固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF20P10J
20安培/ 100伏特
200 m
P沟道MOSFET
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅
低导通电阻和高
跨
优良的高温稳定性
密封，隔离包装
低总栅极电荷
快速开关
替代IRF9140类型
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
设计师的数据表
TO-257
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
马克斯。连续漏电流（包有限）
马克斯。雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
（结点到外壳）
包装外形：
TO- 257 （J ）
引脚说明：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
符号
V
DSS
V
GS
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 100C
@ L = 0.1 mH的
@ L = 0.1 mH的
@ L = 0.1 mH的
@ T
C
= 25C
I
D1
I
D2
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
价值
-100
±20
20
11
20
12.5
500
100
-55到+150
1.25
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
W
C
摄氏度/ W
后缀加多宝
后缀JUB
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： FT0012A
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
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ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF20P10J
符号
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A ， TJ = 25
o
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A ， TJ = 25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ±20V
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
j
= 25
o
C
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
j
= 125
o
C
V
DS
= 10V分钟，我
D
= 11A ，T
j
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
I
D
= 18A
R
G
= 9.1
I
F
= 20A ，V
GS
= 0V
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A /微秒
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
电气特性
4/
漏源击穿电压
漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
门源漏
零栅极电压漏极电流
正向跨导
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％ 。
4 /除非另有说明，所有电气特性@ 25
o
C.
民
-100
––
––
-2.0
––
––
––
6
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
TYP MAX
––
140
150
––
5
0.01
0.75
55
55
12
29
30
27
70
45
1.90
270
2
1400
600
180
––
200
230
-4.0
±100
25
250
––
70
15
45
35
85
85
65
4.20
350
3.6
1650
740
260
单位
V
m
V
nA
A
A
姆欧
nC
纳秒
V
纳秒
C
pF
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： FT0012A
DOC
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