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> STD724
STD724
NPN型中功率晶体管
特点
■
表面安装器件在中
电源功率DPAK封装
可在磁带&卷轴包装
在遵守2002 /93 / EC
欧洲指令
3
1
■
■
应用
■
■
■
电压调节
继电器驱动器
通用交换机,
DPAK
描述
该装置是一种NPN晶体管制造
采用平面技术产生凹凸不平高
高性能器件。
内部原理图
订购代码
产品型号
STD724T4
记号
D724
包
DPAK
填料
磁带&卷轴
2005年10月
REV 2
1/10
www.st.com
10
1电气额定值
STD724
1
表1中。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
J
电气额定值
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
集电极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
P
<为5ms )
基极电流
基峰电流(T
P
<为5ms )
总功耗在T
c
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
30
5
3
6
1
2
15
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
表2中。
符号
R
THJ - AMB
热数据
参数
热阻结大使
____________________Max
价值
8.33
单位
° C / W
2/10
STD724
2电气特性
2
表3中。
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
电气特性
电气特性
(T
例
= 25°C ;除非另有规定)
参数
集电极截止电流
(V
BE
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 基
击穿电压(I
E
= 0)
测试条件
V
CE
= 60V
V
CE
= 30V
V
EB
= 5V
I
C
= 100μA
I
C
= 10毫安
I
E
= 100
μA
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
B
= 50毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 150毫安
I
B
= 100毫安
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
I
c
= 0.1 A
100
80
30
100
60
30
5
0.4
0.7
1.1
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
10
100
10
单位
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿
注1
电压(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
V
CE ( SAT )
注1
V
BE ( SAT )
注1
h
FE
f
T
集电极 - 发射极击穿
电压(I
C
= 0)
集电极 - 发射极饱和
电压
基极 - 发射极饱和电压I
C
= 2 A
I
C
= 100毫安
直流电流增益
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
晶体管频率
V
CE
= 10 V
300
兆赫
1脉冲持续时间= 300
μ
S,占空比
≤
1.5%.
3/10
2电气特性
STD724
2.1
电气特性(曲线)
直流电流增益
图2中。
直流电流增益
图1 。
网络连接gure 3 。
集电极 - 发射极饱和电压如图4所示。
基射极饱和电压
图5中。
开关时间在阻性负载
图6 。
开关时间阻性负载
4/10
STD724
图7 。
反向偏置区
2电气特性
5/10
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STD724
PDF信息
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