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光电二极管

硅光电二极管与前置放大器

S8745-01, S8746-01

光电二极管和前置放大器集成了反馈电阻和电容

S8745-01 ， S8746-01是低噪声传感器由Si光电二极管，运算放大器和反馈电阻和电容，全部集成到一个

小包装。通过简单地连接到一个电源， S8745-01和S8746-01可用于在低光级测量诸如分析

设备和测量设备。光电二极管的有源区在内部连接到GND端子使其具有很高的抗

对EMC噪声。

特点

应用

S8745-01 ： TO- 5

S8746-01 ： TO- 8

活动区域

S8745-01 ： 2.4 × 2.4毫米

S8746-01 ： 5.8 × 5.8毫米

FET输入运算放大器，具有低功耗

耗散

内置的Rf值= 1 GΩ和比照= 5 pF的

可变增益与外部连接的电阻器

低噪音和NEP

与屏蔽效果套餐

抗EMC噪声

硅光电二极管紫外到近红外测光精度

小型密封封装用石英窗

分光光度法

通用光学测量

S8745-01 ， S8746-01可以通过静电放电等，请参阅注意事项的最后一页使用被损坏。

绝对最大额定值（Ta = 25

°C)

参数

电源电压（运放）

功耗

工作温度

储存温度

符号

VCC

TOPR

TSTG

价值

±20

500

-20至+60

-30至+80

单位

°C

电气和光学特性（典型值TA = 25

°C,

VCC = ± 15 V ，R

= 1 M ，除非另有说明）

参数

光谱响应范围

峰值灵敏度波长

反馈电阻（内置）

反馈电容（内置）

照片灵敏度

输出噪声电压

噪声等效功率

输出失调电压

截止频率

输出电压摆幅

电源电流

符号

λp

NEP

VOS

ICC

条件

S8745-01

190到1100

960

0.12

0.52

±4

0.3

S8746-01

单位

V /净重

μVRMS / Hz的

1/2

FW / Hz的

1/2

λ=200

λ=λp

暗态F = 10赫兹

黑暗状态， F = 20赫兹

λ=λp,

F = 10赫兹

λ=λp,

F = 20赫兹

暗态

-3分贝

暗态

思photodioe与前置放大器

图1光谱响应

S8745-01, S8746-01

0.6

S8745-01, S8746-01

[ Typ.Ta = 25℃， Rf值= 1个G

（内置）， CF = 5 pF的（内置） ]

PHOTO灵敏度（ V / NW）

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

190

400

600

800

1000

1200

波长（nm ）

KSPDB0232EA

S8745-的内置的反馈电阻和电容

01和S8746-01是1 GΩ和5 pF的分别。这

组合提供了约0.1至0.5伏/纳瓦在一个灵敏度

的波长范围为190至1100纳米。

图2中的增益 - 频率特性

S8745-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

=1 M]

S8745-01

+111 M

（外部连接）

+11 M

（外部

连接）

S8746-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

=1 M]

S8746-01

+111 M

（外部连接）

+11 M

（外部

连接）

电流 - 电压转换增益（ MΩ ）

+1 M

（外部

连接）

+1 M

（外部

连接）

-1

-2

0.01

0.1

100

-2

0.01

0.1

100

频率（kHz ）

KSPDB0233EA

频率（kHz ）

KSPDB0234EA

电流 - 电压变换增益可通过连接销4和6之间的外部反馈电阻被改变

为S8745-01和之间销9和12，用于S8746-01 （参见图5）。图2示出了频率响应

S8745-01和S8746-01的具有或不具有外部连接的反馈电阻的特性。由于S8745-01

和S8746-01有一个内置的1 GΩ的电阻器，例如总反馈电阻将被转换为100 MΩ

外部连接的111 MΩ电阻。根据入射光水平是选择所需的恒定

检测到。

注）如果外部反馈电阻是1M的

或更小，增益峰值可能出现在频率响应。因此，一定要

连接匹配的反馈电容进行相位补偿。

思photodioe与前置放大器

图3输出噪声电压与频率

S8745-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

= 1 MΩ ，暗态]

100

S8745-01, S8746-01

S8746-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

= 1 MΩ ，暗态]

输出噪声电压（ μVRMS /赫兹

1/2

)

输出噪声电压（ μVRMS /赫兹

1/2

)

S8745-01

+111 M

（外部

连接）

+11 M

（外部

连接）

S8746-01

+111 M

（外部

连接）

0.1

+1 M

（外部

连接）

0.1

+11 M

（外部

连接）

+1 M

（外部

连接）

0.01

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.01

0.001

0.01

0.1

100

1000

频率（kHz ）

KSPDB0235EA

频率（kHz ）

KSPDB0236EA

输出噪声电压和NEP （等效噪声功率）的特性允许你检查设备是否可以检测到低

级光要测量。因为NEP由等式（1）给定为右图所示， NEP的波长比其它

λp

可以

很容易地从图1中计算出的和图4 。

注） S8745-01和S8746-01仅用于与内部电流 - 电压增益，则建议的" - IN"引线（引脚6为S8745-

01 ;销9为S8746-01 ）被切断，以很短的长度，以减少外部噪声的影响尽可能。

NEP （F ，

λ)

NEP （F ，

λp)

·S （ λP ）

VN（ F）

··· (1)

S (λ)

I - V（ F）

· SSI（ λ ）

NEP （F ，

λ)

：待检测的NEP在频率和波长

NEP （F ，

λp):

NEP的峰值波长（见图4 ）

I- V（ F）

：电流 - 电压转换增益（参见图2）

SSI（ λ ）

：硅光电二极管的灵敏度

S (λ)

： S8745-01和S8746-01的灵敏度（见图1 ）

S（ λP ）

：灵敏度S8745-01和S8746-01的峰值波长， 0.5 V /净重

VN（ F）

：输出噪声电压（见图3 ）

图4 NEP与频率的关系

S8745-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

= 1 MΩ ，暗态，

S8746-01

[典型。 TA = 25℃， VCC = ± 15 V ， CF = 5 pF的（内置），R

= 1 MΩ ，暗态，

+1 M

（外部

连接）

+11 M

（外部

连接）

+111 M

（外部

连接）

+1 M

（外部

连接）

+11 M

（外部

连接）

+111 M

（外部

连接）

NEP （ FW /赫兹

1/2

)

NEP （ FW /赫兹

1/2

)

0.001

S8745-01

0.01

0.1

100

1000

S8746-01

0.001

0.01

0.1

100

1000

频率（kHz ）

KSPDB0237EA

频率（kHz ）

KSPDB0238EA

思photodioe与前置放大器

图5应用电路实例

S8745-01

VCC +

S8745-01, S8746-01

（外部连接）

0.1 F

TO-5

包

RF = 1个G

（内置）

CF = 5 pF的（内置）

窗口

（石英）

光电二极管

是输入阻抗，以

下一级电路时

从OUT端子观察。

0.1 F

VCC-

KSPDC0048EA

S8746-01

VCC +

（外部连接）

0.1 F

TO-8

包

RF = 1个G

（内置）

CF = 5 pF的（内置）

窗口

（石英）

光电二极管

是输入阻抗，以

下一级电路时

从OUT端子观察。

0.1 F

VCC-

KSPDC0049EA

S8745-01 S8746-01和使用程序包所提供的保护环的作用。为了使测量过程中是否有效，该

封装引脚（引脚5为S8745-01 ;引脚5和引脚11为S8746-01 ）应该连接到接地线。

当反馈电阻器外部连接，需要提供一种保护环在电路板上或以提供聚四氟乙烯

防区外的线索。

注）钽或为0.110 μF陶瓷电容器必须连接到电源电压引脚（引脚3和9为S8745-01 ;

管脚1和4为S8746-01 ），为用于防止器件振荡一个旁路电容。

思photodioe与前置放大器

图6外形尺寸（单位：毫米）

S8745-01

9.15 ± 0.2

窗口

3.0 ± 0.1

6.4 ± 0.2

S8745-01, S8746-01

S8746-01

15.2 ± 0.3

14.0 ± 0.2

窗口

10.0 ± 0.2

5.1 ± 0.2

3.45

(13.5)

8.2 ± 0.1

0.45

领导

0.5 MAX 。

光敏

表面

4.7

光敏

表面

(20)

0.45

领导

VCC +

OUT

例

-IN

+ IN

VCC-

GND

5.08 ± 0.2

5.84 ± 0.2

1.2最大。

VCC +

VCC-

例

+ IN

-IN

GND

例

OUT

5.08 ± 0.2

底部视图

10.16 ± 0.2

底部视图

KSPDA0158EA

KSPDA0159EA

使用注意事项

ESD

S8745-01和S8746-01可能已损坏或它们的性能可能等因素的静电放电恶化

从人的身体，从测量设备的浪涌电压，从烙铁和包装泄漏电压

材料。由于对静电放电，设备，运营商对策，工作地点和测量夹具必须

所有被设置在相同的电位。以下注意事项必须在使用过程中应遵循：

·为了保护器件免受静电放电，积累经营者或经营者的衣服，用手腕

带或类似的工具，以通过高阻抗电阻器（1兆欧），接地操作者的身体。

·半导电片材（1 MΩ到100 MΩ ）应敷设工作表，并在工作区的地板两者上。

·焊接时，使用一个接地的烙铁超过10 MΩ的绝缘电阻。

·对于容器和包装，使用的导电性材料，或铝箔是有效的。当使用抗静电材料，可以使用

1为0.1 MΩ / cm的电阻

1 GΩ /厘米

接线

如果电流或电压以相反的极性被施加到电子设备，诸如前置放大器，这会降低

设备性能或损坏设备。经常检查接线和外形尺寸，以避免误。

提供的信息滨松被认为是可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。

规格若有变更，恕不另行通知。没有专利权授予任何本文所描述的电路。 2004滨松光子学株式会社

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10.16 ± 0.2

猫。第KSPD1065E01

2004年12月DN