S07B -M , S07D -M , S07G -M , S07J -M , S07M -M
威世半导体
小信号开关二极管,高压
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
适合自动放置
玻璃钝化
高温焊接: 260 ℃/ 10秒
在终端
波和回流焊接
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
17249
机械数据
案例:
DO- 219AB ( SMF )
极性:
频带端为负极
重量:
约。 15毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴18 / 10K (8毫米磁带)
每7"卷轴(8毫米磁带) 08 / 3K
零件表
部分
S07B-M
S07D-M
S07G-M
S07J-M
S07M-M
订购代码
S07B - M- 18或S07B -M -08
S07D - M- 18或S07D -M -08
S07G - M- 18或S07G -M -08
S07J - M- 18或S07J -M -08
S07M - M- 18或S07M -M -08
记号
UB
UD
UG
UJ
UM
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85191
修订版1.1 , 20 - 8 - 10
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1
S07B -M , S07D -M , S07G -M , S07J -M , S07M -M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
测试条件
部分
S07B-M
S07D-M
最大重复峰值反向电压
S07G-M
S07J-M
S07M-M
S07B-M
S07D-M
最大RMS电压
S07G-M
S07J-M
S07M-M
S07B-M
S07D-M
最大直流阻断电压
S07G-M
S07J-M
S07M-M
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
注意:
1)
平均超过任何20 ms周期
T
tp
= 75 °C
1)
T
A
= 65 °C
1)
T
L
= 25 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F( AV )
I
F( AV )
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
工作结存储
温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
注意:
1)
安装在环氧树脂基板为3 mm ×3mm的CU垫( ≥厚40mm )
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
反向恢复时间
在4 V, MHz的典型电容
注意:
1)
脉冲试验: 300 μ脉冲宽度, 1 %的占空比
测试条件
1 A
1)
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1 A,I
rr
= 0.25 A
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
分钟。
典型值。
马克斯。
1.1
10
50
1.8
单位
V
μA
μA
μs
pF
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S07B -M , S07D -M , S07G -M , S07J -M , S07M -M
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1.2
负载电阻或电感
100
瞬时反向电流( μA )
平均正向电流( A)
1.0
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.8
0.6
0.4
0.1
0.2
0
3.0毫米X 3.0毫米40
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25 °C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17375
环境温度( ℃)
17377
瞬时反向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图3.典型的瞬时反向特性
1000
10
9
8
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
7
正向电流(mA )
C( pF)的
T
J
= 100 °C
100
600
6
5
4
3
2
1
700
800
900
1000
1100
17378
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17376
正向
电压
(毫伏)
V
R
(V)
图2.典型的正向特性
图4.电容与反向电压
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S07B -M , S07D -M , S07G -M , S07J -M , S07M -M
威世半导体
包装尺寸
以毫米(英寸):
DO- 219AB ( SMF )
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐:
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期:2005年15月
第3版 - 日期:2007年3月13日
文件编号: S8 -V - 3915.01-001 ( 4 )
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
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威世半导体
Blistertape尺寸为SMF
以毫米为单位
PS
文档编号: S8 -V - 3717.02-001 ( 3 )
18513
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