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STSJ80N4LLF3
N沟道40V - 0.0042Ω - 18A - PowerSO - 8
的STripFET III功率MOSFET的DC- DC转换器
一般特点
TYPE
STSJ80N4LLF3
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
0.005
I
D
18A
(1)
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
开关损耗而有所降低
低阈值设备
改进的结外壳热阻
PowerSO-8
描述
该系列产品采用了最新的先进
意法半导体独有的STripFET 设计规则
技术。这个过程加上独特的
金属化技术来实现最
在SO- 8先进的低电压功率MOSFET
有史以来生产。暴露蛞蝓减少
Rthj -C提高电流能力。
内部原理图
应用
■
开关应用
漏接触另在背面
订购代码
产品型号
STSJ80N4LLF3
记号
80N4LL-
包
PowerSO-8
包装
磁带&卷轴
2006年11月
REV 3
1/12
www.st.com
12
目录
STSJ80N4LLF3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STSJ80N4LLF3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
V
GS （ 1 ）
I
D (2)
I
D (3)
I
D (2)
I
DM （4）
P
tot(2)
P
tot(3)
Tj
TSTG
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
最大工作结温
储存温度
价值
40
± 16
±18
80
18
50
72
70
3
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
1.为保证测试时间为15ms <
2.该值是根据Rthj -C额定
3.该值是根据Rthj -的pcb额定
4.脉冲与受安全工作区
表2中。
符号
R
THJ -C
R
thj-pcb(1)
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
价值
1.8
42
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜（ t<10sec ）。
3/12
电气特性
STSJ80N4LLF3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
≤ 40V ，T
C
= 25°C
V
DS
≤ 40V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9A
1
0.0042
0.005
0.005
0.007
分钟。
40
10
100
±200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
2530
574
29
21.5
6.9
8.2
1
3
28
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 20V ，我
D
= 18A
V
GS
= 4.5V
（参见图13）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
nC
nC
nC
门输入电阻
5
4/12
STSJ80N4LLF3
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20V ，我
D
= 9A
R
G
= 4.7 , V
GS
= 10V
（参见图15）
V
DD
= 20V ，我
D
= 9A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
17
25
62
9
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 18A ，V
GS
= 0
I
SD
= 18A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（参见图14）
43
64
3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
18
72
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
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