Si1867DL
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
1.8 8
r
DS （ ON）
(W)
0.600 @ V
IN
= 4.5 V
0.850 @ V
IN
= 2.5 V
1.200 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.6
"0.5
"0.4
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
无铅
600 mW的低R
DS （ ON）
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
无铅
应用
D
与电平转换，用于便携式负荷开关
应用
描述
该Si1867DL包括以一P和N沟道MOSFET
单SC70-6封装。低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1867DL运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.6 A.
应用电路
Si1867DL
2, 3
V
OUT
Q2
6
6
C1
时间（
女士）
12
10
8
6
4
2
C
i
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
t
D（关闭）
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
4
V
IN
R1
t
f
开/关
5
Q1
C
o
负载
t
D（上）
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1867DL非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
www.vishay.com
1
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
功能框图
SC70-6
Si1867DL
4
S2
6
5
R1，C1
6
开/关
5
Q1
R1，C1
Q2
2, 3
D2
新产品
顶视图
R2
1
D2
2
D2
3
4
S2
开/关
订购信息： Si1867DL -T1 -E3
R2
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
连续
A，B
脉冲
B，C
符号
V
IN
V
开/关
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
极限
8
8
"0.6
"3
0.4
0.4
55
150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJF
典型
260
190
最大
320
230
单位
° C / W
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
=
0.4
A
0.85
1
1.1
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.6 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
( )
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.4 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
对国家（ P沟道）漏电流
I
D( )
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
1
1.8
0.480
0.690
0.950
8
0.600
0.850
1.200
A
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
www.vishay.com
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
2
Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
2.0
V
GS
= 5通3 V
1.6
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
1.6
T
C
=
55_C
2.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
1.2
2V
1.8 V
1.5 V
1.2
25_C
0.8
0.8
125_C
0.4
0.4
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
1.5
导通电阻与漏电流
V
降
与我
L
@ V
IN
=
4.5
V
V
开/关
= 1.5 8 V的
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.6
V
GS
= 1.8 V
1.2
V
GS
= 2.5 V
0.8
V
GS
= 4.5 V
0.4
V
降
(V)
1.2
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
2.0
I
D
漏电流（ A）
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
2.5
V
开/关
= 1.5 8 V的
2.0
V
降
(V)
1.5
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
V
降
(V)
1.5
T
J
= 125_C
1.0
T
J
= 25_C
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.5
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
I
L
(A)
0.8
1.0
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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3
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
1.6
2.0
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.6 A
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.4
1.6
1.2
I
D
= 0.2 A
0.8
I
D
= 0.6 A
1.0
0.8
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 0.5 A
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.0
0
1
2
3
4
5
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
10
时间（
女士）
8
6
4
2
0
0
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
20
kW
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
10
8
时间（
女士）
6
4
2
0
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
f
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
t
D（关闭）
t
D（上）
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
12
10
8
时间（
女士）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
80
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
300
kW
t
D（关闭）
64
t
f
t
f
时间（
女士）
48
6
4
2
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
32
t
D（关闭）
16
t
D（上）
0
0
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
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4
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
t
D（关闭）
40
时间（
女士）
时间（
女士）
30
20
10
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
Vishay Siliconix公司
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
300
kW
t
f
70
60
50
40
30
20
10
0
0
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
300
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
10
安全工作区，结到环境
I
D
漏电流（ A）
1
有限
由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1s
10 s
dc
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=400_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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Si1867DL
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
1.8 8
r
DS （ ON）
(W)
0.600 @ V
IN
= 4.5 V
0.850 @ V
IN
= 2.5 V
1.200 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.6
"0.5
"0.4
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
无铅
600 mW的低R
DS （ ON）
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
无铅
应用
D
与电平转换，用于便携式负荷开关
应用
描述
该Si1867DL包括以一P和N沟道MOSFET
单SC70-6封装。低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1867DL运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.6 A.
应用电路
Si1867DL
2, 3
V
OUT
Q2
6
6
C1
时间（
女士）
12
10
8
6
4
2
C
i
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
t
D（关闭）
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
4
V
IN
R1
t
f
开/关
5
Q1
C
o
负载
t
D（上）
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1867DL非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
www.vishay.com
1
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
功能框图
SC70-6
Si1867DL
4
S2
6
5
R1，C1
6
开/关
5
Q1
R1，C1
Q2
2, 3
D2
新产品
顶视图
R2
1
D2
2
D2
3
4
S2
开/关
订购信息： Si1867DL -T1 -E3
R2
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
连续
A，B
脉冲
B，C
符号
V
IN
V
开/关
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
极限
8
8
"0.6
"3
0.4
0.4
55
150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJF
典型
260
190
最大
320
230
单位
° C / W
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
=
0.4
A
0.85
1
1.1
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.6 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
( )
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.4 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
对国家（ P沟道）漏电流
I
D( )
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
1
1.8
0.480
0.690
0.950
8
0.600
0.850
1.200
A
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
www.vishay.com
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
2
Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
2.0
V
GS
= 5通3 V
1.6
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
1.6
T
C
=
55_C
2.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
1.2
2V
1.8 V
1.5 V
1.2
25_C
0.8
0.8
125_C
0.4
0.4
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
1.5
导通电阻与漏电流
V
降
与我
L
@ V
IN
=
4.5
V
V
开/关
= 1.5 8 V的
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.6
V
GS
= 1.8 V
1.2
V
GS
= 2.5 V
0.8
V
GS
= 4.5 V
0.4
V
降
(V)
1.2
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
2.0
I
D
漏电流（ A）
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
2.5
V
开/关
= 1.5 8 V的
2.0
V
降
(V)
1.5
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
V
降
(V)
1.5
T
J
= 125_C
1.0
T
J
= 25_C
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.5
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
I
L
(A)
0.8
1.0
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
1.6
2.0
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.6 A
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.4
1.6
1.2
I
D
= 0.2 A
0.8
I
D
= 0.6 A
1.0
0.8
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 0.5 A
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.0
0
1
2
3
4
5
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
10
时间（
女士）
8
6
4
2
0
0
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
20
kW
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
10
8
时间（
女士）
6
4
2
0
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
f
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
t
D（关闭）
t
D（上）
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
12
10
8
时间（
女士）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
80
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
300
kW
t
D（关闭）
64
t
f
t
f
时间（
女士）
48
6
4
2
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
32
t
D（关闭）
16
t
D（上）
0
0
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
www.vishay.com
4
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
t
D（关闭）
40
时间（
女士）
时间（
女士）
30
20
10
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
Vishay Siliconix公司
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
300
kW
t
f
70
60
50
40
30
20
10
0
0
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
300
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
10
安全工作区，结到环境
I
D
漏电流（ A）
1
有限
由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1s
10 s
dc
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=400_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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5
Si1867DL
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
1.8 8
r
DS （ ON）
(W)
0.600 @ V
IN
= 4.5 V
0.850 @ V
IN
= 2.5 V
1.200 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.6
"0.5
"0.4
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
无铅
600 mW的低R
DS （ ON）
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
无铅
应用
D
与电平转换，用于便携式负荷开关
应用
描述
该Si1867DL包括以一P和N沟道MOSFET
单SC70-6封装。低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1867DL运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.6 A.
应用电路
Si1867DL
2, 3
V
OUT
Q2
6
6
C1
时间（
女士）
12
10
8
6
4
2
C
i
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
t
D（关闭）
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
4
V
IN
R1
t
f
开/关
5
Q1
C
o
负载
t
D（上）
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1867DL非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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1
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
功能框图
SC70-6
Si1867DL
4
S2
6
5
R1，C1
6
开/关
5
Q1
R1，C1
Q2
2, 3
D2
新产品
顶视图
R2
1
D2
2
D2
3
4
S2
开/关
订购信息： Si1867DL -T1 -E3
R2
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
连续
A，B
脉冲
B，C
符号
V
IN
V
开/关
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
极限
8
8
"0.6
"3
0.4
0.4
55
150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJF
典型
260
190
最大
320
230
单位
° C / W
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
=
0.4
A
0.85
1
1.1
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.6 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
( )
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.4 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
对国家（ P沟道）漏电流
I
D( )
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
1
1.8
0.480
0.690
0.950
8
0.600
0.850
1.200
A
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
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2
Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
2.0
V
GS
= 5通3 V
1.6
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
1.6
T
C
=
55_C
2.0
Vishay Siliconix公司
传输特性
1.2
2V
1.8 V
1.5 V
1.2
25_C
0.8
0.8
125_C
0.4
0.4
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
1.5
导通电阻与漏电流
V
降
与我
L
@ V
IN
=
4.5
V
V
开/关
= 1.5 8 V的
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.6
V
GS
= 1.8 V
1.2
V
GS
= 2.5 V
0.8
V
GS
= 4.5 V
0.4
V
降
(V)
1.2
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
2.0
I
D
漏电流（ A）
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
2.5
V
开/关
= 1.5 8 V的
2.0
V
降
(V)
1.5
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
V
降
(V)
1.5
T
J
= 125_C
1.0
T
J
= 25_C
0.9
T
J
= 125_C
0.6
T
J
= 25_C
0.3
0.5
0.0
0.0
0.4
0.8
I
L
(A)
1.2
1.6
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
I
L
(A)
0.8
1.0
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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3
Si1867DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
1.6
2.0
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.6 A
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1.4
1.6
1.2
I
D
= 0.2 A
0.8
I
D
= 0.6 A
1.0
0.8
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 0.5 A
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.0
0
1
2
3
4
5
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
10
时间（
女士）
8
6
4
2
0
0
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
20
kW
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
10
8
时间（
女士）
6
4
2
0
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
f
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
t
D（关闭）
t
D（上）
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
12
10
8
时间（
女士）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
20
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
80
开关变
R2 @ V
IN
=
4.5
V ，R 1 =
300
kW
t
D（关闭）
64
t
f
t
f
时间（
女士）
48
6
4
2
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
32
t
D（关闭）
16
t
D（上）
0
0
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
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4
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Si1867DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
t
D（关闭）
40
时间（
女士）
时间（
女士）
30
20
10
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
Vishay Siliconix公司
开关变
R2 @ V
IN
=
2.5
V ，R 1 =
300
kW
t
f
70
60
50
40
30
20
10
0
0
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 =
300
kW
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
L
= 1 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
t
D（上）
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
10
安全工作区，结到环境
I
D
漏电流（ A）
1
有限
由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1s
10 s
dc
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=400_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
文档编号： 72534
S- 32132 -REV 。 A， 27 - OCT- 03
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5
QQ：2880707522 复制
