日前，Vishay
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
高速光耦，双通道， 1 MBd的，晶体管
产量
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模瞬态抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
A
1
1
C
1
2
C
2
3
A
2
4
i179071
8
C（ VCC ）
7 C
1
(V01)
6 C
2
(V02)
5 E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
描述
该SFH6325 / SFH6326是双通道光耦合器
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
订购信息
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325-X009
SFH6326-X006
SFH6326-X007
SFH6326-X009
备注
CTR > 7.0 ％ ， DIP- 8
CTR > 19 ％ ， DIP- 8
CTR > 7.0 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
T
AMB
= 25 °C
参数
反向电压
正向连续电流
最大正向电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
价值
4.5
25
50
1.0
0.6
50
单位
V
mA
mA
A
毫瓦/°C的
mW
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
集电极输出电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
测试条件
符号
V
S
V
O
I
CO
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
1.33
50
日前，Vishay
单位
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
从25° C减免线性
总包耗散
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
P
合计
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
1.93
145
175
mm
mm
毫瓦/°C的
mW
单位
V
RMS
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
T
AMB
= 0 - 70 ° C除非另有说明
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
S
V
R
= 4.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
4.5
0.5
125
- 1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
www.vishay.com
2
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
日前，Vishay
产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流逻辑高
逻辑低输出电压
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
=开，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 3.0毫安
逻辑高电平输出电流
通道到通道
1)
相声
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= V
CC
= 5.5 V
SFH6325
SFH6326
部分
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH- XT
民
典型值。
100
0.01
0.1
0.1
3.0
最大
200
4.0
0.5
0.5
500
50
500
单位
A
A
V
V
nA
A
nA
注：1。为了测量串扰，点亮LED通道1和在逻辑高输出电流为信道2 。重复通道2 。
耦合器
参数
电容（输入输出）
测试条件
F = 1.0 MHz的
符号
C
IO
民
典型值。
0.6
最大
单位
pF
电流传输比
参数
电流传输
比
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.4 V
部分
SFH6325
SFH6326
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.5 V
SFH6325
SFH6326
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
民
5
19
5
15
典型值。
16
35
最大
单位
%
%
%
%
开关特性
参数
（从高到低）
低 - 高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
0.3
0.2
0.6
0.5
最大
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
CMTI为逻辑高电平输出
测试条件
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
CMTI为逻辑低电平输出
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
CM
H
CM
H
CM
L
CM
L
民
典型值。
1000
1000
1000
1000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
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3
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SFH6325 / SFH6326
威世半导体
1400
TP - 传播延迟时间 - NS
0.6
i
F
/i
O
/小信号电流
ˇ
传输比
1200
1000
800
600
400
200
0
-60
SFH6325 @ VCC = 5.0 V ，
IF = 16毫安， RL = 4.1千欧
（ VCC = 5.0 V， RL = 100
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
TPLH
的TPH1
-40
-20
0
20
40
60
温度TA （ ° C）
80
100
isfh6325_11
0
5
10
IF / MA
15
20
25
isfh6325_09
图。 7传输延迟与温度的关系
图。 9小信号电流传输比与静态输入
当前
100
I
OH
- 集电极电流IC （ NA）
10
1
0.1
0.01
VCC = VO = 15 V
VCC = VO = 5 V
0.001
-60
isfh6325_10
-40
-20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
图。 8逻辑高输出电流vs.Temperature
脉冲发生器
ZO = 50
TR ， TF = 5纳秒
占空比10 ％
t
≤100 s
IF
1
2
I
F
MONITOR
100
3
4
isfh6325_01
IF
t
8
7
C=0.1
F
6
CL = 15 pF的
5
的TPH1
TPLH
5V
R
L
V
O
VOL
1.5 V
t
VO
5V
图。 10开关时间和测试电路
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
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5
SFH6325/SFH6326
威世半导体
高速光耦，双通道， 1 MBd的，
晶体管输出
特点
隔离测试电压， 5300 V
RMS
TTL兼容
比特率： 1.0 Mbit / s的
A
1
1
C
1
2
C
2
3
A
2
4
i179071
8
C（ VCC ）
高共模瞬态抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
7 C
1
(V01)
6 C
2
(V02)
5 E（ GND ）
描述
该SFH6325 / SFH6326是双通道光电耦合器与
一个GaAIAs红外发光二极管，光耦合用
集成光电检测器，它包括一个光电二极管
和在一个DIP-8塑料封装的高速晶体管。
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许的参考
电压。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
订购信息
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325-X009
SFH6326-X006
SFH6326-X007
SFH6326-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 7.0 ％ ， DIP- 8
CTR > 19 ％ ， DIP- 8
CTR > 7.0 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向连续电流
最大正向电流
最大正向电流浪涌
从25° C减免线性
功耗
产量
电源电压
输出电压
集电极输出电流
从25° C减免线性
功耗
文档编号： 83679
修订版1.5 10 -JAN- 08
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
4.5
25
50
1.0
0.6
50
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
1.33
50
单位
V
mA
mA
A
毫瓦/°C的
mW
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
www.vishay.com
1
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
t
≤
1.0微秒， 300个脉冲/秒
T
AMB
≤
70 °C
I
FM
I
FSM
P
DISS
V
S
V
O
I
CO
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
SFH6325/SFH6326
威世半导体
高速光耦，双
通道， 1 MBd的，
晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
间隙距离
从25° C减免线性
总包耗散
根据DIN相比漏电起痕指数
IEC112 / VDE 0303第1部分，ⅢA族元
DIN VDE 6110
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
测试条件
T = 1.0秒
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7
≥
7
1.93
单位
V
RMS
mm
mm
毫瓦/°C的
mW
P
合计
145
175
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55 + 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(1)
参数
输入
(2)
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
产量
逻辑低电源电流
电源电流，逻辑高
逻辑低输出电压
逻辑高电平输出电流
通道到通道
(3)
相声
耦合器
电容（输入输出）
F = 1.0 MHz的
C
IO
0.6
pF
I
F
= 16 mA时， V
O
=打开，V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 1.1毫安SFH6325
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 3.0毫安SFH6326
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH- XT
100
0.01
0.1
0.1
3.0
200
4.0
0.5
0.5
500
50
500
A
A
V
V
nA
A
nA
I
F
= 16毫安
I
R
= 10 s
V
R
= 4.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
V
F
V
BR
I
R
C
O
ΔV
F
/ΔT
AMB
4.5
0.5
125
- 1.7
10
1.6
1.9
V
V
A
pF
毫伏/°C的
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(2)
T
AMB
= 0° CTO 70℃ ，除非另有规定。
(3)
以测量的串扰，打开通道1和在逻辑高输出电流为信道2中的发光二极管。重复通道2 。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83679
修订版1.5 10 -JAN- 08
SFH6325/SFH6326
高速光耦，双
通道， 1 MBd的，
晶体管输出
电流传输比
参数
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
V
O
= 0.4 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
V
O
= 0.5 V
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
5
19
5
15
典型值。
16
35
马克斯。
单位
%
%
%
%
威世半导体
电流传输比
开关特性
参数
前高后低
从低到高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
分钟。
典型值。
0.3
0.2
0.6
0.5
马克斯。
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
CM
H
CM
H
CM
L
CM
L
分钟。
典型值。
1000
1000
1000
1000
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
CMTI为逻辑高电平输出
CMTI为逻辑低电平输出
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
20
30
IF - 以mA的LED电流
如果LED电流，单位为mA
15
75 °C
10
25 °C
0 °C
20
10
5
0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
isfh6325_04
0
0
20
40
60
80
100
VF - LED的正向电压
isfh6325_03
环境温度（℃）
图。 1 - LED正向电流与正向电压
图。 2 - 允许正向LED电流与温度的关系
文档编号： 83679
修订版1.5 10 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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3
SFH6325/SFH6326
威世半导体
高速光耦，双
通道， 1 MBd的，
晶体管输出
TP - 传播延迟时间（NS ）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
的TPH1 1.5
V
的TPH1 3
V
TPLH 1.5
V
SFH6326
at
V
CC = 5.0
V
IF = 16毫安， RL = 1.9千欧
TPLH 3
V
120
总功率（毫瓦）
100
80
60
40
20
0
0
isfh6325_05
探测器
辐射源
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
100
isfh6325_08
图。 3 - 允许功耗与温度的关系
图。 6 - 传输延迟与环境温度
25
TP - 传播延迟时间（NS ）
(V
CC
= 5.0
V)
I
F
= 40毫安
I
F
= 35毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
- 60 - 40
isfh6325_09
输出电流，I
o
（MA ）
20
15
10
5
0
0
5
SFH6325在
V
CC = 5.0
V,
IF = 16毫安， RL = 4.1千欧
TPLH
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
的TPH1
10
15
产量
电压，V
o
(V)
20
25
- 20
isfh6325_06
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
图。 4 - 输出电流和输出电压
图。 7 - 传输延迟与环境温度
8
输出电流，I
o
（MA ）
7
6
5
4
3
2
1
0
at
V
O = 0.4
V, V
CC = 5.0
I
F
= 20毫安
I
F
= 16毫安
I
F
= 10毫安
100
I
OH
- 集电极电流IC （ NA）
10
1
0.1
0.01
VCC = VO = 15 V
VCC = VO = 5 V
I
F
= 2毫安
I
F
= 1毫安
- 60
isfh6325_07
- 40
- 20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
0.001
-60
isfh6325_10
-40
-20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
图。 5 - 输出电流与温度的关系
图。 8 - 逻辑高输出电流与温度的关系
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83679
修订版1.5 10 -JAN- 08
SFH6325/SFH6326
高速光耦，双
通道， 1 MBd的，
晶体管输出
0.6
Δi
F
/Δi
O
/小信号电流
ˇ
传输比
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
isfh6325_11
威世半导体
（ VCC = 5.0
V,
RL = 100
Ω)
5
10
15
IF （MA ）
20
25
图。 9 - 小信号电流传输比与输入电流
脉冲发生器
ZO = 5 0
Ω
吨R，T F = 5纳秒
占空比10
%
t
≤
100
s
IF
1
2
我监视
F
I
F
t
8
7
C=0.1
F
3
4
6
C L = 15 pF的
5
t
PHL
5
V
RL
V
O
V
O
5
V
1.5
V
V
OL
t
t
PLH
100
Ω
isfh6325_01
图。 10 - 开关时间和测试电路
V
CM
90
%
1
I
F
A
B
V
CC
4
5
2
3
7
6
8
5
V
R
L
V
O
C = 0.1
F
0
V
10
%
90
%
t
V
O
5
V
答：我
F
= 0毫安
t
tr
tf
10
%
脉冲发生器
V
CM
ZO = 5 0
Ω
吨R，T F =
8
ns
isfh6325_02
V
O
V
OL
B：我
F
= 16毫安
t
图。 11 - 波形和测试电路的共模瞬态抗扰度
文档编号： 83679
修订版1.5 10 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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日前，Vishay
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
高速光耦，双通道， 1 MBd的，晶体管
产量
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模瞬态抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
A
1
1
C
1
2
C
2
3
A
2
4
i179071
8
C（ VCC ）
7 C
1
(V01)
6 C
2
(V02)
5 E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
描述
该SFH6325 / SFH6326是双通道光耦合器
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
订购信息
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325-X009
SFH6326-X006
SFH6326-X007
SFH6326-X009
备注
CTR > 7.0 ％ ， DIP- 8
CTR > 19 ％ ， DIP- 8
CTR > 7.0 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
T
AMB
= 25 °C
参数
反向电压
正向连续电流
最大正向电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
价值
4.5
25
50
1.0
0.6
50
单位
V
mA
mA
A
毫瓦/°C的
mW
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
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1
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
集电极输出电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
测试条件
符号
V
S
V
O
I
CO
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
1.33
50
日前，Vishay
单位
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
从25° C减免线性
总包耗散
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
P
合计
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
1.93
145
175
mm
mm
毫瓦/°C的
mW
单位
V
RMS
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
T
AMB
= 0 - 70 ° C除非另有说明
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
S
V
R
= 4.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
4.5
0.5
125
- 1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
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2
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
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产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流逻辑高
逻辑低输出电压
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
=开，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 3.0毫安
逻辑高电平输出电流
通道到通道
1)
相声
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= V
CC
= 5.5 V
SFH6325
SFH6326
部分
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH- XT
民
典型值。
100
0.01
0.1
0.1
3.0
最大
200
4.0
0.5
0.5
500
50
500
单位
A
A
V
V
nA
A
nA
注：1。为了测量串扰，点亮LED通道1和在逻辑高输出电流为信道2 。重复通道2 。
耦合器
参数
电容（输入输出）
测试条件
F = 1.0 MHz的
符号
C
IO
民
典型值。
0.6
最大
单位
pF
电流传输比
参数
电流传输
比
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.4 V
部分
SFH6325
SFH6326
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.5 V
SFH6325
SFH6326
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
民
5
19
5
15
典型值。
16
35
最大
单位
%
%
%
%
开关特性
参数
（从高到低）
低 - 高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
0.3
0.2
0.6
0.5
最大
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
CMTI为逻辑高电平输出
测试条件
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
CMTI为逻辑低电平输出
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
CM
H
CM
H
CM
L
CM
L
民
典型值。
1000
1000
1000
1000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
文档编号83679
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SFH6325 / SFH6326
威世半导体
1400
TP - 传播延迟时间 - NS
0.6
i
F
/i
O
/小信号电流
ˇ
传输比
1200
1000
800
600
400
200
0
-60
SFH6325 @ VCC = 5.0 V ，
IF = 16毫安， RL = 4.1千欧
（ VCC = 5.0 V， RL = 100
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
TPLH
的TPH1
-40
-20
0
20
40
60
温度TA （ ° C）
80
100
isfh6325_11
0
5
10
IF / MA
15
20
25
isfh6325_09
图。 7传输延迟与温度的关系
图。 9小信号电流传输比与静态输入
当前
100
I
OH
- 集电极电流IC （ NA）
10
1
0.1
0.01
VCC = VO = 15 V
VCC = VO = 5 V
0.001
-60
isfh6325_10
-40
-20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
图。 8逻辑高输出电流vs.Temperature
脉冲发生器
ZO = 50
TR ， TF = 5纳秒
占空比10 ％
t
≤100 s
IF
1
2
I
F
MONITOR
100
3
4
isfh6325_01
IF
t
8
7
C=0.1
F
6
CL = 15 pF的
5
的TPH1
TPLH
5V
R
L
V
O
VOL
1.5 V
t
VO
5V
图。 10开关时间和测试电路
文档编号83679
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SFH6325 / SFH6326
威世半导体
高速光耦，双通道， 1 MBd的，晶体管
产量
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模瞬态抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
A
1
1
C
1
2
C
2
3
A
2
4
i179071
8
C（ VCC ）
7 C
1
(V01)
6 C
2
(V02)
5 E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
描述
该SFH6325 / SFH6326是双通道光耦合器
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
订购信息
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325-X009
SFH6326-X006
SFH6326-X007
SFH6326-X009
备注
CTR > 7.0 ％ ， DIP- 8
CTR > 19 ％ ， DIP- 8
CTR > 7.0 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
T
AMB
= 25 °C
参数
反向电压
正向连续电流
最大正向电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
价值
4.5
25
50
1.0
0.6
50
单位
V
mA
mA
A
毫瓦/°C的
mW
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
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SFH6325 / SFH6326
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
集电极输出电流
从25° C减免线性
功耗
T
AMB
≤
70 °C
P
DISS
测试条件
符号
V
S
V
O
I
CO
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
1.33
50
日前，Vishay
单位
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
从25° C减免线性
总包耗散
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
P
合计
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
1.93
145
175
mm
mm
毫瓦/°C的
mW
单位
V
RMS
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
T
AMB
= 0 - 70 ° C除非另有说明
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
S
V
R
= 4.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
4.5
0.5
125
- 1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
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2
文档编号83679
修订版1.3 ， 27 -APR- 04
日前，Vishay
产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流逻辑高
逻辑低输出电压
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
=开，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 3.0毫安
逻辑高电平输出电流
通道到通道
1)
相声
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= V
CC
= 5.5 V
SFH6325
SFH6326
部分
SFH6325 / SFH6326
威世半导体
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH- XT
民
典型值。
100
0.01
0.1
0.1
3.0
最大
200
4.0
0.5
0.5
500
50
500
单位
A
A
V
V
nA
A
nA
注：1。为了测量串扰，点亮LED通道1和在逻辑高输出电流为信道2 。重复通道2 。
耦合器
参数
电容（输入输出）
测试条件
F = 1.0 MHz的
符号
C
IO
民
典型值。
0.6
最大
单位
pF
电流传输比
参数
电流传输
比
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.4 V
部分
SFH6325
SFH6326
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.5 V
SFH6325
SFH6326
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
民
5
19
5
15
典型值。
16
35
最大
单位
%
%
%
%
开关特性
参数
（从高到低）
低 - 高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
0.3
0.2
0.6
0.5
最大
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
CMTI为逻辑高电平输出
测试条件
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 0 mA时，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
CMTI为逻辑低电平输出
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 k
I
F
= 16毫安，C
CM
= 10 V
P-P
,
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 k
部分
SFH6325
SFH6326
SFH6325
SFH6326
符号
CM
H
CM
H
CM
L
CM
L
民
典型值。
1000
1000
1000
1000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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SFH6325 / SFH6326
威世半导体
1400
TP - 传播延迟时间 - NS
0.6
i
F
/i
O
/小信号电流
ˇ
传输比
1200
1000
800
600
400
200
0
-60
SFH6325 @ VCC = 5.0 V ，
IF = 16毫安， RL = 4.1千欧
（ VCC = 5.0 V， RL = 100
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
TPLH
的TPH1
-40
-20
0
20
40
60
温度TA （ ° C）
80
100
isfh6325_11
0
5
10
IF / MA
15
20
25
isfh6325_09
图。 7传输延迟与温度的关系
图。 9小信号电流传输比与静态输入
当前
100
I
OH
- 集电极电流IC （ NA）
10
1
0.1
0.01
VCC = VO = 15 V
VCC = VO = 5 V
0.001
-60
isfh6325_10
-40
-20
0
20
40
60
温度T
A
(°C)
80
100
图。 8逻辑高输出电流vs.Temperature
脉冲发生器
ZO = 50
TR ， TF = 5纳秒
占空比10 ％
t
≤100 s
IF
1
2
I
F
MONITOR
100
3
4
isfh6325_01
IF
t
8
7
C=0.1
F
6
CL = 15 pF的
5
的TPH1
TPLH
5V
R
L
V
O
VOL
1.5 V
t
VO
5V
图。 10开关时间和测试电路
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