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S11MS3/S21MS3/S21MS4
S11MS3/
S21MS3/S21MS4
s
特点
1.超小型，微型扁平封装类型
（ 3.6× 4.4× 2.0毫米）
2.内置零交叉电路
（ S21MS4 ）
输入和3之间的高隔离电压
输出（Ⅴ
ISO
: 3 750V
RMS
)
4.通过UL认证，文件No.E64380
高密度表面贴装
微型扁平封装
可控硅耦合器
s
外形尺寸
1.27
±
0.25
型号
6 5 4
S
阳极
标志
0.6
马克斯。
（单位：毫米）
内部连接
图
6
5
4
g
零交叉
电路
1
3
1
3
0.4
±
0.1
0.1
±0.1
2.6
±
0.2
对于100V线路
没有内置
零交叉电路
内建的
零交叉电路
S11MS3
-
对于200V线路
S21MS3
S21MS4
6
1阳极
3阴极
4阳极/
阴极
0.5
+
0.4
-
0.2
7.0
+
0.2
-
0.7
s
应用
1.对于触发中/高功率
双向可控硅
5无需外部连接
6阳极/
阴极
g
零交叉电路
S21MS4
s
绝对最大额定值
参数
输入
正向电流
反向电压
1
RMS通态电流
2
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
3
隔离电压
工作温度
存储temperatrue
4
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
S11MS3
（大= 25℃）
等级
S21MS3/S21MS4
50
6
0.05
0.6
400
600
3 750
- 30 + 100
- 40 + 125
260
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
C
C
C
I
T
(A)
0
θ
1
2
I
T
θ
1
,
θ
2
＆ LT ;?
90
θ
2
180
90
360
θ
产量
焊接区
0.2毫米以上
1
导通角的定义
θ
有效的ON电流I
T
应，如图
在右边的图。
2
50Hz正弦波
3
4060 ％RH下，交流进行1分钟
4
10秒，
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
0.2
±
0.05
s
型号阵容
3.6
±
0.3
C0.4
输入端
4.4
±
0.2
5.3
±
0.3
S11MS3/S21MS3/S21MS4
s
光电特性
输入
参数
正向电压
反向电流
重复峰值断态电流
通态电压
保持电流
断态电压临界上升率
零交叉
S21MS4
电压
最小触发电流
绝缘电阻
S11MS3/S21MS3
开启时间
S21MS4
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 3V
V
DRM
=额定
I
T
= 0.05A
V
D
= 6V
V
DRM
= 1/
2
=额定
I
F
= 15毫安，阻性负载
V
D
= 6V ，R
L
= 100
DC500V ， 40 60％RH的
V
D
= 6V ，R
L
= 100 ,
I
F
= 20mA下
分钟。
-
-
-
-
0.1
100
-
-
5 x 10
10
-
-
典型值。
1.2
-
-
-
-
1 000
-
-
10
11
-
-
（大= 25℃）
马克斯。
1.4
10
1
2.5
3.5
-
35
10
-
100
50
单位
V
A
A
V
mA
V/
s
V
mA
s
产量
转让
字符
开创性意义
图。 1 RMS通态电流 -
环境温度
60
RMS通态电流I
T
（ MA
RMS
)
图。 2正向电流与
环境温度
60
50
正向电流I
F
（MA ）
0
50
环境温度T
a
( C )
100
50
40
40
30
30
20
20
10
0
-30
10
0
- 30
0
50
环境温度T
a
( C )
100
图。 3正向电流与
正向电压
200
100
正向电流I
F
（MA ）
50
20
10
5
T
a
= 100C
75C
50C
图。 4 ，一个最小触发电流与
环境温度
(S11MS3/S21MS3)
12
V
D
= 6V
最小触发电流I
FT
（MA ）
10
R
L
= 100
25C
0C
- 30C
8
6
4
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压V
F
( V )
2.5
3.0
2
0
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
S11MS3/S21MS3/S21MS4
图。 4 -B最小触发电流 -
环境温度
(S21MS4)
14
12
10
8
6
4
2
0
- 30
V
D
= 6V
R
L
= 100
图。 5 ，相对重复峰值断态
电压与环境温度
（ S11MS3 / S21MS3 ）
1.3
相对重复峰值断态电压
V
DRM
( T
j
= T
a
) /V
DRM
( T
i
= 25C)
最小触发电流I
FT
（MA ）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 5 -B相对重复峰值断态
电压与环境温度
（ S21MS4 ）
1.3
相对重复峰值断态电压
V
DRM
( T
j
= T
a
) /V
DRM
( T
j
= 25C)
图。 6通态电压与
环境温度
2.0
I
T
= 50毫安
1.2
导通电压V
T
( V )
1.8
1.1
1.6
S21MS4
1.0
1.4
S11MS3
S21MS3
0.9
1.2
0.8
1.0
0.8
- 30
0.7
-
30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 7 ，保持电流与环境温
perature
(S11MS3/S21MS3)
10
V
D
= 6V
5
持电流I
H
（MA ）
图。 7 -B控股电流与环境温
perature
（ S21MS4 ）
V
D
= 6V
10
持电流I
H
（MA ）
5
2
1
0.5
2
1
0.5
0.2
0.1
- 30
0.2
0.1
- 30
60
80
( C )
环境温度T
a
0
20
40
100
0
20
40
60
环境温度T
a
( C )
80
100
S11MS3/S21MS3/S21MS4
图。 8重复峰值断态电流
与断态电压
（ S11MS3 ）
2
图。 8 -B重复峰值断态电流
与断态电压
(S21MS3/S21MS4)
2
T
a
= 25C
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
10
- 9
10
- 9
S21MS4
T
a
= 25C
5
5
2
2
S11MS3
10
- 10
S21MS3
10
- 10
5
5
100
200
300
400
500
关闭电压V
D
( V )
600
100
200
300
400
500
关闭电压V
D
( V )
600
图。 9相对重复峰值断态
电流与环境温度
10
2
相对重复峰值断态电流
I
DRM
( T
j
= T
a
) /I
RM
( T
j
= 25C)
V
DRM
= 400V
图10过零电压与环境
温度
（ S21MS4 ）
30
R LOAD
I
F
= 15毫安
过零电压V
OX
( V )
10
1
25
10
0
20
10
- 1
10
- 2
-30
15
0
20
40
60
环境温度T
a
( C )
80
100
- 30
60
80
环境温度T
a
( C )
0
20
40
100
图11通态电流与
通态电压
100
90
80
通态电流I
T
（MA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
导通电压V
T
( V )
S21MS4
V
IN
S11MS3
S21MS3
+
V
CC
I
F
= 20mA下
T
a
= 25C
s
基本运算电路
S11MS3/
S21MS3/S21MS4
1
6
负载
AC100V
（ S11MS3 ）
AC200V
（ S21MS3 / S21MS4 ）
4
零交叉电路
（ S21MS4 ）
3
零
交
电路
q
请参考章节
“使用注意事项” （第78页至93页） 。
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