a
特点
SMP08的高速版本
内部保持电容
低转差率
TTL / CMOS兼容逻辑输入
单或双电源供电
先开后合式通道寻址
兼容CD4051引脚
低成本
应用
多路径的时序偏移校正的A.T.E.
内存程序员
质量流量/过程控制系统
多通道数据采集系统
机器人和控制系统
医疗和分析仪器
事件分析
舞台灯光控制
输入
3
八通道采样和保持
具有多路输入
SMP18
功能框图
（ LSB ）
A
11
（MSB）
C
9
B
10
INH
6
8 DGND
1第8解码器
16 V
DD
SW
13通道
0
OUT
SW
14 CH
1
OUT
SW
15 CH
2
OUT
SW
12通道
3
OUT
SW
1
CH
4
OUT
SW
5
CH
5
OUT
概述
该SMP18是单片八进制采样和保持;它有八个
内部缓冲放大器，输入多路转换器，以及内部保持
电容器。它是在一个先进的氧化物中分离制
CMOS技术来获得高精度，低下降率和
快速的采集时间。该SMP18具有一个典型的线性误差
只有0.01％ ，并且可以准确地获得一个10位的输入信号，以
±
1/2 LSB在小于2.5微秒。该SMP18的输出
挥杆包括负电源的单，双支持
层的操作。
该SMP18是专门为使用一个系统设计
校准周期来调整系统参数的整数倍。该
低成本和高集成度使SMP18理想
校准要求那些以前需要一个ASIC ，
性价比还是较高多个D / A转换器。
该SMP18也非常适合于各种各样的样品 -
保持应用，包括放大器失调或VCA增益AD-
justments 。一个或多个SMP18s可以与单一使用或
多个DAC对一个系统内提供多个设置点。
SW
2
CH
6
OUT
SW
HOLD CAPS
（内部）
4通道
7
OUT
7 V
SS
SMP18
该SMP18提供显著的成本和尺寸降低了
分立式设计。它采用16引脚塑料DIP，
窄体SO- 16表面贴装SOIC封装或薄
TSSOP - 16封装。该SMP18是一个较高的速度直接
替代SMP08 。
版本C
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传真： 617 / 326-8703
ADI公司， 1996年
电气特性
P
ARAMETER
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
SMP18–SPECIFICATIONS
(@ V
= +5 V, V
SS
= -5V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP18F ，
除非另有说明）
DD
条件
–3 V
≤
V
IN
≤
+3 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 0 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
1
V
IN
= 0 V
1
R
L
= 20 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
4
2
最大
10
20
6
8
40
+3.0
单位
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
V
A
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
1.2
0.5
–3.0
2.4
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ° C， -3 V至+3 V至0.1 ％
To
±
终值1毫伏
0.5
3.5
1
90
45
90
6
500
–72
60
75
5.5
0.8
1
<30 ％过冲
-3 V至+3 V步骤
PSRR
I
DD
V
SS
=
±
5 V至
±
6 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
7.5
7.5
9.5
mA
电气特性
参数
线性误差
缓冲区偏移电压
保持步
下降率
输出源电流
输出灌电流
输出电压范围
符号
V
OS
V
HS
V
CH
/t
I
来源
I
SINK
(@ V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V ， DGND = 0 V ，R
L
=空载，T
A
= -40°C至+ 85°C的SMP18F ，
除非另有说明）
条件
60毫伏
≤
V
IN
≤
10 V
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
V
IN
= 6 V ，T
A
= –40°C
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= 6 V
V
IN
= 6 V
1
V
IN
= 6 V
1
R
L
= 20 k
R
L
= 10 k
民
典型值
0.01
2.5
3.5
4
2
1.2
0.5
0.06
0.06
最大
10
20
6
8
40
10.0
9.5
范围
%
mV
mV
mV
mV
毫伏/秒
mA
mA
V
V
逻辑特征
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
动态性能
2
采集时间
3
保持模式的稳定时间
通道选择时间
频道取消时间
抑制恢复时间
压摆率
4
容性负载稳定性
模拟串扰
电源特性
电源抑制比
电源电流
V
INH
V
INL
I
IN
t
AQ
t
H
t
CH
t
DCS
t
IR
SR
2.4
V
IN
= 2.4 V
T
A
= + 25 ℃，0至10伏至0.1％
To
±
终值1毫伏
0.5
2.5
1
90
45
90
7
500
–72
60
75
6.0
8.0
0.8
1
3.25
V
V
A
s
s
ns
ns
ns
V / μs的
pF
dB
dB
mA
mA
<30 ％过冲
0 V至10 V步骤
PSRR
I
DD
10.8 V
≤
V
DD
≤
13.2 V
T
A
= +25°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
8.0
10.0
笔记
1
输出能够下沉和采购超过10毫安，但偏移量保证在规定的负载水平。
2
所有的输入控制信号与T指定
r
= t
f
= 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平的定时
3
此参数是保证没有测试。
4
压摆率测量中的采样模式用0至10伏步骤为20％至80％。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
SMP18
绝对最大额定值
引脚连接
CH
4
出1
CH
6
输出2
输入3
CH
7
出4
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, 17 V
V
逻辑
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
V
IN
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
V
OUT
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
模拟输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20毫安
（不短路保护）
工作温度范围
FP ， FS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
16引脚塑料DIP （ P）
16引脚SOIC （ S）
16引脚TSSOP （ RU ）
JA
*
JC
16 V
DD
15 CH
2
OUT
14 CH
1
OUT
13通道
0
OUT
顶视图
CH
5
5 （不按比例） 12 CH
3
OUT
INH 6
V
SS
7
DGND 8
11 A控制
10 B控制
9 C控制
SMP18
单位
° C / W
° C / W
° C / W
模型
SMP18FP
SMP18FRU
SMP18FS
订购指南
76
92
180
33
27
35
笔记
*θ
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件下，即
θ
JA
被指定为设备
插座塑料DIP封装;
θ
JA
被指定为设备焊接到印刷
电路板SOIC和TSSOP封装。
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
塑料DIP
TSSOP-16
SO-16
包
选项
N-16
RU-16
R-16A
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然SMP18具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–3–
QQ：2880707522 复制
