厚膜混合集成电路
特定网络阳离子
INCHANGE
最大额定值
在TA = 25 ℃ ,TC = 25 ℃除非另有规定
参数
工作衬底温度
AC输入电压
工作温度
储存温度
最大输出功率
(TR1)
漏电流
脉冲漏极电流
反向漏电流
栅源电压
允许功耗
芯片结温
(ZD1)
允许功耗
芯片结温
P
ZD1
Tj(ZD1)max
500
125
mW
℃
符号
T
C
最大
V
AC
TOPR
TSTG
禾最大
指定的测试电路V
O
=135V
条件
推荐值是105 ℃
指定的测试电路
评级
115
140
-10至+ 85
-30 + 115
180
单位
℃
VRMS
℃
℃
W
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
V
GSS
P
D
TJ最大
10
35
10
±30
100
150
A
A
A
V
W
℃
推荐的工作范围
在Ta = 25 ℃
参数
4脚输入电压
振荡器频率
符号
V
4
f
OSC
条件
评级
±8
to±24
20至100
单位
V
千赫
工作特性
在Ta = 25 ℃ ,TC = 25 ℃
(除非另有说明,指定的测试电路)
参数
(TR1)
漏源击穿电压
栅源截止电压
抗性
输入电容
(ZD1)
齐纳电压
V
Z
I
Z
=5mA
23.7
26.3
V
V
( BR ) DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
I
D
=1mA,V
GS
=0V
I
D
=1mA,V
DS
=10V
I
D
=5A,V
GS
=10V
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1MHz
500
2.5
3.5
0.6
1400
5.0
0.9
V
V
Ω
pF
符号
条件
民
典型值
最大
单位