【SPICE器件模型Si4569DYVishay Siliconix公司N和P通道40 - V（D -】,IC型号SI4569DY,SI4569DY PDF资料,SI4569DY经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE器件模型Si4569DY

Vishay Siliconix公司

N和P通道40 - V（D -S）的MOSFET

特征

N和P沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n型和p沟道垂直DMOS的特性。该

子电路模型中提取并优化过

到脉冲0 -V的下至10 -V的栅极125℃的温度范围内

驾驶。饱和输出阻抗是在栅极偏压最佳拟合

附近的阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 74183

S- 60744Rev 。 A， 08日， 06

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SPICE器件模型Si4569DY

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规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

GS （ TH）

= V

, I

= 250

= V

, I

250 A

= 5 V, V

= 10 V

V, V

= 10 V，I

= 6 A

漏源导通电阻

DS （ ON）

V，I

= 4.5 V，I

= 4.8 A

4.5

V，I

4.9

正向跨导

= 15 V，I

= 6 A

V，I

= 1.5 A

1.6

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

1.2

1.8

224

205

0.021

0.023

0.026

0.031

0.80

0.022

0.026

0.024

0.031

0.73

符号

测试条件

模拟

数据

测

数据

单位

通态漏电流

D（上）

二极管的正向电压

动态

= 20 V, V

= 10 V，I

= 5 A

总栅极电荷

V, V

V，I

N沟道

P沟道

N沟道

= 20 V, V

= 4.5 V，I

= 5 A

P沟道

V, V

4.5

V，I

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

8.8

2.3

4.5

3.2

9.2

9.6

2.3

4.5

3.2

9.2

栅极 - 源电荷

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

N沟道MOSFET

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