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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1558页 > SI9165
Si9165
Vishay Siliconix公司
高频600毫安同步降压/升压转换器
特点
D
D
D
D
电压模式控制
完全集成的MOSFET开关
2.7 V至6 V的输入电压范围
可编程PWM / PSM控制
高达600 mA的输出电流@ 3.3 V的PWM
高达2 MHz的可调开关频率的PWM
低于200 mA的静态电流PSM
D
D
D
D
集成的UVLO和POR
集成的软启动
同步
关断电流<1
mA
描述
该Si9165提供了完全集成的同步降压或
提振最新一期芯锂离子转换器解决方案
蜂窝电话。能够提供最大输出600毫安
目前,在+ 3.3V时, Si9165提供了充足的功率不同
基带电路以及用于某些功率放大器。它结合了
2 MHz开关控制器完全集成的高频
MOSFET,可提供最小,效率最高的转换器
可今天。 2 MHz的开关频率降低
电感器高度为2mm的新水平,最大限度地减少了输出
电容要求小于10
mF
与峰 - 峰
输出纹波低至10毫伏。结合低栅极电荷
高频的MOSFET ,该Si9165提供效率高达
95%。可编程脉冲跳跃模式保持这种
高效率,即使在待机和空闲模式,
提高整体的电池寿命和通话时间。为了提取
功率的最后盎司从电池中, Si9165设计
与降压模式占空比为100%的控制。以100 %的占空
周期中, Si9165操作类似于饱和线性稳压器
提供最高的潜在输出电压更长的通话时间。
该Si9165可在标准和铅(Pb ) - 免费
TSSOP -20引脚封装。为了满足严格的
环境温度的要求, Si9165的额定
处理的工业温度范围
25_C
至85℃ 。
标准应用电路
V
IN
2.7
X
6 V
V
OUT
0
X
600毫安
V
IN
2.7
X
6 V
V
DD
模式
COIL
V
O
V
S
V
IN / OUT
FB
关闭
PWM / PSM
SYNC
保护地
COMP
R
OSC
REF
GND
关闭
PWM / PSM
SYNC保护地
V
DD
模式
V
S
V
IN / OUT
V
O
COIL
保护地
FB
COMP
R
OSC
REF
GND
V
OUT
0
X
600毫安
升压配置
文档编号: 70845
S- 40693 -REV 。 C, 19 -APR- 04
巴克配置
www.vishay.com
1
Si9165
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考GND
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 V
模式, PWM / PSM , SYNC , SD ,
V
REF
, R
OSC
COMP , FB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+0.3 V
V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
S
+0.3 V
保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"0.3
V
电压参考PGND
V
S
, V
IN / OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 V
线圈。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.4
V到V
IN / OUT
+0.4 V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散(包)
a
20引脚TSSOP (Q后缀)
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0 W
热阻抗( θ
JA
)
20引脚TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免8.0毫瓦/
_
C以上25
_
C.
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
电压参考GND
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7 V至6 V
模式, PWM / PSM , SYNC , SD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
DD
电压参考PGND
V
S
, V
IN / OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7 V至6 V
F
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200 kHz到2 MHz的
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至300千瓦
V
REF
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.1
mF
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
负载调整率
电源抑制
V
REF
DV
REF
P
SRR
I
REF
= 0
T
A
= 25 ° C,I
REF
= 0
V
DD
= 3.3 V,
500
A
& LT ;我
REF
<0
1.268
1.280
1.3
1.3
3
60
1.332
1.320
V
mV
dB
范围
a
典型值
b
最大
a
单位
符号
2.7 V& LT ; V
DD
< 6V ,
V
IN / OUT
= 3.3 V, V
S
= 3.3 V
UVLO
欠压锁定(开启)
迟滞
V
UVLOLH
V
HYS
V
UVLOLH
V
UVLOHL
2.3
2.4
0.1
2.5
V
软启动时间
SS时间
TSS
6
ms
模式
逻辑高
逻辑低
输入电流
V
IH
V
IL
I
L
1.0
0.7 V
DD
0.3 V
DD
1.0
V
mA
SD , SYNC , PWM / PSM
逻辑高
逻辑低
输入电流
www.vishay.com
V
IH
V
IL
I
L
1.0
2.4
0.8
1.0
V
mA
2
文档编号: 70845
S- 40693 -REV 。 C, 19 -APR- 04
Si9165
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
振荡器
最大频率
准确性
最大占空比(降压,非LDO模式)
最大占空比(升压)
SYNC范围
SYNC低电平脉宽
SYNC高脉冲宽度
SYNC吨
r
, t
f
D
最大
F
SYNC
/F
OSC
F
最大
标称1.60兆赫,R
OSC
= 30千瓦
FSW = 2MHz的
2
20
75
50
1.2
50
50
50
ns
85
65
1.5
20
%
兆赫
范围
a
典型值
b
最大
a
单位
符号
2.7 V& LT ; V
DD
< 6V ,
V
IN / OUT
= 3.3 V, V
S
= 3.3 V
误差放大器器
输入偏置电流
开环电压增益
FB阈值
单位增益带宽
输出电流
I
BIAS
A
VOL
V
FB
BW
I
EA
源(V
FB
= 1.05 V), V
COMP
= 0.75 V
水槽(V
FB
= 1.55 V), V
COMP
= 0.75 V
1
T
A
= 25_C
V
FB
= 1.5 V
1
50
1.270
1.258
60
1.30
1.30
2
3
3
1
1.330
1.342
1
mA
dB
V
兆赫
mA
输出电流
输出电流( PWM)的
升压模式
c
降压模式
d
升压模式
c
降压模式
d
r
DS ( )
DS ( ON)
I
OUT
V
IN
v
V
OUT
= 2.7 5.0 V
V
IN
w
V
OUT
= 2.7 6.0 V
V
IN
= 3.3 V, V
OUT
= 3.6 V
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 2.7 V
V
S
w
3 3 V
3.3
600
600
150
150
130
160
300
330
mW
mA
输出电流( PSM )
r
DS ( ON)
N沟道
r
DS ( ON)
P沟道
过温保护
TRIP POINT
迟滞
升温
165
25
°C
电源电流
普通模式
PSM模式
关断模式
I
DD
V
DD
= 3.3 V,F
OSC
= 2 MHz的
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 3.3 V , SD = 0 V
500
180
750
250
1
mA
笔记
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
B 。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 V
IN
= V
DD,
V
OUT
= V
IN / OUT
= V
S
= V
O
, L = 1.5
mH
D. V
IN
= V
DD
= V
S
= V
IN / OUT
, V
OUT
= V
O
, L = 1.5
mH
文档编号: 70845
S- 40693 -REV 。 C, 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
Si9165
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
1.310
V
REF
与V
DD
1.32
V
REF
与温度的关系
1.305
V
REF
(V)
V
REF
(V)
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DD
(V)
4.5
5.0
5.5
6.0
1.31
1.300
1.30
1.295
1.29
1.290
2.0
1.28
50
0
50
温度(℃)
100
150
2.00
1.95
频率与温度
10000
频率与
OSC
R
OSC
= 25千瓦
频率(MHz)
频率(kHz )
1.90
1.85
1.80
1.75
1.70
100
1000
100
50
0
50
100
150
10
100
R
OSC
( kW)的
1000
温度(℃)
100
95
90
降压模式的效率,V
O
= 2.7 V
95
PSM - 3 V
升压模式下的效率,V
O
= 3.6 V
PWM - 2.7 V
PWM - 3.3 V
90
85
效率(%)
PWM - 3 V
PWM - 3.6 V
PSM - 3.3 V
PSM - 3.6 V
效率(%)
85
PSM - 4.2 V
80
PSM - 2.7 V
80
75
70
65
60
1
75
70
65
60
PWM - 4.2 V
10
100
1000
1
10
100
1000
负载电流(mA )
负载电流(mA )
文档编号: 70845
S- 40693 -REV 。 C, 19 -APR- 04
www.vishay.com
4
Si9165
Vishay Siliconix公司
典型特性( 25 ° C除非另有说明)
PWM电源电流
800
700
200
600
I
DD
(MA )
500
400
100
300
200
2
3
4
5
6
7
V
DD
(V)
50
2
3
4
5
V
DD
(V)
6
7
I
DD
(MA )
150
250
PSM电源电流
引脚配置和订购信息
TSSOP-20
NC
SD
PWM / PSM
V
IN / OUT
V
IN / OUT
V
IN / OUT
SYNC
GND
V
REF
FB
1
20
2
19
3
18
4
17
5
16
Si9165BQ
6
15
7
14
8
13
9
12
10
11
顶视图
COIL
COIL
模式
保护地
保护地
V
S
V
O
V
DD
R
OSC
COMP
订购信息
产品型号
Si9165BQ-T1
Si9165BQ-T1—E3
温度范围
25
至85℃
25
磁带和卷轴
EVAL KIT
Si9165DB
温度范围
25
至85℃
板类型
表面贴装
引脚说明
1
2
3
4, 5, 6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
19, 20
符号
N / C
SD
PWM / PSM
V
IN / OUT
SYNC
GND
V
REF
FB
COMP
ROSC
V
DD
V
O
V
S
保护地
模式
COIL
未使用
描述
关断IC完全和减小电流由IC消耗<1
毫安。
逻辑高= PWM模式下,逻辑低= PSM模式。在PSM模式,同步整流被禁用。
输入节点,降压模式和输出节点升压模式。
外部控制的同步信号。逻辑高电平到低电平的转换迫使时钟同步。
如果不使用,则
引脚必须连接到V
DD
或逻辑高电平。
低功耗控制器接地
1.3 V基准电压源。去耦0.1 -MF电容。
输出电压反馈连接到误差放大器的反相输入端。
误差放大器的输出进行外部补偿网络。
外部电阻器来确定开关频率。
输入电源电压的模拟电路。输入电压范围为2.7 V至6 V.
直接输出电压感测,控制在PSM模式下的峰值电感电流。
电源电压为内部MOSFET驱动电路。
电源地。
确定转换器的拓扑结构。连接到AGND的降压或V
DD
为提振。
电感器连接节点
www.vishay.com
文档编号: 70845
S- 40693 -REV 。 C, 19 -APR- 04
5
Si9165
Vishay Siliconix公司
高频600毫安同步降压/升压转换器
描述
该Si9165提供了完全集成的同步降压或
提振最新一期芯锂离子转换器解决方案
蜂窝电话。能够提供最大输出600毫安
目前在+ 3.3 V时, Si9165提供了充足的电源
各个基带电路以及用于某些功率放大器。它
结合了完全集成的2 MHz的开关控制器
高频MOSFET,可提供最小,最
高效转换器上市。在2 MHz的开关
频率降低了电感器的高度,以2mm的新的水平
并最小化了输出电容要求更少
超过10 μF用峰 - 峰值输出纹波低至10 mV的。
结合低栅极电荷高频MOSFET的,
该Si9165提供效率高达95 % 。可编程
脉冲跳跃模式,即使保持这种高效率
在待机和空闲模式,以提高整体的电池
生活和通话时间。以提取功率的最后盎司
从该电池中, Si9165设计有100 %的占空
周期控制降压模式。以100 %的占空比,则
Si9165的运作就像一个饱和的线性稳压器,提供
最有潜力的输出电压更长的通话时间。
该Si9165可在无铅(Pb ) - 免费TSSOP- 20引脚
包。为了满足严格的环境
温度要求, Si9165的额定处理
工业温度范围 - 25 ° C至85°C 。
特点
电压模式控制
完全集成的MOSFET开关
RoHS指令
2.7 V至6 V的输入电压范围
柔顺
可编程PWM / PSM控制
- 高达600 mA输出电流在3.3 V的PWM
- 高达2 MHz可调开关频率的PWM
- 小于200 μA的静态电流PSM
集成的UVLO和POR
集成的软启动
同步
关断电流< 1 μA
标准应用电路
V
IN
2.7 6
V
V
OUT
0至600毫安
V
IN
2.7 6
V
V
DD
模式
COIL
V
O
V
S
V
IN / OUT
FB
关闭
PWM / PSM
SYNC
保护地
COMP
R
OSC
REF
GND
关闭
PWM / PSM
SYNC保护地
V
DD
模式
V
S
V
IN / OUT
V
O
COIL
保护地
FB
COMP
R
OSC
REF
GND
V
OUT
0至600毫安
升压配置
文档编号: 70845
S- 72058 -REV 。 D, 2008年10月07
巴克配置
www.vishay.com
1
Si9165
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
电压参考GND
V
DD
模式, PWM / PSM , SYNC , SD ,V
REF
, R
OSC
,COMP FB
V
O
保护地
电压参考PGND
V
S
, V
IN / OUT
COIL
峰值输出电流
连续输出电流
存储温度范围
工作结温
功率耗散(包)
a
20引脚TSSOP (Q后缀)
b
20引脚TSSOP
热阻抗( θ
JA
)
注意事项:
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免8.0毫瓦/°C, 25°C以上。
极限
6.5
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
- 0.3 V到V
S
+ 0.3 V
± 0.3
6.5
- 0.4 V到V
IN / OUT
+ 0.4 V
3
1
- 65 150
150
1.0
125
单位
V
V
A
°C
W
° C / W
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电压参考GND
V
DD
模式, PWM / PSM , SYNC , SD
电压参考PGND
V
S
, V
IN / OUT
F
OSC
R
OSC
V
REF
电容
极限
2.7 V至6 V V
0 V至V
DD
2.7 V至6 V
200 kHz到2 MHz的
25 kΩ到300千欧
0.1
单位
V
V
F
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
2.7 V
& LT ;
V
DD
< 6 V ,
V
IN / OUT
= 3.3 V, V
S
= 3.3 V
I
REF
= 0 A
T
A
= 25 ° C,I
REF
= 0
V
DD
= 3.3 V , - 500 μA <我
REF
& LT ; 0
范围
a
1.268
1.280
典型值
b
1.3
1.3
3
60
2.3
V
UVLOLH
- V
UVLOHL
2.4
0.1
6
0.7 V
DD
0.3 V
DD
- 1.0
1.0
2.5
最大
a
1.332
1.320
单位
参数
参考
输出电压
负载调整率
电源抑制
UVLO
欠压锁定(开启)
迟滞
软启动时间
SS时间
模式
逻辑高
逻辑低
输入电流
符号
V
REF
ΔV
REF
P
SRR
V
UVLO / LH
V
HYS
t
SS
V
IH
V
IL
I
L
V
mV
dB
V
ms
V
A
www.vishay.com
2
文档编号: 70845
S- 72058 -REV 。 D, 2008年10月07
Si9165
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
2.7 V
& LT ;
V
DD
< 6 V ,
V
IN / OUT
= 3.3 V, V
S
= 3.3 V
范围
a
2.4
0.8
- 1.0
2
标称1.60兆赫,R
OSC
= 30 kΩ
D
最大
F
SYNC
/F
OSC
F
SW
= 2 MHz的
- 20
75
50
1.2
50
50
50
I
BIAS
A
VOL
V
FB
BW
I
EA
源(V
FB
= 1.05 V), V
COMP
= 0.75 V
水槽(V
FB
= 1.55 V), V
COMP
= 0.75 V
V
IN
V
OUT
= 2.7 5.0 V
I
OUT
V
IN
V
OUT
= 2.7 6.0 V
V
IN
= 3.3 V, V
OUT
= 3.6 V
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 2.7 V
r
DS ( ON)
V
S
3.3 V
1
600
600
150
150
130
160
165
25
V
DD
= 3.3 V,F
OSC
= 2 MHz的
I
DD
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 3.3 V , SD = 0 V
500
180
750
250
1
A
300
330
mA
T
A
= 25 °C
V
FB
= 1.5 V
-1
50
1.270
1.258
60
1.30
1.30
2
-3
3
-1
1.330
1.342
1
A
dB
V
兆赫
mA
ns
85
65
1.5
20
%
1.0
典型值
b
最大
a
单位
参数
SD , SYNC , PWM / PSM
逻辑高
逻辑低
输入电流
振荡器
最大频率
准确性
最大占空比(降压,非LDO模式)
最大占空比(升压)
SYNC范围
SYNC低电平脉宽
SYNC高脉冲宽度
SYNC吨
r
, t
f
误差放大器器
输入偏置电流
开环电压增益
FB阈值
单位增益带宽
输出电流
输出电流
输出电流( PWM)的
升压模式
c
降压模式
d
升压模式
c
降压模式
d
符号
V
IH
V
IL
I
L
F
最大
V
A
兆赫
输出电流( PSM )
r
DS ( ON)
N沟道
r
DS ( ON)
P沟道
过温保护
TRIP POINT
迟滞
电源电流
普通模式
PSM模式
关断模式
升温
°C
注意事项:
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
B 。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 V
IN
= V
DD
, V
OUT
= V
IN / OUT
= V
S
= V
O
L = 1.5 μH 。
D. V
IN
= V
DD
= V
S
= V
IN / OUT
, V
OUT
= V
O
L = 1.5 μH 。
文档编号: 70845
S- 72058 -REV 。 D, 2008年10月07
www.vishay.com
3
Si9165
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
1.310
1.32
1.305
V
REF
(V)
V
REF
(V)
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DD
- (V)
4.5
5.0
5.5
6.0
1.31
1.300
1.30
1.295
1.29
1.290
2.0
1.28
- 50
0
50
温度(℃)
100
150
V
REF
与V
DD
2.00
10000
V
REF
与温度的关系
1.95
R
OSC
= 25 k
Ω
频率(MHz)
1.85
频率(kHz )
- 50
0
50
100
150
1.90
1000
1.80
1.75
1.70
- 100
100
10
100
R
OSC
(kΩ)
1000
温度(℃)
频率与温度
100
95
90
PSM - 3.6 V
PSM - 3 V
频率与
OSC
95
90
85
效率(%)
PWM - 2.7 V
PWM - 3.3 V
PSM - 3.3 V
效率(%)
85
PSM - 4.2 V
PWM - 3 V
PWM - 3.6 V
80
PSM - 2.7 V
80
75
70
65
60
1
10
100
1000
负载电流(mA )
PWM - 4.2 V
75
70
65
60
1
10
100
1000
负载电流(mA )
降压模式的效率,V
O
= 2.7 V
升压模式下的效率,V
O
= 3.6 V
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S- 72058 -REV 。 D, 2008年10月07
Si9165
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
800
250
700
200
600
I
DD
(MA )
I
DD
(MA )
2
3
4
V
DD
- (V)
5
6
7
500
150
400
100
300
200
50
2
3
4
5
V
DD
- (V)
6
7
PWM电源电流
PSM电源电流
引脚配置和订购信息
TSSOP-20
NC
SD
PWM / PSM
V
IN / OUT
V
IN / OUT
V
IN / OUT
SYNC
GND
V
REF
FB
1
20
2
19
3
18
4
17
5
16
Si9165BQ
6
15
7
14
8
13
9
12
10
11
顶视图
COIL
COIL
模式
保护地
保护地
V
S
V
O
V
DD
R
OSC
COMP
订购信息
产品型号
Si9165BQ-T1-E3
EVAL KIT
Si9165DB
温度范围
- 25 85°C
温度范围
- 25 85°C
磁带和卷轴
板类型
表面贴装
引脚说明
引脚数
1
2
3
4, 5, 6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
19, 20
名字
N / C
SD
V
IN / OUT
SYNC
GND
V
REF
FB
COMP
ROSC
V
DD
V
O
V
S
保护地
模式
COIL
未使用
关闭IC完全,并减少电流的IC消耗< 1 μA 。
输入节点,降压模式和输出节点升压模式。
外部控制的同步信号。逻辑高电平到低电平的转换迫使时钟同步。
否则
使用时,该引脚必须连接到V
DD
或逻辑高电平。
低功耗控制器接地
1.3 V基准电压源。去耦用0.1 μF的电容。
输出电压反馈连接到误差放大器的反相输入端。
误差放大器的输出进行外部补偿网络。
外部电阻器来确定开关频率。
输入电源电压的模拟电路。输入电压范围为2.7 V至6 V.
直接输出电压感测,控制在PSM模式下的峰值电感电流。
电源电压为内部MOSFET驱动电路。
电源地。
确定转换器的拓扑结构。连接到AGND的降压或V
DD
为提振。
电感器连接节点
功能
PWM / PSM逻辑高= PWM模式下,逻辑低= PSM模式。在PSM模式,同步整流被禁用。
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