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高速，组合式感
，同步
移动应用MOSFET驱动器
电源管理
描述
该SC1211VX是一款高速，组合式Sense ，双输出
把驱动器设计用于驱动高侧和低侧
的MOSFET同步降压转换器。这些
驱动程序再加上组合式Sense PWM控制器，
如Semtech公司SC2643VX或SC2643 ，提供
成本为先进有效的多相位电压调节器
微处理器。
该组合式Sense是一种技术来检测电感
电流调节电压的峰值电流模式控制
Tor而不使用检测电阻。它所提供的后续
荷兰国际集团的优势：
- 没有昂贵的精密检测电阻
- 无损电流检测
- 高层次无噪声信号
- 快速响应
- 适用于范围广泛的占空比
- 只有两个小信号元件（第三个可选）
该技术的详细解释，可以发现
在应用信息部分。
30ns的最大传播延迟，从输入转移到
功率FET的保障工作在高门
的开关频率。内部的重叠保护电路
防止直通从VIN主到PGND
与同步MOSFET 。自适应重叠亲
tection电路确保底部FET不打开
直到顶端FET源极中已经达到1V时，为了防止横
传导。
高电流驱动能力允许快速切换，从而
降低开关损耗高（高达1.5MHz ） frequen-
资本投资者入境计划，而不会造成热应力的驱动程序。
欠电压锁定和过温关断
功能包括正常和安全运行。
定时锁存器和改进的健壮性内置有
管家功能，如低电压的
锁定和自适应贯通保护电路
为了防止误触发，并确保安全操作。
该SC1211VX处于电源SOIC -8L封装。
SC1211VX
特点
u
高效率
u
高的峰值驱动电流
u
自适应非重叠栅极驱动器提供
u
u
u
u
u
u
u
u
u
贯通保护
支持
组合式Sense
和VID -上飞行动
快速的上升和下降时间（ 15ns的典型有3000pF的
负载）
超低（ <30ns ）传播延迟（ BG变低）
浮顶栅驱动器
撬棍功能，过电压保护
高频率（ 1.5 MHz）的操作允许使用
小型电感器和低成本的陶瓷电容器
欠压闭锁
低静态电流
电源采用SOIC- 8L封装，完全符合RoHS和WEEE
柔顺
应用
u
英特尔奔腾
处理器电源
u
AMD速龙
TM
和AMD- K8
TM
处理器电源
耗材
u
高效率的便携式和笔记本电脑
s
u
电池供电的应用
s
u
高电流低电压的DC-DC转换器
s
二○○五年十月一十二日
1
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SC1211VX
电源管理
典型应用电路
VIN（ + 12V ）
D1
C1
1uF
Q1
PWM
1N4148
4
3
2
1
BST
CO
TG
DRN
R1
9
1R0
1
L1
VOUT
2
U1
VPN
VIN
保护地
VCC
BG
SC1211V X
Q2
C4
5
6
7
的VCC （+ 5V）
8
C2
1uF
R2
C3
电感币种耳鼻喉科信号
2005年升特公司
2
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SC1211VX
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
V
CC
电源电压
VIN至PGND
BST至DRN
BST到PGND
BST到PGND脉冲
DRN到PGND
DRN到PGND脉冲
VPN与PGND
PWM输入
连续功率耗散
热阻结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒。
符号
V
CC
V
IN
V
BST- DRN
V
BST- PGND
V
BST_PULSE
V
DRN - PGND
V
DRN_PULSE
V
PN
CO
P
D
θ
JC
T
J
T
英镑
T
领导
条件
最大
10
30
10
36
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
°C
t
脉冲
＆ LT ;为100ns
41
-2 29
t
脉冲
＆ LT ;为100ns
-4至34
30
-0.3 5
T
A
= 25 ° C，T
J
=125°C
2.56
8
0到+125
-65到+150
300
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
电气特性
除另有规定：T已
A
= 25°C ; V
CC
= 5V
参数
POW ER供应
电源电压
静态电流，工作
欠压锁定
启动阈值
迟滞
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
Iq_op
4.3
5
3.0
6.0
V
mA
V
CC-启动
VHYS
UVLO
4
160
4.3
V
mV
2005年升特公司
3
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SC1211VX
电源管理
电气特性（续）
除另有规定：T已
A
= 25°C ; V
CC
= 5V
参数
CO
高电平输入电压
低电平输入电压
热Shutdow
超温跳闸点
迟滞
高侧驱动器（ TG ）
输出阻抗
上升时间
下降时间
传播延迟， TG变高
传播延迟， TG走出低
低 - 侧驱动器（ BG ）
输出电阻
上升时间
下降时间
传播延迟，血糖变高
传播延迟， BG走出低
欠压闭锁滞后
V
CC
大力推动
V
CC
斜坡下降
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
CO_H
V
CO_L
2.0
0.8
V
V
T
OTP
T
HYST
155
10
°C
°C
R
SRC_TG
R
SINK_TG
t
R_TG
t
F_TG
t
PDH_TG
t
PDL_TG
1.24
V
BST
- V
DRN
= 5V
CL =为3.3nF ，V
BST
- V
DRN
= 5V
CL =为3.3nF ，V
BST
- V
DRN
= 5V
V
BST
- V
DRN
= 5V
V
BST
- V
DRN
= 5V
0.86
8
8
20
25
1.8
1.3
欧
ns
ns
ns
ns
R
SRC_BG
R
SINK_BG
t
R_BG
t
F_BG
t
PDH_BG
t
PDL_BG
V
BST
- V
DRN
= 5V
CL =为3.3nF ，V
BST
- V
DRN
= 5V
CL =为3.3nF ，V
BST
- V
DRN
= 5V
V
BST
- V
DRN
= 5V
V
BST
- V
DRN
= 5V
1.28
0.6
8
4
20
25
1.7
1.2
欧
ns
ns
ns
ns
t
PDH_UVLO
t
PDL_UVLO
2
2
s
s
2005年升特公司
4
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SC1211VX
电源管理
时序图
CO
DRN
1.0V
TG
t
PDH_TG
t
R_TG
t
PDL_TG
t
F_TG
BG
t
PDL_BG
t
F_BG
1.4V
t
PDH_BG
t
R_BG
上升沿转变
下降沿
2005年升特公司
5
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    SC1211VXSTRT
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