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飞利浦半导体公司线性产品

产品speci fi cation

双路高性能运算放大器

NE/SA/SE5512

描述

在5512系列高性能运算放大器提供

很不错的输入特性。这些放大器具有低输入

偏压和电压特性诸如108的运算放大器

提高共模抑制比，实现了高差分输入电压限制

通过采用一个偏置消除和PNP输入电路的同

集电极 - 发射极间的夹紧。输出特性都喜欢

那些一个741的运算放大器具有改进的压摆率和驱动能力，

还具有低电源静态电流。

销刀豆网络gurations

N包装

输出1

-INPUT 1

+ INPUT 1

V-

1

2

3

4

顶视图

8

7

6

5

V+

输出2

-INPUT 2

+ INPUT 2

应用

AC放大器

RC有源滤波器

传感器放大器

DC增益模块

电池操作

仪表放大器器

特点

包

1

+ INPUT 1

V-

+ INPUT 2

-INPUT 2

1

2

3

4

2

1

8

7

6

5

-INPUT 1

输出1

V+

输出2

顶视图

注意：

1. D封装的引脚并不功能相同

到N的引脚。

低输入偏置<

±20nA

低输入偏置电流<

±20nA

低输入偏移电压<1mV

VOS低温度漂移5μV / ℃，

低输入偏置温度漂移40PA /°C的

低输入电压噪声30nV / √Hz的

低电源电流1.5毫安/放大器

高转换速率1.0V / μs的

高CMRR 100分贝

订购信息

描述

8引脚塑料小外形（ SO ）封装

8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）

8引脚塑料小外形（ SO ）封装

8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）

8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）

高输入阻抗100MΩ

高PSRR 110分贝

高差分输入电压限制

无交越失真

无限制的输出短路保护

内部补偿为单位增益

600Ω驱动能力

MIL -STD处理提供

温度范围

0至70℃

0至70℃

-40至+ 85°C

-40至+ 85°C

-55到+ 125°C

订货编号

NE5512D

NE5512N

SA5512D

SA5512N

SE5512N

DWG ＃

0174C

0404B

0174C

0404B

0404B

1994年8月31日

78

853-0948 13721

飞利浦半导体公司线性产品

产品speci fi cation

双路高性能运算放大器

NE/SA/SE5512

绝对最大额定值

符号

V

CC

P

MAX

电源电压

最大功耗，

T

A

= 25 ° C（静止空气中）

1

N包装

包

T

A

工作环境温度范围

NE5512

SA5512

SE5512

T

英镑

T

出售

存储温度范围

焊接温度（ 10秒最大）

0至+70

-40至+85

-55到+125

-65到+150

300

°C

°C

°C

°C

°C

1212

800

mW

mW

参数

等级

±16

单位

V

注意事项：

1.以下的降额系数应高于25 °C的应用

N包装，为9.7mW /°C的

包在6.4MW /°C的

1994年8月31日

79

飞利浦半导体公司线性产品

产品speci fi cation

双路高性能运算放大器

NE/SA/SE5512

电气性能特点

V

CC

=

±15V,

T

A

= 25℃以上的温度范围内，除非另有规定。

符号

参数

测试条件

R

S

=100

T

A

=+25°C

温度过高。

R

S

=100k

T

A

=+25°C

温度过高。

R

S

=100k

T

A

=+25°C

温度过高。

T

A

=+25°C

T

A

=+25°C

温度过高。

V

CC

=±15V

V

IN

=±13.5V

T

A

=+25°C

V

IN

=±13V

温度过高。

R

L

= 2kΩ的牛逼

A

=25°C

V

O

= ± 10V温度过高。

T

A

=25°C

T

A

=25°C

T

A

=25°C

R

L

=2k

T

A

=25°C

温度过高。

R

L

=600

1

T

A

=25°C

温度过高。

R

L

→打开

T

A

=25°C

温度过高。

温度过高。

F = 1kHz至20kHz的，

T

A

=25°C

f=10kHz

T

A

=25°C

V

O

=7V

RMS

f=1kHz

T

A

=25°C

f=1kHz

T

A

=25°C

±15V,

T

A

=25°C

80

±13

±12.5

±10

±7.5

50

25

0.6

200

1

3

45

±13.5

±13

±11.5

±9

3.4

3.6

100

-120

0.01

5

5.5

80

±13

±12.5

±10

±8

50

25

200

1

3

45

±13.5

±13

±11.5

±9

3.4

3.6

100

-120

0.01

5

5.5

V / MV

V / μs的

兆赫

度

V

70

100

70

100

dB

±13.5

±13

SE5512

民

典型值

0.7

1

4

输入失调电流

3

4

30

输入偏置电流

3

4

30

输入阻抗差动

输入共模范围

100

±13.7

±13.2

±13.5

±13

10

20

10

20

最大

2

3

民

NE/SA5512

典型值

1

1.5

5

6

8

40

6

8

40

100

±13.7

±13.2

20

30

20

30

最大

5

6

单位

V

OS

V

OS

/T

I

OS

I

OS

/T

I

BIAS

I

BIAS

/T

R

IN

V

CM

输入失调电压

mV

μV/°C

nA

PA / ℃，

nA

PA / ℃，

M

V

CMRR

输入共模抑制

比

A

V

SR

GBW

θ

M

V

OUT

大信号电压增益

压摆率

小信号增益频带 -

宽度

相位裕度

输出电压摆幅

V

OUT

输出电压摆幅

V

I

CC

PSRR

AA

电源电流

电源抑制比

放大器对放大器耦合

mA

dB

dB

THD

总谐波失真

%

V

噪音

I

噪音

I

SC

输入噪声电压

输入噪声电流

短路电流

30

0.2

40

30

0.2

40

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

mA

注意事项：

1.不超过最大封装功耗。

1994年8月31日

80

飞利浦半导体公司线性产品

产品speci fi cation

双路高性能运算放大器

NE/SA/SE5512

等效原理图

（ ONE运算放大器）

V+

-V

IN

+V

IN

产量

-V

1994年8月31日

81

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25500

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14+

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