
10ms
100ms
0.1
T
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
RθJA = 270 ° C / W
0.01
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
R
D
V
DS
D
对
示波器
0.8倍额定V
DS
D
V
DS
对
示波器
0.75倍额定V
DS
G
S
V
GS
R
G
G
S
-10 V
V
GS
-1~-3mA
I
G
I
D
图11.开关时间电路
2005年2月16日Rev.2.1
图12.栅极电荷电路
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4 5
SSM2305GN
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无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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SRR1280-1R4Y
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SMRA69
STU1224N
SF2004PT
SI6954DQ
SKB30-02A1
ST92124V1Q6
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