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绿色
产品
STM8360T
版本1.0
S A mHop微电子 ORP 。
双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）
产品概要（ N沟道）
V
DSS
40V
产品概要（ P沟道）
V
DSS
-40V
I
D
6.6A
R
DS （ ON）
(m
）最大
29
@
VGS=10V
I
D
-5.5A
R
DS （ ON）
(m
）最大
42
@
VGS=-10V
65
@
VGS=-4.5V
45
@
VGS=4.5V
D
2
D
2
5
6
7
8
4
3
2
1
G
2
S
2
G
1
S
1
S 0 - 8
1
D
1
D
1
绝对最大额定值（
T
C
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
T
C
=25°C
T
C
=70°C
N沟道P沟道
-40
40
±20
±20
-5.5
6.6
5.3
33
16
-4.4
-31
19
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
事务所脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
T
C
=25°C
T
C
=70°C
工作结存储
温度范围
热特性
R
JA
热阻，结到环境
a
62.5
° C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Nov,21,2008
1
www.samhop.com.tw
STM8360T
版本1.0
N沟道电气特性
(
T
C
=25
°
C除非另有说明
)
4
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=32V , V
GS
=0V
民
40
典型值
最大
单位
V
uA
nA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
1
±100
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.3A
V
DS
= 5V ，我
D
=6.6A
1.0
1.5
23
33
17
3
29
45
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
780
60
50
14
14
18.5
20
14
6.9
1.8
3.9
1.7
1.2
V
DD
=20V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
根
= 3.3欧姆
V
DS
=20V,I
D
=6.6A,V
GS
=10V
V
DS
=20V,I
D
=6.6A,V
GS
=4.5V
V
DS
=20V,I
D
=6.6A,
V
GS
=10V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=1.7A
二极管的正向电压
b
A
V
0.77
Nov,21,2008
2
www.samhop.com.tw
STM8360T
版本1.0
P沟道电气特性
(
T
C
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-32V , V
GS
=0V
-40
-1
±100
V
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.4A
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.5A
-1.0
-1.7
33
48
12
-3
42
65
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
980
135
90
12
17
82
35
20.7
11
1.5
6.2
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
=-20V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
根
= 3欧姆
V
DS
=-20V,I
D
=-5.5A,V
GS
=-10V
V
DS
=-20V,I
D
=-5.5A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V,I
D
=-5.5A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1.7A
-0.76
-1.7
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V,V
GS
= 10V （见Figure13 ）
Nov,21,2008
3
www.samhop.com.tw
STM8360T
版本1.0
N沟道
40
V
的s
=10V
V
的s
=4.5V
V
的s
=4V
20
I
D
，漏电流（ A）
V
的s
=3.5V
24
I
D
，漏电流（ A）
32
16
12
T J = 125℃
-55 C
8
4
0
25
C
16
V
的s
=3V
8
0
0
0.5
1
1.5
V
的s
=2.5V
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
72
60
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
V
的s
=10V
I
D
=6.6A
V
的s
=4.5V
I
D
=5.3A
R
DS （ ON）
(m
)
48
V
的s
=4.5V
36
24
V
的s
=10V
12
0
1
8
16
24
32
40
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
150
T J （
°C )
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.2
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50 -25
0
25
50
75
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
100 125 150
75
100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
4
图6.击穿电压变化
随温度
Nov,21,2008
www.samhop.com.tw
STM8360T
版本1.0
84
70
20.0
是，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=6.6A
10.0
R
DS （ ON）
(m
)
56
42
28
75 C
14
0
25 C
125 C
5.0
125 C
75 C
25 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
1200
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
，门源电压（ V）
1000
C，电容（pF ）
8
6
4
2
0
0
C为S
800
600
400
OS s
200
RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
=20V
I
D
=6.6A
2
4
6
8
10
12
14 16
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
300
100
100
im
it
10
0u
I
D
，漏电流（ A）
10
切换时间（纳秒）
TD （关闭）
Tf
Tr
TD （上）
R
D
O
S
(
L
N)
10
us
1m
10
ms
s
s
10
1
DC
V DS = 20V ， ID = 1A
0.1
1
1
V G S = 10V
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
1
10
40
6
10
60 100
0.1
RG ，栅极电阻（
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
Nov,21,2008
5
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