SBL （F ， B） 1030 & SBL （F ， B） 1040
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
2
SBL10xx
销1
销2
2
1
SBLF10xx
销1
1
例
销2
TO-263AB
K
2
1
SBLB10xx
销1
销2
K
散热器
典型应用
对于使用低电压，高频整流
交换式电源供应器，随心所欲
二极管，直流 - 直流转换器和极性保护
应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
30 V, 40 V
250 A
0.60 V
125 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 110 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V
AC
SBL1030
30
21
30
10
250
- 40至+ 125
1500
SBL1040
40
28
40
单位
V
V
V
A
A
°C
V
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1
SBL （F ， B） 1030 & SBL （F ， B） 1040
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
测试条件
10 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
F
I
R
价值
0.6
1.0
50
单位
V
mA
最大瞬时反向电流DC
阻断电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
从结每腿到外壳的典型热阻
符号
R
θJC
SBL
2.0
SBLF
5.0
SBLB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
SBL1030-E3/45
SBLF1030-E3/45
SBLB1030-E3/45
SBLB1030-E3/81
SBL1030HE3/45
(1)
SBLF1030HE3/45
(1)
SBLB1030HE3/45
(1)
SBLB1030HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12.5
负载电阻或电感
300
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
10
250
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
200
7.5
150
5
100
2.5
50
0
0
50
100
150
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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SBL （F ， B） 1030 & SBL （F ， B） 1040
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
T
J
= 25 °C
1
结电容（pF ）
T
J
= 125 °C
1000
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
100
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 75 °C
0.1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
10
1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
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SBL （F ， B） 1030 & SBL （F ， B） 1040
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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